公开(公告)号：CN116266036A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211545329.7

申请日：2022-12-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 辛承敃 ,  朴相真 ,  崔海圆 ,  李章晋 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  克里科里安·安东 ,  元俊皓 ,  成进荣 ,  许弼覠

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了一种用于处理衬底的装置和方法。该装置包括：至少一个第一工艺室，被配置为将显影剂供应到衬底上；至少一个第二工艺室，被配置为使用超临界流体处理衬底；传送室，被配置为将衬底从至少一个第一工艺室传送到至少一个第二工艺室，同时在至少一个第一工艺室中供应的显影剂残留在衬底上；以及温湿度控制系统，被配置为通过将恒温恒湿的第一气体供应到传送室中来管理传送室的温度和湿度。

公开(公告)号：CN110060942A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811608953.0

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN104051299B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201410090605.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN109148328A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810631977.1

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  李晓山

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201

Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN107978545A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710852812.2

申请日：2017-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨尚烈 ,  全教准 ,  李根泽 ,  林钟欣

IPC: H01L21/673

CPC classification number: H01L21/6732 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67309

Abstract: 本申请提供晶片舟组件及包含晶片舟组件的衬底处理设备。一种晶片舟组件包括舟、基座和底座。所述舟包括承托晶片的槽和包含气体管线的杆。所述基座包括第一表面、与所述第一表面相反的第二表面以及与所述气体管线耦接的连接管线。所述底座位于所述基座的第二表面上，使所述基座旋转，并向所述连接管线供应气体。所述舟位于所述基座的第一表面上。所述气体沿所述气体管线流动，并从所述杆与所述晶片接触的位置被喷散，以使所述晶片浮起。

公开(公告)号：CN103151285A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210524045.X

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  F26B5/04 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

公开(公告)号：CN101236931A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008637.X

申请日：2008-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈雨宽 ,  李梦燮 ,  车知勋 ,  洪昌基 ,  李根泽

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 提出了非易失性存储装置的制造方法，包括在具有沟道区的衬底上顺序地形成隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡层和导电层。对导电层进行构图以形成字线结构，以及使用酸的水溶液作为刻蚀溶液对阻挡层和电荷俘获层进行刻蚀，以形成阻挡层图案和电荷俘获层图案。

公开(公告)号：CN118522660A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311414120.1

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了基板处理挡板、基板处理装置和基板处理方法。基板处理挡板包括：板主体，具有在第一方向上延伸的中心轴；上主体，在板主体上；以及分隔构件，在与第一方向交叉的第二方向上延伸。板主体包括：精细通道，将板主体的顶表面连接到板主体的底表面；以及耦接孔，从板主体的顶表面向下凹陷。分隔构件在第三方向上彼此间隔开，该第三方向与第一方向和第二方向中每个方向交叉。分隔构件低于耦接孔。

公开(公告)号：CN109148328B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201810631977.1

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  李晓山

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN107170700A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710514602.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。