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公开(公告)号：CN115589728A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210779852.X
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种具有改进的可靠性的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括：衬底；包括堆叠在衬底上的多条字线的模制结构；被配置为切割模制结构的第一字线切割区；与第一字线切割区间隔开第一距离并且设置在模制结构和衬底中的第一沟道结构；以及与第一字线切割区间隔开第二距离并且设置在模制结构和衬底中的第二沟道结构，其中，第二距离大于第一距离，第一沟道结构的第一宽度不同于第二沟道结构的第二宽度，并且第一沟道结构的第一长度不同于第二沟道结构的第二长度。
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公开(公告)号：CN114944402A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210140881.1
申请日：2022-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11575
Abstract: 提供了一种集成电路装置和电子系统。所述集成电路装置包括：半导体衬底，其具有单元区和位于单元区外部的虚设区；多个栅电极和多个绝缘层，它们位于单元区中，在平行于半导体衬底的主表面的第一方向和第二方向上延伸，并且在垂直于半导体衬底的主表面的第三方向上交替地堆叠，第一方向和第二方向彼此交叉；以及多个虚设模制层和多个虚设绝缘层，它们在虚设区中在第三方向上交替地堆叠，其中，多个虚设模制层中的上虚设模制层的碳浓度小于多个虚设模制层中的下虚设模制层的碳浓度，下虚设模制层在上虚设模制层与半导体衬底的主表面之间。
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公开(公告)号：CN113161368A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011555812.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11573
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括：衬底；模结构，包括在所述衬底上沿第一方向交替堆叠的第一绝缘图案和多个栅电极；以及字线切割区，所述字线切割区沿与所述第一方向不同的第二方向延伸并且切割所述模结构，其中，所述字线切割区包括公共源极线，并且所述公共源极线包括沿所述第二方向延伸的第二绝缘图案、以及沿所述第二方向延伸并且与所述第二绝缘图案和沿所述第二方向的截面接触的导电图案。
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公开(公告)号：CN109872996A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811450312.7
申请日：2018-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 一种半导体器件，包括：包括凹槽的衬底，所述凹槽位于隔离区域下方并且具有包括多个阶梯部分的侧部；多个栅极电极，在所述衬底上彼此间隔开，并且在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠；沟道结构，在第一组多个栅极电极之间穿过；以及隔离区域，在第二组多个栅极电极之间穿过，所述隔离区域从衬底的上表面延伸并具有倾斜的侧向表面。
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公开(公告)号：CN119677108A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410940004.1
申请日：2024-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括其的数据存储系统。一种半导体器件包括：堆叠结构，在第一区域和第二区域中，包括在第一方向上彼此间隔开的栅电极；分隔区域，在第一区域和第二区域中，延伸穿过堆叠结构并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；多个沟道结构，在第一区域的单元区域中，延伸穿过堆叠结构；多个虚设沟道结构，在第一区域的缓冲区域中，延伸穿过堆叠结构；以及多个支撑结构，在第二区域中，延伸穿过堆叠结构。第一区域和第二区域在第二方向上依次布置。分隔区域包括在第三方向上彼此相邻的第一分隔区域和第二分隔区域。在第一分隔区域和第二分隔区域之间，虚设沟道结构包括具有不同长度的第一虚设组和第二虚设组。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118338676A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311103271.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括第一堆叠结构、第二堆叠结构以及沟道结构，该沟道结构包括贯穿第一堆叠结构的第一沟道结构和贯穿第二堆叠结构的第二沟道结构。第二沟道结构包括第一部分和第二部分，第一部分具有随着第一部分朝向衬底延伸而减小或保持不变的宽度，并且第二部分具有随着第二部分朝向衬底延伸而增大的宽度。
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公开(公告)号：CN116390494A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211677224.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置和电子系统。半导体装置包括：单元衬底，其包括单元阵列区和围绕单元阵列区的延伸区；模制结构，其包括顺序堆叠在单元衬底上的栅电极；沟道结构，其设置在单元阵列区上并与栅电极交叉；位线，其连接到沟道结构中的至少一些；块隔离区，其切割模制结构；源极层，其设置在单元衬底和模制结构之间，并连接到沟道结构中的每一个的侧表面；支撑层，其在单元衬底和源极层的上表面上设置在源极层和模制结构之间。支撑层包括单元衬底的上表面上的支撑结构。支撑结构包括围绕单元阵列区的外围部分和设置在延伸区上的网格部分。
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公开(公告)号：CN115602562A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210805150.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 三星电子株式会社(KR)
IPC: H01L21/66 , H10B41/35 , H10B41/41 , H10B41/20 , H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/20 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C16/04 , G11C16/24 , H01L23/544
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的非易失性存储系统。该非易失性存储器件包括：第一堆叠，其中第一导电图案和第一电介质层在第一方向上交替堆叠在基板上；第二堆叠，其中第二导电图案和第二电介质层与基板相反地在第一方向上交替堆叠在第一堆叠上；在第一方向上穿透第一堆叠的第一监测沟道结构；以及在第一方向上穿透第二堆叠并且在第一监测沟道结构上的第二监测沟道结构。第一监测沟道结构的与基板相反的顶部的宽度小于第二监测沟道结构的与第一监测沟道结构的顶部相邻的底部的宽度。
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公开(公告)号：CN115117089A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111150853.X
申请日：2021-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L23/48
Abstract: 提供了贯穿过孔结构以及包括该贯穿过孔结构的半导体装置。该贯穿过孔结构包括贯穿过孔和盖图案。贯穿过孔包括在竖直方向上延伸的金属图案以及在金属图案的侧壁和下表面上的阻挡图案。盖图案接触贯穿过孔的上表面。盖图案的边缘部分的最下表面不高于盖图案的中心部分的最下表面。
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公开(公告)号：CN109326607A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810865994.1
申请日：2018-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 一种三维半导体器件包括：栅电极，其包括焊盘区域，所述焊盘区域沿第一方向依次降低第一阶梯部分并且沿垂直于所述第一方向的第二方向依次降低第二阶梯部分，所述第二阶梯部分低于所述第一阶梯部分，其中，在依次降低所述第二阶梯部分的焊盘区域之中的单个焊盘区域沿所述第二方向的长度小于所述焊盘区域中的剩余焊盘区域沿所述第二方向的长度。
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