公开(公告)号：CN109326607A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810865994.1

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李呈焕 ,  金知勇 ,  尹石重 ,  李知泫

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种三维半导体器件包括：栅电极，其包括焊盘区域，所述焊盘区域沿第一方向依次降低第一阶梯部分并且沿垂直于所述第一方向的第二方向依次降低第二阶梯部分，所述第二阶梯部分低于所述第一阶梯部分，其中，在依次降低所述第二阶梯部分的焊盘区域之中的单个焊盘区域沿所述第二方向的长度小于所述焊盘区域中的剩余焊盘区域沿所述第二方向的长度。

公开(公告)号：CN109326607B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201810865994.1

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李呈焕 ,  金知勇 ,  尹石重 ,  李知泫

IPC: H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 一种三维半导体器件包括：栅电极，其包括焊盘区域，所述焊盘区域沿第一方向依次降低第一阶梯部分并且沿垂直于所述第一方向的第二方向依次降低第二阶梯部分，所述第二阶梯部分低于所述第一阶梯部分，其中，在依次降低所述第二阶梯部分的焊盘区域之中的单个焊盘区域沿所述第二方向的长度小于所述焊盘区域中的剩余焊盘区域沿所述第二方向的长度。