-
公开(公告)号：CN119677108A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410940004.1
申请日：2024-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括其的数据存储系统。一种半导体器件包括：堆叠结构，在第一区域和第二区域中，包括在第一方向上彼此间隔开的栅电极；分隔区域，在第一区域和第二区域中，延伸穿过堆叠结构并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；多个沟道结构，在第一区域的单元区域中，延伸穿过堆叠结构；多个虚设沟道结构，在第一区域的缓冲区域中，延伸穿过堆叠结构；以及多个支撑结构，在第二区域中，延伸穿过堆叠结构。第一区域和第二区域在第二方向上依次布置。分隔区域包括在第三方向上彼此相邻的第一分隔区域和第二分隔区域。在第一分隔区域和第二分隔区域之间，虚设沟道结构包括具有不同长度的第一虚设组和第二虚设组。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
