公开(公告)号：CN115602562A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210805150.4

申请日：2022-07-08

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李呈焕 ,  林珍洙

IPC: H01L21/66 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G11C16/04 ,  G11C16/24 ,  H01L23/544

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的非易失性存储系统。该非易失性存储器件包括：第一堆叠，其中第一导电图案和第一电介质层在第一方向上交替堆叠在基板上；第二堆叠，其中第二导电图案和第二电介质层与基板相反地在第一方向上交替堆叠在第一堆叠上；在第一方向上穿透第一堆叠的第一监测沟道结构；以及在第一方向上穿透第二堆叠并且在第一监测沟道结构上的第二监测沟道结构。第一监测沟道结构的与基板相反的顶部的宽度小于第二监测沟道结构的与第一监测沟道结构的顶部相邻的底部的宽度。