-
公开(公告)号：CN102446495A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110257904.9
申请日：2011-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/34
CPC classification number: G06F3/0421 , G06F3/0412 , G09G3/3406 , G09G2320/045 , G09G2320/0633 , G09G2360/145
Abstract: 本发明提供了一种显示设备。显示设备包括显示面板、背光单元、背光控制电路、多个传感器、读出电路和传感器辅助电路。所述显示面板包括多个像素，并显示图像。所述背光单元包括用于发射红外光范围内的第一光的第一光源。背光控制电路控制第一光源的亮度。所述多个传感器感测外部信号，并输出多个第一感测信号。读出电路输出所述多个第一感测信号作为多个第二感测信号。传感器辅助电路比较所述多个第二感测信号的最大值和最小值，并基于比较的差将亮度控制信号提供给背光控制电路，以控制第一光源的亮度。
-
公开(公告)号：CN109166836B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201810933529.7
申请日：2013-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。
-
公开(公告)号：CN108574003B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201810170688.6
申请日：2018-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。
-
公开(公告)号：CN106611792B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201610146132.4
申请日：2016-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括鳍型图案，鳍型图案包括在鳍型图案的上部中的第一和第二氧化物区。鳍型图案在第一方向上延伸。第一纳米线在第一方向上延伸并与鳍型图案间隔开。栅电极围绕第一纳米线的外围并在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅电极设置在鳍型图案的一区域上。该区域位于第一氧化物区和第二氧化物区之间。第一源/漏极设置在第一氧化物区上并与第一纳米线的端部分连接。
-
公开(公告)号：CN109427903A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810844288.9
申请日：2018-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/41791 , H01L29/785 , H01L29/4232 , H01L29/78
Abstract: 本公开的半导体器件包括：衬底，具有有源图案，所述有源图案在第一方向上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸以横越所述有源图案，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构在彼此在所述第二方向上面对的同时彼此隔离开；栅极隔离图案，设置在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，所述栅极隔离图案具有空隙；以及填充绝缘部分，在所述栅极隔离图案内定位在比所述第一栅极结构的上表面及所述第二栅极结构的上表面低的位置，所述填充绝缘部分连接到至少所述空隙的上端。本公开的半导体器件具有改善的集成度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107017204A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611225519.5
申请日：2016-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金东权
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/76264 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L29/0649 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L2221/1063 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。其中一种制造半导体器件的方法提供如下。外延层形成在有源鳍结构上。金属栅电极形成在有源鳍结构上。栅电极盖形成在金属栅电极的上表面上。金属栅间隔物形成在金属栅电极的侧壁上。源电极/漏电极形成在外延层上。空气间隔物区通过去除金属栅电极盖和金属栅间隔物而形成。空气间隔物形成在空气间隔物区内。
-
公开(公告)号：CN114639735A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111400333.X
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：栅极图案，在基板上并且包括顺序堆叠的栅极电介质层、栅电极和栅极盖图案；在栅极图案的侧壁上的栅极间隔物；在基板中的源极/漏极图案；在源极/漏极图案上的接触焊盘；在接触焊盘上的源极/漏极接触；以及在栅极间隔物和源极/漏极接触之间的掩埋电介质图案，其中栅极间隔物包括：在栅电极和接触焊盘之间的第一段；从第一段延伸并在栅电极和源极/漏极接触之间的第二段；以及在第二段上的第三段，掩埋电介质图案在第三段和源极/漏极接触之间，不存在于第一段和接触焊盘之间并且不存在于第二段和源极/漏极接触之间。
-
公开(公告)号：CN108574003A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810170688.6
申请日：2018-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。
-
公开(公告)号：CN103681550B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201310378594.5
申请日：2013-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。
-
公开(公告)号：CN106920838A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201611223805.8
申请日：2016-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/7682 , H01L21/76897 , H01L29/41791 , H01L29/6653 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法提供如下。外延层被形成在衬底的有源鳍结构上。第一金属栅电极被形成在有源鳍结构上。每个第一金属栅电极和每个外延层在有源鳍结构上在第一方向上被交替布置。层间电介质(ILD)图案被形成在外延层上，在交叉第一方向的第二方向上延伸。牺牲间隔物图案被形成在第一金属栅电极上。多个牺牲间隔物图案的每个覆盖第一金属栅电极中的相应第一金属栅电极。自对准接触孔和牺牲间隔物通过去除ILD图案被形成。每个自对准接触孔暴露布置在每个ILD图案下方的相应外延层。源/漏电极被形成在自对准接触孔中。牺牲间隔物由空气间隔物替换。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.031 seconds)
