公开(公告)号：CN113224127A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011535068.1

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种包括至少一个二维(2D)沟道的晶体管和电子设备。根据一些示例实施方式的晶体管包括彼此分开的第一至第三电极以及与第一电极和第二电极接触、平行于第三电极并且包括至少一个2D沟道的沟道层。所述至少一个2D沟道包括具有不同掺杂浓度的至少两个区域。根据一些示例实施方式的晶体管包括：彼此分开的第一至第三电极；与第一电极和第二电极接触并平行于第三电极的2D沟道层；第一掺杂层，设置在与第一电极对应的二维沟道层下方；以及第二掺杂层，设置在与第二电极对应的2D沟道层下方，其中第一掺杂层和第二掺杂层与2D沟道层接触。

公开(公告)号：CN113161412A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202011576877.7

申请日：2020-12-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  张镐元 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开提供场效应晶体管及其制造方法，该场效应晶体管包括具有二维材料的栅绝缘层。该场效应晶体管可以包括：第一沟道层；设置在第一沟道层上的第二沟道层；设置在第二沟道层上的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上的栅电极；电连接到第一沟道层的第一电极；以及电连接到第二沟道层的第二电极。这里，栅绝缘层可以包括绝缘高k二维材料。

公开(公告)号：CN109254499A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810756231.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  金尚元 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

Abstract: 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括由式1表示的结构和溶剂，其中在式1中，R1-R8、X和M详细地描述于具体实施方式部分中。式1

公开(公告)号：CN107359686A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710325561.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 卞卿溵 ,  金在瑛 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  白正民 ,  梁宇正 ,  芮秉旭 ,  李在元 ,  李镇杓 ,  金京男

IPC: H02J7/32

CPC classification number: H02N1/04 ,  H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。

公开(公告)号：CN106067739A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610244475.4

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

Abstract: 一种摩擦电产生器包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及第一能量产生层，提供在第一电极上并且通过与其它材料接触而产生电能，第一能量产生层包括具有二维(2D)形状的晶体结构的2D材料。

公开(公告)号：CN108121153B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201711202775.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  李昌锡 ,  李东郁 ,  薛珉洙 ,  金尙元 ,  郑盛骏

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。

公开(公告)号：CN107768331B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。

公开(公告)号：CN115939209A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211197647.9

申请日：2022-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞敏硕 ,  薛珉洙 ,  权俊荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了场效应晶体管、包括该场效应晶体管的电子装置以及制造该场效应晶体管的方法。场效应晶体管可以包括：基板；在基板上的栅电极；在栅电极上的绝缘层；在绝缘层上的源电极；在绝缘层上且与源电极间隔开的漏电极；在源电极和漏电极之间并包括二维(2D)材料的沟道；邻近源电极和漏电极的2D材料电极接合层；以及邻近2D材料电极接合层的应力器。应力器可以配置为向2D材料电极接合层施加拉伸应变。

公开(公告)号：CN113745257A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110218926.8

申请日：2021-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 提供了图像传感器、电子装置和制造图像传感器的方法。该图像传感器包括可见光传感器部分和布置在可见光传感器部分上的红外传感器部分。可见光传感器部分包括第一传感器层和第一信号布线层，其中多个可见光感测元件排列在第一传感器层中，并且第一信号布线层配置为处理从第一传感器层输出的信号。红外传感器部分包括其中排列多个红外感测元件的第二传感器层、以及配置为处理从第二传感器层输出的信号的第二信号布线层。红外传感器部分和可见光传感器部分形成在获得高分辨率方面有效的单个整体结构。

公开(公告)号：CN107359808B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201710303449.9

申请日：2017-05-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 白正民 ,  千珍晟 ,  芮秉旭 ,  金在瑛 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H02N1/04

Abstract: 本公开提供一种摩擦电发电机。该摩擦电发电机包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；第一带电物体，在第一电极的面对第二电极的表面上；第二带电物体，提供在第一带电物体和第二电极之间；以及接地单元，配置为由于第二带电物体的运动而间歇地使第二带电物体和电荷储存器互相连接。第一带电物体配置为由于接触而带正电荷。第二带电物体配置为由于接触而带负电荷。