半导体存储器装置及其制造方法和包括其的电子系统

    公开(公告)号:CN116390494A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202211677224.7

    申请日:2022-12-26

    Abstract: 提供一种半导体装置和电子系统。半导体装置包括:单元衬底,其包括单元阵列区和围绕单元阵列区的延伸区;模制结构,其包括顺序堆叠在单元衬底上的栅电极;沟道结构,其设置在单元阵列区上并与栅电极交叉;位线,其连接到沟道结构中的至少一些;块隔离区,其切割模制结构;源极层,其设置在单元衬底和模制结构之间,并连接到沟道结构中的每一个的侧表面;支撑层,其在单元衬底和源极层的上表面上设置在源极层和模制结构之间。支撑层包括单元衬底的上表面上的支撑结构。支撑结构包括围绕单元阵列区的外围部分和设置在延伸区上的网格部分。

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