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公开(公告)号：CN101131620B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710146580.5
申请日：2007-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/044 , G06F2203/04104
Abstract: 提供一种使用二维电容传感器的用户接口技术。用于感测多触点的移动的设备包括：电容感测单元，感测两个或更多个触点，并基于感测的触点感测电容和电容的改变；移动分析单元，使用关于感测的电容和电容的改变的信息感测并分析两个或更多个触点的移动的改变；和命令处理单元，根据分析结果处理与移动的改变相应的命令。
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公开(公告)号：CN101131620A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710146580.5
申请日：2007-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/044 , G06F2203/04104
Abstract: 提供一种使用二维电容传感器的用户接口技术。用于感测多触点的移动的设备包括：电容感测单元，感测两个或更多个触点，并基于感测的触点感测电容和电容的改变；移动分析单元，使用关于感测的电容和电容的改变的信息感测并分析两个或更多个触点的移动的改变；和命令处理单元，根据分析结果处理与移动的改变相应的命令。
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公开(公告)号：CN1187752C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN01138191.4
申请日：2001-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B21/106 , G11B5/59627 , G11B7/0941 , G11B7/0953
Abstract: 使用致动器的频率响应特性的盘驱动伺服系统的偏心率补偿装置，致动器用于驱动读写头到盘上的一个位置，以从盘上读出数据或从盘再现数据，包括：误差检测器，用于检测参考读写头位置和盘上读写头实际位置之间的位置误差；第一补偿控制器，用于从误差检测器接收位置误差并且改变读写头实际位置，以补偿位置误差；第二补偿控制器，用于产生并且输出一个控制值，以补偿随着使盘旋转的一个主轴的相位而变化的偏心率；增益/相位调整器，它依照盘再现速度而调节从第二补偿控制器输出的控制值的增益和相位。基于致动器频率响应特性，通过调整在特定再现速度下估算出的用于偏心率补偿的控制数据，该偏心率补偿装置可以完全补偿在不同再现速度下的偏心率。
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公开(公告)号：CN109427530A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810908958.9
申请日：2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32651 , H01J37/32091 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6719 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01J37/32633 , H01J37/32834
Abstract: 提供了护罩以及包括该护罩的衬底处理系统。衬底处理系统可以包括处理室、支撑体以及等离子体源，所述等离子体源在竖直方向上与所述支撑体间隔开。所述衬底处理系统还可以包括护罩，所述护罩被构造为在其中容纳所述等离子体。所述护罩可以包括侧壁部以及第一凸缘部，所述第一凸缘部从所述侧壁部水平地延伸并且包括贯穿所述第一凸缘部的多个第一狭缝。所述第一凸缘部可以限定第一开口，并且所述支撑体的一部分延伸穿过所述第一开口。所述侧壁部可以包括多个第二狭缝，所述多个第二狭缝中的每一个可以贯穿所述侧壁部，并可以从所述多个第一狭缝之一朝向所述等离子体源延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109103193A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810641827.9
申请日：2018-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556
Abstract: 提供了一种垂直存储器件及制造该器件的方法。垂直存储器件可以包括：堆叠在半导体衬底的单元区域中的多个栅电极层；划分所述多个栅电极层当中最上面的栅电极层的在第一方向上延伸的多个上隔离绝缘层；多个垂直孔，所述多个垂直孔布置为使任意两个相邻的垂直孔在整个单元区域中彼此具有均匀的距离，并且包括贯穿所述多个栅电极层并设置在所述多个上隔离绝缘层之间的多个沟道孔、以及贯穿所述多个上隔离绝缘层的多个第一支撑孔；设置在所述多个沟道孔中的多个沟道结构；以及设置在所述多个第一支撑孔中的多个第一支撑结构。
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公开(公告)号：CN1200416C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02131531.0
申请日：2002-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0953 , G11B7/08541 , G11B7/0945
Abstract: 一种用于偏心率补偿的盘片驱动伺服系统及其方法。该盘片驱动伺服系统包括；误差检测器，用于检测转盘致动器的实际位置和预定标称基准位置之间的位置误差；反馈单元，用于产生并输出第一控制值，该控制值用于补偿从误差检测器接收到的位置误差；学习控制器，用于计算、存储以及输出第二控制值，该控制值用于补偿在盘片驱动器的一个或多个预定速度下的偏心率；以及增益/相位调节器，根据在一个或多个预定速度下的转盘致动器的频率响应特性来提供用于学习控制器的第二控制值的增益和相位补偿信息。从而，可以有效地补偿转盘致动器的偏心率，并由此根据盘片偏心率来改善盘片驱动伺服系统的引导性能、跟踪性能以及高速寻迹性能。
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公开(公告)号：CN1400593A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02131531.0
申请日：2002-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0953 , G11B7/08541 , G11B7/0945
Abstract: 一种用于偏心率补偿的盘片驱动伺服系统及其方法。该盘片驱动伺服系统包括：误差检测器，用于检测转盘致动器的实际位置和预定标称基准位置之间的位置误差；反馈单元，用于产生并输出第一控制值，该控制值用于补偿从误差检测器接收到的位置误差；学习控制器，用于计算、存储以及输出第二控制值，该控制值用于补偿在盘片驱动器的一个或多个预定速度下的偏心率；以及增益/相位调节器，根据在一个或多个预定速度下的转盘致动器的频率响应特性来提供用于学习控制器的第二控制值的增益和相位补偿信息。从而，可以有效地补偿转盘致动器的偏心率，并由此根据盘片偏心率来改善盘片驱动伺服系统的引导性能、跟踪性能以及高速寻迹性能。
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公开(公告)号：CN1375828A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN01138191.4
申请日：2001-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B21/106 , G11B5/59627 , G11B7/0941 , G11B7/0953
Abstract: 使用致动器的频率响应特性的盘驱动伺服系统的偏心率补偿装置,致动器用于驱动读写头到盘上的一个位置,以从盘上读出数据或从盘再现数据,包括:误差检测器,用于检测参考读写头位置和盘上读写头实际位置之间的位置误差;第一补偿控制器,用于从误差检测器接收位置误差并且改变读写头实际位置,以补偿位置误差;第二补偿控制器,用于产生并且输出一个控制值,以补偿随着使盘旋转的一个主轴的相位而变化的偏心率;增益/相位调整器,它依照盘再现速度而调节从第二补偿控制器输出的控制值的增益和相位。基于致动器频率响应特性,通过调整在特定再现速度下估算出的用于偏心率补偿的控制数据,该偏心率补偿装置可以完全补偿在不同再现速度下的偏心率。
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公开(公告)号：CN115440565A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210618614.0
申请日：2022-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体晶片处理装置。所述半导体晶片处理装置包括：腔室；以及喷头，被配置为将气体供应到腔室中，其中，喷头包括板，板包括多个第一喷射孔组和第二喷射孔组，所述多个第一喷射孔组在从板的中心开始的第一排中，第二喷射孔组在第一排外部的第二排中，其中，每个第一喷射孔组包括多个第一喷射孔，并且当L是从板的中心到每个第一喷射孔组的每个喷射孔的距离的平均值时，距板的中心的距离小于L的第一喷射孔的数量大于距板的中心的距离大于L的第一喷射孔的数量。
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