公开(公告)号：CN118354603A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410035672.X

申请日：2024-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信焕 ,  李璿婴

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/10 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/10 ,  G11C5/02

Abstract: 一种垂直非易失性存储器件，包括：存储单元区域，所述存储单元区域包括在垂直方向上彼此交叠的多条栅极线以及使多条栅极线在垂直方向上彼此绝缘的绝缘层；延伸区域，延伸区域位于存储单元区域的一侧，延伸区域包括具有多个凸起焊盘的第一多个阶梯连接部，每一个凸起焊盘一体地连接到多条栅极线中的相应栅极线；外围电路结构，外围电路结构位于存储单元区域和延伸区域的下部中，外围电路结构包括外围电路布线层；贯通型单元接触图案，贯通型单元接触图案在延伸区域中穿透多条栅极线、绝缘层和第一多个阶梯连接部；以及贯通型单元接触监测图案，所述贯通型单元接触监测图案在延伸区域中与贯通型单元接触图案间隔开。

公开(公告)号：CN109087919B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201810534936.0

申请日：2018-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具利恩 ,  郑在皓 ,  梁宇成 ,  李呈焕 ,  卢仁洙 ,  李璿婴

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/10

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，具有存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的焊盘区域，所述焊盘区域可以包括第一焊盘区域、在存储器单元区域和第一焊盘区域之间的第二焊盘区域、以及第一焊盘区域和第二焊盘区域之间的缓冲区域。分离源极结构可以包括在半导体器件的平面图中彼此平行的第一部分和第二部分。第一源极结构和第二源极结构可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间。栅极组可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间存储器单元区域和焊盘区域中，其中第一源极结构和第二源极结构的每个端部具有平面形状，且每个端部的宽度随着每个端部朝向另一端部的延伸而增大然后减小。

公开(公告)号：CN115605025A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210790701.4

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李璿婴 ,  姜信焕 ,  白石千

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  H01L23/522

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域、第二区域和第三区域；外围电路结构，在衬底上并且包括外围电路和连接到外围电路的多个布线层；公共源极板，在外围电路结构上并且在水平方向上延伸；第一区域和第二区域上的公共源极板上的栅极电极，在与衬底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开，该栅极电极在第二区域上具有阶梯形状；沟道结构，在第一方向上延伸通过第一区域上的栅极电极；第一导电导通孔，穿透第三区域上的公共源极板并且电连接到多个布线层；以及虚设绝缘柱，与第三区域上的第一导电导通孔相邻并且连接到公共源极板的上表面。

公开(公告)号：CN109087919A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810534936.0

申请日：2018-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具利恩 ,  郑在皓 ,  梁宇成 ,  李呈焕 ,  卢仁洙 ,  李璿婴

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11568

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，具有存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的焊盘区域，所述焊盘区域可以包括第一焊盘区域、在存储器单元区域和第一焊盘区域之间的第二焊盘区域、以及第一焊盘区域和第二焊盘区域之间的缓冲区域。分离源极结构可以包括在半导体器件的平面图中彼此平行的第一部分和第二部分。第一源极结构和第二源极结构可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间。栅极组可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间存储器单元区域和焊盘区域中，其中第一源极结构和第二源极结构的每个端部具有平面形状，且每个端部的宽度随着每个端部朝向另一端部的延伸而增大然后减小。

公开(公告)号：CN116390494A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211677224.7

申请日：2022-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李呈焕 ,  李璿婴 ,  郑錫和

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/10

Abstract: 提供一种半导体装置和电子系统。半导体装置包括：单元衬底，其包括单元阵列区和围绕单元阵列区的延伸区；模制结构，其包括顺序堆叠在单元衬底上的栅电极；沟道结构，其设置在单元阵列区上并与栅电极交叉；位线，其连接到沟道结构中的至少一些；块隔离区，其切割模制结构；源极层，其设置在单元衬底和模制结构之间，并连接到沟道结构中的每一个的侧表面；支撑层，其在单元衬底和源极层的上表面上设置在源极层和模制结构之间。支撑层包括单元衬底的上表面上的支撑结构。支撑结构包括围绕单元阵列区的外围部分和设置在延伸区上的网格部分。

公开(公告)号：CN116264771A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211597849.2

申请日：2022-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼求 ,  朱相暾 ,  金俊成 ,  朴正焕 ,  文瑞琳 ,  白石千 ,  柳铁 ,  李璿婴 ,  林澈敏

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B41/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括第一块区域和第二块区域；以及堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的绝缘膜和栅电极。竖直沟道结构、字线切割结构和块切割结构可以穿透堆叠结构。字线切割结构可以沿第二方向延伸。块切割结构可以沿第一方向延伸，连接到字线切割结构，并且限定第一块区域和第二块区域。块切割结构可以包括连接到字线切割结构的第一部分和连接到第一部分的第二部分。从平面的角度看，第一部分可以包括在第一方向上不与第二部分重叠的至少一部分和在第一方向上不与字线切割结构重叠的至少一个区域。