公开(公告)号：CN102194994A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110059136.6

申请日：2011-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  金英培 ,  许智贤 ,  李东洙 ,  张晚 ,  李昌范 ,  李承烈

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/085 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明公开了一种双极存储单元、包括其的存储器件及其操作和制造方法。该双极存储单元包括具有相反编程方向的两个双极存储层。所述两个双极存储层可经由设置在它们之间的中间电极彼此连接。所述两个双极存储层可具有相同的结构或者相对的结构。

公开(公告)号：CN1518401A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310118192.8

申请日：2003-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安德烈·佩特林 ,  许智贤 ,  申在光

IPC: H05H1/46 ,  C23F4/04 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32678 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供了一种等离子体发生系统。该等离子体发生系统包括：一个微波发生器，用于产生微波；一个折射器，它通过改变上述微波的传播方向以平面波的形式传送上述微波；一个电磁单元，用以对上述微波形成的等离子体施加磁场并使之产生电子回旋谐振。

公开(公告)号：CN104425620B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201410443424.5

申请日：2014-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东洙 ,  李明宰 ,  赵成豪 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  大卫·徐 ,  梁炆承 ,  李商文 ,  李成训 ,  许智贤 ,  黄义澈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ‑Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。

公开(公告)号：CN102956263A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210298165.2

申请日：2012-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张晚 ,  金英培 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  朴晟准 ,  许智贤 ,  李东洙 ,  李昌范 ,  李承烈

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076

Abstract: 根据示例实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为与第一电阻值不同的第二电阻值；感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流；基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压；以及向可变电阻器件施加确定的第二电压。

公开(公告)号：CN101286522A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710093282.4

申请日：2007-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  许智贤 ,  姜闰浩 ,  李孝锡 ,  申在光 ,  吴在浚

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/1246 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供了一种相变存储装置、其制造方法和操作方法。该相变存储装置包括开关装置和与该开关装置连接的存储节点。存储节点包括底部叠层、设置在底部叠层上的相变层和设置在相变层上的顶部叠层。相变层包括用于增加流经相变层的电流通路和减少相变存储区域体积的单元。和底部叠层相对设置的单元的表面面积大于或等于与相变层接触的底部叠层的表面面积。