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公开(公告)号：CN109962081B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201811207297.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种发光器件封装包括：第一波长转换部和第二波长转换部，转换入射光的波长以提供具有转换波长的光；透光分隔结构，沿着厚度方向沿着第一波长转换部和第二波长转换部的侧表面延伸，以将第一波长转换部和第二波长转换部沿着与厚度方向相交的方向分离；以及包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件的单元阵列，沿着厚度方向分别与第一波长转换部、第二波长转换部和透光分隔结构重叠。
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公开(公告)号：CN109121318B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810635217.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种芯片安装方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括具有第一表面和第二表面的透光衬底、提供在第一表面上的牺牲层、以及接合到牺牲层的多个芯片；通过测试所述芯片来获得第一映射数据，所述第一映射数据定义所述芯片中的正常芯片和有缺陷的芯片的坐标；将第二衬底布置在第一表面下方；基于第一映射数据，通过向牺牲层的与正常芯片的坐标对应的位置处辐射第一激光束以移除牺牲层的一部分，从而将正常芯片与透光衬底分离，来将正常芯片布置在所述第二基底上；并且通过向第二衬底的焊料层辐射第二激光束而将正常芯片安装在第二衬底上。
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公开(公告)号：CN108695355B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201810234077.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：多个发光单元，其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；绝缘层，其位于所述多个发光单元上，并且在所述多个发光单元中的每一个中，绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区；连接电极，其位于绝缘层上，并且将第一接触区与第二接触区连接，以将所述多个发光单元彼此电连接；透明支承衬底，其位于绝缘层和连接电极上；以及透明键合层，其位于绝缘层与透明支承衬底之间。
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公开(公告)号：CN111146230A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911069059.5
申请日：2019-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了发光二极管模块和显示装置。所述发光二极管模块包括：单元阵列，包括第一至第四发光二极管单元，每个发光二极管单元具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，所述单元阵列具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；第一至第四调光部分，位于单元阵列的第二表面上以分别对应于第一至第四发光二极管单元，以分别提供红光、第一绿光、第二绿光和蓝光；光阻挡壁，位于第一至第四调光部分之间以将第一至第四调光部分彼此隔离；以及电极部分，位于单元阵列的第一表面上，并且电连接到第一至第四发光二极管单元以选择性地驱动第一至第四发光二极管单元。
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公开(公告)号：CN109121318A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810635217.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种芯片安装方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括具有第一表面和第二表面的透光衬底、提供在第一表面上的牺牲层、以及接合到牺牲层的多个芯片；通过测试所述芯片来获得第一映射数据，所述第一映射数据定义所述芯片中的正常芯片和有缺陷的芯片的坐标；将第二衬底布置在第一表面下方；基于第一映射数据，通过向牺牲层的与正常芯片的坐标对应的位置处辐射第一激光束以移除牺牲层的一部分，从而将正常芯片与透光衬底分离，来将正常芯片布置在所述第二基底上；并且通过向第二衬底的焊料层辐射第二激光束而将正常芯片安装在第二衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105765741B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201480065440.3
申请日：2014-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/0079 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一个实施例提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基础层，其由第一导电类型的半导体构成；绝缘层，其形成在基础层上并且具有暴露出基础层的部分区域的多个开口；纳米核，其形成在基础层的暴露的区域中的每一个上，由第一导电类型的半导体构成，并且具有晶面与其侧表面的晶面不同的上端部分；在纳米核的表面上接连形成的有源层和第二导电类型的半导体层；以及电流阻挡中间层，其形成在纳米核的上端部分上，以位于有源层与纳米核之间。
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公开(公告)号：CN105280761B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510266211.4
申请日：2015-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体发光器件的方法，该方法可包括步骤：形成具有暴露出基本层的一些部分的多个开口的掩模层和模型层；形成多个第一导电类型的半导体芯，每个第一导电类型的半导体芯包括从基本层延伸穿过每个开口的主体部分和设置在主体部分上并具有圆锥形状的末端部分；以及在所述多个第一导电类型的半导体芯中的每一个上形成有源层和第二导电类型的半导体层。形成所述多个第一导电类型的半导体芯的步骤可包括步骤：形成第一区域，以使得末端部分的顶点位于主体部分的中心竖直轴线上；去除模型层；以及在第一区域上形成额外生长区域，以使得主体部分具有六棱柱形状。
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公开(公告)号：CN103426988A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310189914.2
申请日：2013-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/405 , Y10S977/762
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：衬底和在衬底上彼此间隔的纳米结构。纳米结构包括第一导电类型半导体层芯、有源层和第二导电类型半导体层。填充物填充纳米结构之间的空间并且形成为低于多个纳米结构。电极形成为覆盖纳米结构的上部和纳米结构的部分侧面并且电连接至第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN114429965A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111273878.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备，包括：电路板，包括驱动电路；像素阵列，包括位于电路板上的多个像素以及光阻挡分隔件，每个像素包括多个子像素且光阻挡分隔件位于多个子像素之间。多个子像素中的每一个包括配置为产生第一波长的光的下发光二极管(LED)单元。第一子像素包括位于第一下LED单元上的透明树脂结构，第二子像素包括位于第二下LED单元上的单元间绝缘层和具有位于单元间绝缘层上并配置为产生第二波长的光的第二半导体堆叠件的上LED单元，且第三子像素包括位于第三下LED单元上并配置为将第一波长的光转换为第三波长的光的波长转换结构。
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公开(公告)号：CN107086226B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201710066413.3
申请日：2017-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发光二极管模块、显示面板或其它设备的像素可以包括不同颜色的子像素，子像素之一包括诸如磷光体的波长转换材料，以便将从子像素的关联发光二极管发射的光转换为除了从子像素发射的光的主色之外的颜色。波长转换材料可以具有为调谐像素的颜色坐标而选择的量。可以响应于对其上要形成波长转换材料的子像素或类似制造的子像素的发光二极管所发射的光的光谱强度接近性测量，来确定波长转换材料的量。还公开了其制造方法。
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