公开(公告)号：CN115084153A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210144610.3

申请日：2022-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佐燮 ,  朴凤泰 ,  沈载株 ,  赵诚一

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578

Abstract: 发明构思提供了半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括第一单元块和第二单元块，第一单元块包括第一电极结构和穿透第一电极结构的第一沟道，第一电极结构包括堆叠在基板上的第一电极，第二单元块包括第二电极结构和穿透第二电极结构的第二沟道，第二电极结构包括堆叠在基板上的第二电极。第一和第二电极结构可以在第一方向上延伸。第一电极结构可以在第二方向上具有第一宽度，第二电极结构可以具有大于第一宽度的第二宽度。第一电极结构的侧表面和与其相邻的第一沟道可以彼此间隔开第一距离，并且第二电极结构的侧表面和与其相邻的第二沟道可以彼此间隔开不同于第一距离的第二距离。

公开(公告)号：CN110391124A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910225395.8

申请日：2019-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 爱德华·成 ,  邦晋荣 ,  金爀 ,  赵诚一

IPC: H01J37/32

Abstract: 根据本发明构思的实施例的喷淋头包括：具有多个气体供给通道的上板，具有形成在下表面中的多个供给孔和多个排气槽的下板，以及在所述上板和所述下板之间的多个分隔壁，所述多个分隔壁连接到所述多个排气槽并限定在喷淋头的侧部开口的排气通道。

公开(公告)号：CN102204241A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143104.5

申请日：2009-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起用 ,  赵诚一 ,  姜廷旻 ,  徐荣光 ,  郑基濬

IPC: H04N5/74

CPC classification number: G02B26/0833 ,  G06F3/0386 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G06F2203/04109 ,  H04N9/3194

Abstract: 提供一种用于提供用户接口的方法，以及使用该方法的数字光处理(DLP)显示装置。在DLP显示装置中，数字微镜设备(DMD)将由光源投射的光反射在屏幕上，并且图像传感器检测从DMD反射的光，以使得容易地提供用于DLP显示装置的用户接口。

公开(公告)号：CN102203704A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980144236.X

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起用 ,  赵诚一 ,  姜廷旻 ,  徐荣光 ,  郑基濬

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/033 ,  G06F3/03

CPC classification number: G06F3/017 ,  G06F3/04883

Abstract: 提供了一种用于通过触摸和动作产生控制命令的接口设备、接口系统以及使用所述接口设备的接口方法。所述接口设备包括触摸屏、动作传感器以及用于产生控制命令的控制单元。因此，用户能够更容易且方便地操纵GUI。

公开(公告)号：CN101320731A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810142885.3

申请日：2008-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔龙熙 ,  赵暎圭 ,  赵诚一 ,  林奭炫

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G4/33 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90 ,  Y10T29/435

Abstract: 一种制造集成电路器件的方法，包括形成从衬底垂直延伸的多个下电容电极。多个下电容电极分别包括内侧壁和外侧壁。形成至少一种支撑图案，其在多个下电容电极的一些之间从相对着衬底的它的顶部部分沿着它的外侧壁朝着衬底的方向垂直延伸到大于多个下电容电极的相邻一些之间的横向距离的深度。在支撑图案上和在多个下电容电极的外侧壁上形成介质层，并且在介质层上形成上电容电极。此外还涉及相关的器件。

公开(公告)号：CN1340814A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01125540.4

申请日：2001-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵诚一 ,  徐仲彦 ,  全镇勋 ,  郑守烈

IPC: G11B7/09 ,  G11B7/095 ,  G11B21/02

CPC classification number: G11B7/0953

Abstract: 一种利用学习控制补偿扰动的装置和方法。一种光记录/重放装置的光记录介质驱动伺服系统,该系统包括:移动在记录介质上记录数据或从记录介质重放数据的头的位置的致动器;检测记录介质的参考位置与该头的实际位置之间位置误差的检测器;从误差检测器接收一个值并产生驱动致动器的值的补偿器;存储用于补偿由周期性扰动造成的位置误差的控制输入的第一存储器;由相位变换第一存储器的内容并存储该内容的第二存储器;由相位产生第一和第二存储器的地址的定时控制器;和将第一或第二存储器的内容与补偿器的输出施加到致动器的加法器。因此,利用一种以前学习的控制结果可以迅速和有效地补偿周期性扰动分量,而不考虑其它的变化。

公开(公告)号：CN110391124B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201910225395.8

申请日：2019-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 爱德华·成 ,  邦晋荣 ,  金爀 ,  赵诚一

IPC: H01J37/32

Abstract: 根据本发明构思的实施例的喷淋头包括：具有多个气体供给通道的上板，具有形成在下表面中的多个供给孔和多个排气槽的下板，以及在所述上板和所述下板之间的多个分隔壁，所述多个分隔壁连接到所述多个排气槽并限定在喷淋头的侧部开口的排气通道。

公开(公告)号：CN115935886A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210637287.3

申请日：2022-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋仁哲 ,  金爀 ,  朴相郁 ,  李俊行 ,  赵诚一 ,  柳凯元

IPC: G06F30/392 ,  G06N7/00 ,  G06F111/08

Abstract: 提供了用于半导体开发的数据探索的方法和设备。处理器实现的用于数据探索的方法包括：设置第一输入数据和第一目标条件；使用对目标函数建模的第一函数来预测与第一输入数据对应的第一输出数据；和使用提供第一输出数据与第一目标条件之间的比较结果的第二函数来确定第二输入数据。

公开(公告)号：CN109524400A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811086216.9

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐英植 ,  赵诚一

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括提供衬底结构。该方法包括形成顺序地堆叠在衬底结构上的下牺牲层、下支撑物层、上牺牲层和上支撑物层。该方法包括在上支撑物层上形成掩模图案、通过使用掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻上支撑物层而形成上支撑物图案。该方法包括形成穿透上支撑物图案、上牺牲层、下支撑物层和下牺牲层的凹陷区域、以及去除下牺牲层和上牺牲层。掩模图案在形成上支撑物图案的工艺期间被去除。并且，当形成凹陷区域的工艺结束时，上支撑物图案留下。

公开(公告)号：CN101320731B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200810142885.3

申请日：2008-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔龙熙 ,  赵暎圭 ,  赵诚一 ,  林奭炫

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G4/33 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90 ,  Y10T29/435

Abstract: 一种制造集成电路器件的方法，包括形成从衬底垂直延伸的多个下电容电极。多个下电容电极分别包括内侧壁和外侧壁。形成至少一种支撑图案，其在多个下电容电极的一些之间从相对着衬底的它的顶部部分沿着它的外侧壁朝着衬底的方向垂直延伸到大于多个下电容电极的相邻一些之间的横向距离的深度。在支撑图案上和在多个下电容电极的外侧壁上形成介质层，并且在介质层上形成上电容电极。此外还涉及相关的器件。