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公开(公告)号：CN119542297A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410780581.9
申请日：2024-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 池永根
IPC: H01L23/488 , H10B80/00 , H01L25/16 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体封装。示例半导体封装包括第一半导体芯片、第一半导体芯片上的第二半导体芯片、设置在第一半导体芯片的面向第二半导体芯片的第一表面上的第一接合焊盘以及设置在第二半导体芯片的面向第一表面的第二表面上的第二接合焊盘。第二接合焊盘与第一接合焊盘接触，并且包括与第一接合焊盘接触的第三表面以及与第三表面相对的第四表面。第二半导体芯片包括与第四表面接触的第一布线焊盘以及与第一布线焊盘和第二接合焊盘间隔开的第二布线焊盘。第二布线焊盘的厚度小于第一布线焊盘的厚度。
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公开(公告)号：CN119230484A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410176194.4
申请日：2024-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/10 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/54 , H01L21/60 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：再分布衬底；第一半导体芯片，设置在再分布衬底的在第一方向上的右侧部分上；贯通柱，在与第一半导体芯片的在第一方向上的左侧相邻的区域中设置在再分布衬底上；散热芯片，设置在第一半导体芯片上；以及第二半导体器件，在贯通柱上与散热芯片相邻设置。金属焊盘和粘合层设置在散热芯片与第一半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN110676239B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201911135879.X
申请日：2015-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。
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公开(公告)号：CN112185930A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010433384.1
申请日：2020-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/07
Abstract: 一种半导体封装包括：封装衬底；多个封装端子，设置在封装衬底的底表面上；插入衬底，设置在封装衬底的顶表面上；多个插入端子，设置在插入衬底的底表面上并电连接至封装衬底；第一半导体芯片和第二半导体芯片，彼此水平分离地设置在插入衬底的顶表面上；第一和第二多个信号焊盘，设置在插入衬底的顶表面上且与插入衬底中的布线相连，并分别连接至第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一个或多个电路；以及多个虚设焊盘，设置在由第一半导体芯片或第二半导体芯片占据的区域外部，并设置在插入衬底的顶表面上。每个信号焊盘在插入衬底与相应的半导体芯片之间传输信号，且每个虚设焊盘在插入衬底与设置在其上的任何半导体芯片之间不传输信号。
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公开(公告)号：CN105390467B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201510523211.8
申请日：2015-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/538 , H01L25/16
Abstract: 可提供一种芯片堆叠半导体封装件，该芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有多个第一真实凸点焊盘和多个第一虚设凸点焊盘；第二芯片，在第一芯片上，第二芯片包括多个真实凸点和多个桥接虚设凸点，所述多个真实凸点电连接到所述多个第一真实凸点焊盘，所述多个桥接虚设凸点连接到所述多个第一虚设凸点焊盘；密封构件，密封第一芯片和第二芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117790409A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310699679.7
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/48 , H01L23/535 , H01L23/31
Abstract: 公开了半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的有源表面上形成半导体元件；形成过孔，该过孔从有源表面延伸到半导体衬底中；在半导体衬底的有源表面上形成第一焊盘层；对第一焊盘层执行第一平坦化工艺；对半导体衬底的非有源表面执行减薄工艺以暴露过孔；在半导体衬底的非有源表面上形成第二焊盘层；对第二焊盘层执行第二平坦化工艺；并且在第二平坦化工艺之后，对第一焊盘层执行第三平坦化工艺。
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公开(公告)号：CN115775773A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210926111.X
申请日：2022-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体封装包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一半导体基板和穿透第一半导体基板的至少一部分的多个第一贯通电极。多个第二半导体包括第二半导体基板，所述多个第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上。多个接合焊盘布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片之间。芯片接合绝缘层布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片之间。至少一个支撑虚设基板堆叠在所述多个第二半导体芯片上并具有布置在其下表面上的支撑接合绝缘层。
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公开(公告)号：CN110676239A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911135879.X
申请日：2015-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。
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公开(公告)号：CN105390464B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201510524877.5
申请日：2015-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。
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公开(公告)号：CN106328605B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610392256.0
申请日：2016-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和一体化的粘附结构，第一半导体芯片堆叠在封装基底上，其中，第一半导体芯片包括面对封装基底的第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上，其中，第二半导体芯片包括面对第一半导体芯片的第三表面和与第三表面相对的第四表面，一体化的粘附结构基本上连续地填充封装基底和第一半导体芯片之间的第一空间以及第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的第二空间。一体化的粘附结构包括从第一半导体芯片和第二半导体芯片的外侧壁突出的延伸部。延伸部具有在第一表面的水平和第四表面的水平之间的一个连续凸侧壁。
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