-
-
公开(公告)号：CN113964269A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111189869.1
申请日：2018-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02
Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间，电介质层包括铪和锆中至少之一；第一插入层，设置在第一电极和电介质层之间；以及第二插入层，设置在电介质层和第二电极之间。第一插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第一导电材料。第二插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第二导电材料。第一导电材料和第二导电材料各自的晶格常数与电介质层的电介质材料的水平晶格常数具有2％或更小的晶格失配。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109841622A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810936865.7
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。所述半导体存储器件包括位于衬底上的第一电极、位于衬底上的第二电极、位于第一电极与第二电极之间的介电层结构以及位于介电层结构与第一电极之间的结晶诱导层。介电层结构包括第一介电层和位于第一介电层上的第二介电层，第一介电层包括第一介电材料，第二介电层包括第二介电材料。
-
-
公开(公告)号：CN113764417A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110262666.4
申请日：2021-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件包括：导电柱，在半导体衬底上；第一支撑图案，所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接，所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的侧表面的第二部分的第一支撑孔；封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案，所述导电柱的侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。
-
公开(公告)号：CN109216328A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810705802.0
申请日：2018-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L29/517 , H01L21/76221 , H01L27/10852 , H01L28/90 , H01L29/0649 , H01L29/152 , H01L29/518 , H01L28/56 , H01L23/642
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括铪氧化物层和氧化籽晶层，铪氧化物层包含具有四方晶体结构的铪氧化物，氧化籽晶层包含氧化籽晶材料。氧化籽晶材料具有一晶格常数，该晶格常数与具有四方晶体结构的铪氧化物的水平晶格常数和垂直晶格常数中的一个拥有6％或更小的晶格失配。
-
公开(公告)号：CN108807345A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810369447.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02244 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02356 , H01L21/02362 , H01L28/91 , H01L28/40 , H01G4/10
Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.031 seconds)
