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公开(公告)号：CN108305925A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810030167.0
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN108231774A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711274103.7
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L23/147 , H01L21/76205 , H01L21/76227 , H01L21/76229 , H01L27/10894 , H01L27/108
Abstract: 本公开提供了具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的基板。沟槽形成在半导体层内。填充绝缘膜设置在沟槽内。插入衬层设置在填充绝缘膜内。插入衬层与半导体层间隔开并沿着沟槽的底表面延伸。
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公开(公告)号：CN106449926A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610632770.7
申请日：2016-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L33/38 , H01L33/0075 , H01L33/14
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件和一种制造半导体发光器件的方法。所述半导体发光器件包括：半导体层压板，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层，第二导电半导体层和有源层限定暴露第一导电半导体层的第一部分的第一沟槽和暴露第一导电半导体层的第二部分的第二沟槽；第一指形电极，其设置在第一沟槽中的第一导电半导体层的暴露部分上；绝缘层，其设置在第二沟槽的内表面上；以及第二指形电极，其设置在第二沟槽中的绝缘层上，并且电连接至第二导电半导体层。
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公开(公告)号：CN102106009B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200980126051.6
申请日：2009-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
Abstract: 提供了一种波长转换发光二极管(LED)芯片。所述波长转换LED芯片包括LED芯片和波长转换层。所述LED芯片发射预定波长区域内的光。所述波长转换层由含有至少一种磷光体的树脂形成，所述至少一种磷光体将从所述LED芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光。所述波长转换层形成在所述LED芯片的上表面上，并具有凸弯月面形上表面。
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公开(公告)号：CN101236728A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810085683.X
申请日：2008-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3406 , G09G2320/0646 , G09G2360/144 , G09G2360/16
Abstract: 一种用于控制一显示设备中背光的亮度的方法和电路。所述电路包括一背光亮度选择模块，其测量环境光的亮度以及基于所述测量的环境光的亮度选择所述背光的亮度信息。一图像处理模块，基于所述测量的环境光的亮度对接收到的图像信号执行图像处理，并且基于所述图像处理结果和所述接收到的图像信号计算所述接收到的图像信号的图像处理增益。一背光调整单元基于所述选择的背光亮度信息和所述图像处理增益控制所述背光的亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1598934A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410079473.1
申请日：2004-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0903 , G11B2007/0006
Abstract: 在多种盘格式的盘上形成光束的方法和系统中，主光束被照射到所述盘上。侧光束被距离主光束一位移而照射到所述盘上，其中所述的位移是多种盘格式的各自轨道间距的LCM(最小公倍数)距离。跟踪伺服机构，对于所述的多种盘格式使用这些主光束和侧光束稳定运行。
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公开(公告)号：CN1422088A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02154729.7
申请日：2002-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04W8/10 , H04W8/18 , H04W8/20 , H04W68/12 , H04W76/20 , H04W84/105 , H04W88/14 , H04W92/02 , H04W92/14
Abstract: 一种在公用陆地移动通信网与有线和无线专用网协作的网络中匹配用户状态的设备、方法和系统。该系统通过允许专用网向公用网发送移动站的状态信息匹配公用网的用户状态信息与专用网的用户状态信息，该移动站位于公用和专用小区区域。该方法包括以下步骤：a)允许专用网检查位于公用和专用小区的移动站的状态，并向公用网发送与该移动站有关的用户状态信息；和b)允许公用网接收用户状态信息并更新访问者位置寄存器中该移动站的状态。当移动站的状态变化或当来自公用网的输入信号指向处于局域呼叫连接状态的移动站时进行步骤a)。
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公开(公告)号：CN1205480A
公开(公告)日：1999-01-20
申请号：CN98102910.8
申请日：1998-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李东烈
IPC: G06F13/22
CPC classification number: H04N1/00702 , H04N1/00681 , H04N1/00745 , H04N1/00769 , H04N1/00779
Abstract: 一种检测打印介质前缘的方法,包括:首先以预定速度驱动换行电动机;以细条为单位扫描并存储打印纸的一个数据块;根据扫描和存储的数据判断打印纸的前缘;根据前缘判断结果计算打印纸位置,并据此计算换行电动机的驱动值;而后根据计算的驱动值再次驱动换行电动机。扫描数据块的数据是这样存储的;一条指定水平线的像素数据的扫描级被有次序地存储在一个地址存储器中。打印纸前缘判断步骤搜寻一个特定边界,在扫描和存储步骤中绝对黑和绝对白的像素数据值出现在此边界两侧。
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公开(公告)号：CN103208283B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201310011801.3
申请日：2013-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了使用语音识别执行用户功能的方法及装置。该方法包括：显示用户功能执行屏幕；确认要按照语音输入执行的功能；将与所确认的功能相对应的语音命令显示在用户功能执行屏幕上；在连续接收语音识别执行请求的同时，识别用户的语音输入；以及当识别的语音命令是显示的语音命令中的至少一个时，执行与输入的语音命令相联系的功能。
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公开(公告)号：CN108155189A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711247712.3
申请日：2017-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/522 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L29/0649 , H01L29/4983
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极，外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区；在外围电路区上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成第一金属层；在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽设置在第二杂质区与第三杂质区之间并暴露层间绝缘膜；在第一沟槽上形成第一盖图案以在第一沟槽中形成气隙；用第一绝缘材料填充第二沟槽；以及在第一金属层上形成连接到第三杂质区的接触。
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