公开(公告)号：CN109087919B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201810534936.0

申请日：2018-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具利恩 ,  郑在皓 ,  梁宇成 ,  李呈焕 ,  卢仁洙 ,  李璿婴

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/10

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，具有存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的焊盘区域，所述焊盘区域可以包括第一焊盘区域、在存储器单元区域和第一焊盘区域之间的第二焊盘区域、以及第一焊盘区域和第二焊盘区域之间的缓冲区域。分离源极结构可以包括在半导体器件的平面图中彼此平行的第一部分和第二部分。第一源极结构和第二源极结构可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间。栅极组可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间存储器单元区域和焊盘区域中，其中第一源极结构和第二源极结构的每个端部具有平面形状，且每个端部的宽度随着每个端部朝向另一端部的延伸而增大然后减小。

公开(公告)号：CN109087919A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810534936.0

申请日：2018-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具利恩 ,  郑在皓 ,  梁宇成 ,  李呈焕 ,  卢仁洙 ,  李璿婴

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11568

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，具有存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的焊盘区域，所述焊盘区域可以包括第一焊盘区域、在存储器单元区域和第一焊盘区域之间的第二焊盘区域、以及第一焊盘区域和第二焊盘区域之间的缓冲区域。分离源极结构可以包括在半导体器件的平面图中彼此平行的第一部分和第二部分。第一源极结构和第二源极结构可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间。栅极组可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间存储器单元区域和焊盘区域中，其中第一源极结构和第二源极结构的每个端部具有平面形状，且每个端部的宽度随着每个端部朝向另一端部的延伸而增大然后减小。