公开(公告)号：CN116264771A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211597849.2

申请日：2022-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼求 ,  朱相暾 ,  金俊成 ,  朴正焕 ,  文瑞琳 ,  白石千 ,  柳铁 ,  李璿婴 ,  林澈敏

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B41/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括第一块区域和第二块区域；以及堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的绝缘膜和栅电极。竖直沟道结构、字线切割结构和块切割结构可以穿透堆叠结构。字线切割结构可以沿第二方向延伸。块切割结构可以沿第一方向延伸，连接到字线切割结构，并且限定第一块区域和第二块区域。块切割结构可以包括连接到字线切割结构的第一部分和连接到第一部分的第二部分。从平面的角度看，第一部分可以包括在第一方向上不与第二部分重叠的至少一部分和在第一方向上不与字线切割结构重叠的至少一个区域。