公开(公告)号：CN115910146A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210876120.2

申请日：2022-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳廷旻 ,  宋元亨 ,  金浩渊

IPC: G11C11/4076 ,  G11C11/4091

Abstract: 提供存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括存储器单元行；以及控制逻辑电路，用于响应于激活命令、写入命令、读取命令或预充电命令而对存储器单元行执行行操作、写入操作、读取操作或预充电操作，其中，控制逻辑电路还被配置为：在行锤击监视时间帧期间，针对第一存储器单元行，通过对激活命令进行计数来计算第一计数值并且通过对写入命令或读取命令进行计数来计算第二计数值；基于第一计数值与第二计数值的比率，确定第一存储器单元行的行锤击的类型；以及根据确定的行锤击的类型，通过改变预充电操作时间点来调整激活操作与预充电操作之间的预充电准备时间。

公开(公告)号：CN115705862A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210774386.6

申请日：2022-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳廷旻 ,  金浩渊 ,  宋元亨 ,  金熙重

IPC: G11C7/10 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14

Abstract: 提供了一种存储器件和存储器系统。所述存储器件包括：存储单元，所述存储单元连接到第一字线，其中，所述存储单元包括存储数据的数据区域以及备份所述第一字线被激活的次数的计数值备份区域；计数表，所述计数表用于存储对应于所述第一字线的第一行地址以及存储第一计数值，所述第一计数值作为所述第一字线被激活的次数的计数结果；比较器，所述比较器被配置为：将所述第一计数值与存储在所述计数值备份区域中的第一备份计数值进行比较；以及当所述第一计数值大于所述第一备份计数值时，将所述第一计数值备份在所述计数值备份区域中；或者当所述第一备份计数值大于所述第一计数值时，将所述第一备份计数值覆写到所述计数表中。

公开(公告)号：CN117746942A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311157107.2

申请日：2023-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵诚慧 ,  李恩爱 ,  柳廷旻 ,  宋英杰 ,  孙教民 ,  李起准 ,  李明奎

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/408 ,  G11C11/409

Abstract: 提供了装置、存储器控制器的操作方法、存储器装置和计算快速链路存储器扩展装置，都用于管理行锤击。装置包括存储器装置和存储器控制器，存储器控制器被配置为基于输入行地址来检测行锤击攻击模式的模式大小和行锤击地址的行分布，根据行分布的类型来确定是否执行刷新管理，以及对于与模式大小对应的L次访问，向存储器装置提供刷新管理命令和目标行地址，其中，L是大于或等于1的整数。

公开(公告)号：CN116434797A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211533031.4

申请日：2022-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵诚珍 ,  柳廷旻

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406 ,  G11C11/34

Abstract: 公开了半导体存储器装置和在其中执行行锤击处理操作的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列中具有多行存储器单元；以及行锤击处理器，被配置为在对存储器单元的所述多行执行刷新操作时生成刷新地址。行锤击处理器(RHH)包括：权重分配器，被配置为：接收多个行地址，将权重分配给由此接收的所述多个行地址中的每个，并且生成与所述多个行地址中的每个对应的权重数据。RHH还包括攻击地址生成器，被配置为：基于权重数据来确定存储器单元的行的攻击地址；以及刷新地址生成器，被配置为：接收攻击地址并生成刷新地址，刷新地址包括邻近攻击地址的存储器单元行的地址信息。

公开(公告)号：CN115966229A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210769147.1

申请日：2022-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵诚珍 ,  柳廷旻

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/401

Abstract: 本申请提供了半导体存储器件及操作半导体存储器件的方法。半导体存储器件包括存储单元阵列、行锤击管理电路、修复控制电路和连接逻辑，存储单元阵列包括均包括易失性存储单元的存储单元行。行锤击管理电路对与存储单元行相关联的访问地址进行计数以存储计数值，并且基于计数值来确定与被密集访问的至少一个存储单元行相关联的锤击地址。修复控制电路包括修复控制器，每个修复控制器包括缺陷地址存储装置并且修复存储单元行当中的缺陷存储单元行。连接逻辑将多个修复控制器当中的未用于存储缺陷地址的第一修复控制器连接到行锤击管理电路。行锤击管理电路将第一修复控制器用作存储访问地址中的部分访问地址的存储资源。

公开(公告)号：CN115798537A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211106169.6

申请日：2022-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳廷旻

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4063

Abstract: 公开了行锤击防止电路系统、存储器装置和存储器装置操作方法。所述行锤击防止电路系统包括：第一表，存储表示命中计数的计数值和多个条目的地址位，每个条目与请求访问的目标行对应；第二表，包括安全位和安全位计数器；以及行锤击防止逻辑，所述行锤击防止逻辑用于基于安全位计数器识别所述条目之中的将被执行掩蔽比较的掩蔽条目，基于请求访问的目标行的地址位之中的除MSB之外的其他位是否与掩蔽条目的地址位之中的除MSB之外的其他位匹配来确定命中或未命中，并且生成指示对与对应于其命中计数器大于阈值的掩蔽条目的行邻近的行的附加刷新的控制信号。

公开(公告)号：CN115410619A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210531918.3

申请日：2022-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳廷旻 ,  赵诚珍

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/406

Abstract: 一种控制行锤击的方法：在表示在行锤击监测时间范围内所访问的地址条目与访问数量之间的相关性的地址表中，将第一地址条目与具有最少的第二访问数量的第二地址条目进行交换，以及将所述第一地址条目与具有不是最大值的第三访问数量的第三地址条目随机地进行交换，从而防止黑客模式行锤击攻击被容易地执行。