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公开(公告)号：CN1510740A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310116438.8
申请日：2003-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792 , Y10S977/723 , Y10S977/774
Abstract: 本发明公开了一种制造带有纳米点的存储器的方法。该方法包括步骤：在一其中制有源极和漏极电极的衬底上依次淀积一第一绝缘层、一电荷储积层、一牺牲层以及一金属层；通过对金属层执行阳极氧化，在所制得的结构上形成多个孔洞，并对经这些孔洞而外露的牺牲层执行氧化；通过去除掉已被氧化的金属层，并以氧化物牺牲层作为掩模对牺牲层和电荷储积层执行蚀刻，从而将电荷储积层构图成带有纳米点；以及去除氧化后的牺牲层，在被构图后的电荷储积层上淀积一第二绝缘层和一栅极电极，并将第一绝缘层、电荷储积层、第二绝缘层以及栅极电极构图设计成预定的形状。因而，可以制出具有均匀分布的纳米级存储结的存储器。
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公开(公告)号：CN1501377A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03141188.6
申请日：2003-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/24035 , G11B7/241 , Y10T428/21
Abstract: 提供具有相变材料膜的光记录介质和制备光记录介质的方法。在该方法中，首先在基材上顺序堆叠相变材料膜、牺牲膜和金属膜。然后，将金属膜阳极化形成具有多孔空穴的金属氧化物膜，并将经空穴暴露的牺牲薄膜部分阳极化形成氧化膜，然后，通过除去金属氧化物膜并通过刻蚀牺牲膜和使用牺牲膜的氧化物膜作为掩模的相变材料膜，使相变材料膜形成图案。然后，自牺牲膜除去氧化膜，并在图案化的相变材料膜上沉积上绝缘膜、反射膜和保护膜。该光记录介质通过所用自对准方法简单制造，并可具有高集成大容量记忆。
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公开(公告)号：CN1970441B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200510126739.8
申请日：2005-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , Y10S977/842
Abstract: 本发明提供一种在室温和大气压下合成单壁碳纳米管的方法。该方法包括形成包含有机金属化合物和碳供应源的溶液，该机金属化合物含有催化剂颗粒；向该溶液中加入载体，其中所述碳纳米管合成在该载体的表面上；及向加入载体的溶液施加超声波。
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公开(公告)号：CN100584751C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510004590.6
申请日：2005-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C26/00 , C30B25/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100456418C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200410036842.9
申请日：2004-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82B3/00 , B29C59/022 , B29C59/026 , B29C2059/023 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/32139
Abstract: 本发明公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一氧化铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一氧化铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一氧化铝层的每个管道的底部；以及进行第二阳极氧化，以在铝衬底上形成具有对应于多个凹入部分的多个管道的阵列的第二氧化铝层。该阵列制造方法能够获得精细排序的孔穴，并能使用孔穴形成纳米尺度的点。
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公开(公告)号：CN100343979C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510071668.6
申请日：2005-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/7883
Abstract: 本发明提供了一种制造存储器的方法，该存储器包括具有均匀分布的硅纳米点的栅。该方法包括：在衬底上形成栅，该栅具有绝缘薄膜，还具有在该绝缘薄膜中顺序叠放并且以预定距离彼此隔开的纳米点层和导电薄膜图案；在衬底中形成源区和漏区；以及分别在源区和漏区形成第一和第二金属层。
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公开(公告)号：CN100336201C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200310116438.8
申请日：2003-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792 , Y10S977/723 , Y10S977/774
Abstract: 本发明公开了一种制造带有纳米点的存储器的方法。该方法包括步骤：在一其中制有源极和漏极电极的衬底上依次淀积一第一绝缘层、一电荷储积层、一牺牲层以及一金属层；通过对金属层执行阳极氧化，在所制得的结构上形成多个孔洞，并对经这些孔洞而外露的牺牲层执行氧化；通过去除掉已被氧化的金属层，并以氧化物牺牲层作为掩模对牺牲层和电荷储积层执行蚀刻，从而将电荷储积层构图成带有纳米点；以及去除氧化后的牺牲层，在被构图后的电荷储积层上淀积一第二绝缘层和一栅极电极，并将第一绝缘层、电荷储积层、第二绝缘层以及栅极电极构图设计成预定的形状。因而，可以制出具有均匀分布的纳米级存储结的存储器。
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公开(公告)号：CN101005355A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610172139.X
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04L29/12358 , H04L29/125 , H04L61/251 , H04L61/2564 , H04L63/06 , H04L63/164
Abstract: 一种因特网协议版本4/因特网协议版本6(IPv4/IPv6)综合网络系统，包括：至少一个第一节点，用于创建KEY－ID，所述KEY－ID能够标识与至少一个IPv4节点共享的每个秘密密钥，以及用于在安全协商过程中，与每个所述IPv4节点交换所述KEY－ID。每个第二节点创建标识信息，所述标识信息能够标识与每个第一节点共享的每个秘密密钥，以及基于与通过安全协商过程所交换的标识信息相对应的所述秘密密钥，来执行协商过程。从而，在网络地址转换－协议转换(NAT－PT)环境中，可以基于秘密密钥，来实现符合因特网协议安全结构(IPSec)的安全通信。
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公开(公告)号：CN1941124A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610114810.5
申请日：2003-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/24035 , G11B7/241 , Y10T428/21
Abstract: 提供具有相变材料膜的光记录介质和制备光记录介质的方法。在该方法中，首先在基材上顺序堆叠相变材料膜、牺牲膜和金属膜。然后，将金属膜阳极化形成具有多孔空穴的金属氧化物膜，并将经空穴暴露的牺牲薄膜部分阳极化形成氧化膜，然后，通过除去金属氧化物膜并通过刻蚀牺牲膜和使用牺牲膜的氧化物膜作为掩模的相变材料膜，使相变材料膜形成图案。然后，自牺牲膜除去氧化膜，并在图案化的相变材料膜上沉积上绝缘膜、反射膜和保护膜。该光记录介质通过所用自对准方法简单制造，并可具有高集成大容量记忆。
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