公开(公告)号：CN115605025A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210790701.4

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李璿婴 ,  姜信焕 ,  白石千

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  H01L23/522

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域、第二区域和第三区域；外围电路结构，在衬底上并且包括外围电路和连接到外围电路的多个布线层；公共源极板，在外围电路结构上并且在水平方向上延伸；第一区域和第二区域上的公共源极板上的栅极电极，在与衬底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开，该栅极电极在第二区域上具有阶梯形状；沟道结构，在第一方向上延伸通过第一区域上的栅极电极；第一导电导通孔，穿透第三区域上的公共源极板并且电连接到多个布线层；以及虚设绝缘柱，与第三区域上的第一导电导通孔相邻并且连接到公共源极板的上表面。