-
公开(公告)号：CN108987477B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201810509771.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 可以提供一种垂直隧穿场效应晶体管(VTFET)及其方法，所述VTFET包括：从包括源极/漏极区域的衬底突出的鳍结构；所述鳍结构上的外延生长的源极/漏极结构；包括柱部的帽，所述柱部覆盖所述外延生长的源极/漏极结构的侧表面并且部分覆盖所述鳍结构的上部的侧表面；栅极绝缘体，所述栅极绝缘体覆盖所述帽的所述柱部下方的所述鳍结构的侧表面的剩余部分；所述栅极绝缘体上的功函数金属栅极；以及分离图案，所述分离图案围绕鳍结构的下部使得所述功函数金属栅极垂直地位于所述帽与所述分离图案之间，所述分离图案将所述功函数金属栅极与所述源极/漏极区域电隔离。
-
-
公开(公告)号：CN105047698B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201510136837.3
申请日：2015-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本公开提供了半导体器件。该半导体器件可以包括：场绝缘层，在衬底的顶表面上并包括限定在该场绝缘层中的在第一方向上延伸的沟槽；鳍型有源图案，从所述衬底的所述顶表面延伸并穿过限定在所述场绝缘层中的所述沟槽，所述鳍型有源图案包括接触所述衬底的第一下图案和接触所述第一下图案且从所述衬底突出得比所述场绝缘层远的第一上图案，所述第一上图案包括与所述第一下图案不同的晶格改变材料，所述鳍型有源图案包括第一鳍部分以及在所述第一鳍部分的在所述第一方向上的两侧的第二鳍部分；以及第一栅电极，交叉所述鳍型有源图案并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。
-
公开(公告)号：CN107039444A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610989840.4
申请日：2016-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11568
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L27/092 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L29/41775 , H01L27/11568
Abstract: 一种静态随机存取存储器装置包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，所述第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管分别用作通门晶体管、下拉晶体管及上拉晶体管。每一晶体管的沟道区可包括垂直堆叠在衬底上的多个半导体片材。用作第一晶体管的沟道区及第二晶体管的沟道区的半导体片材可具有比用作第三晶体管的沟道区的半导体片材大的宽度。
-
公开(公告)号：CN105047698A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510136837.3
申请日：2015-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本公开提供了半导体器件。该半导体器件可以包括：场绝缘层，在衬底的顶表面上并包括限定在该场绝缘层中的在第一方向上延伸的沟槽；鳍型有源图案，从所述衬底的所述顶表面延伸并穿过限定在所述场绝缘层中的所述沟槽，所述鳍型有源图案包括接触所述衬底的第一下图案和接触所述第一下图案且从所述衬底突出得比所述场绝缘层远的第一上图案，所述第一上图案包括与所述第一下图案不同的晶格改变材料，所述鳍型有源图案包括第一鳍部分以及在所述第一鳍部分的在所述第一方向上的两侧的第二鳍部分；以及第一栅电极，交叉所述鳍型有源图案并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108807277B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810374721.7
申请日：2018-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种栅极环绕半导体器件及其制作方法。所述方法包括：提供如下所述的半导体衬底，栅极开口包括有源鳍与一个相邻的栅极环绕沟道之间以及两个相邻的栅极环绕沟道之间的栅极空间；在第一及第二区中在栅极开口的底部及侧壁上及在栅极环绕沟道上及围绕栅极环绕沟道形成填充栅极空间的第一部分的介电层；在第一及第二区中在介电层上形成填充栅极空间的第一功函数金属；在第一及第二区中形成第一碳基掩模以覆盖栅极环绕沟道；在第一及第二区中在第一碳基掩模上形成第二碳基掩模至高于栅极开口；移除第二区中的第一及第二碳基掩模；使用第一及第二碳基掩模进行蚀刻移除第二区中的第一功函数金属；移除第一及第二碳基掩模；形成第二功函数金属。
-
公开(公告)号：CN110400803B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910747785.1
申请日：2014-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/423 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，提供在第一区上以包括从衬底突出的第一沟道区；以及第二晶体管，提供在第二区上以包括第二沟道区和在衬底与第二沟道区之间延伸的栅电极。第一沟道区可以包括包含与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。
-
公开(公告)号：CN114628393A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111374019.9
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元在第一方向上彼此相邻；第一至第四存储鳍，在第一存储单元中在第一方向上彼此相邻，第一至第四存储鳍从衬底突出；第五至第八存储鳍，在第二存储单元中在第一方向上彼此相邻，第五至第八存储鳍从衬底突出；以及第一浅器件隔离层，在第四存储鳍和第五存储鳍之间，第一浅器件隔离层的侧壁具有拐点。
-
公开(公告)号：CN111952372A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010315750.3
申请日：2020-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；在所述第一区域上沿第一方向间隔开的第一鳍组，每个所述第一鳍组包括在与所述第一方向相交的第二方向上纵长地延伸的相邻的第一鳍和第二鳍；以及在所述第二区域上沿第三方向间隔开的第三鳍至第五鳍，所述第三鳍至所述第五鳍在与所述第三方向相交的第四方向上纵长地延伸。所述第三鳍至所述第五鳍具有第一节距，所述第一鳍和所述第二鳍具有等于或小于所述第一节距的第二节距，相邻的所述第一鳍组具有大于所述第一节距的三倍且小于所述第一节距的四倍的第一组节距，并且所述第一鳍的宽度和所述第二鳍的宽度与所述第三鳍的宽度相同。
-
公开(公告)号：CN110400803A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910747785.1
申请日：2014-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/423 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，提供在第一区上以包括从衬底突出的第一沟道区；以及第二晶体管，提供在第二区上以包括第二沟道区和在衬底与第二沟道区之间延伸的栅电极。第一沟道区可以包括包含与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.023 seconds)
