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公开(公告)号：CN116096091A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211222032.7
申请日：2022-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括包含单元区域和外围电路区域的第一基底和第二基底、第一栅电极结构和第二栅电极结构、第一沟道和第二沟道以及第一晶体管至第三晶体管。第一栅电极结构和第二栅电极结构在竖直方向上包括第一栅电极和第二栅电极。第一沟道和第二沟道延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构。第一晶体管在外围电路区域上。第二栅电极结构在第一栅电极结构和第一晶体管上。第二晶体管和第三晶体管在第二栅电极结构上。第二基底在第二晶体管和第三晶体管上。第一沟道和第二沟道彼此不直接接触，彼此电连接，并且从第二晶体管接收电信号。第一晶体管和第三晶体管将电信号施加到第一栅电极和第二栅电极结构。
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公开(公告)号：CN115623785A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210811817.1
申请日：2022-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：电路器件，位于第一衬底上；下互连结构，电连接到电路器件；下接合结构，连接到下互连结构；上接合结构，位于下接合结构上；上互连结构，连接到上接合结构；第二衬底，位于上互连结构上；栅电极，位于上互连结构与第二衬底之间；沟道结构，贯穿栅电极，并且沟道结构中的每一个包括沟道层；通孔图案，位于第二衬底上；源极接触插塞，在第二衬底的外侧与第二衬底间隔开，并且具有高于第二衬底的上表面和低于最下面栅电极的下表面；以及源极连接图案，与通孔图案中的每一个的上表面和源极接触插塞的上表面接触。
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公开(公告)号：CN113053911A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011558824.2
申请日：2020-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件包括：第一基板，包括单元区域和围绕单元区域的延伸区域；在第一基板上的公共源极板；在公共源极板上的支撑件；第一堆叠结构，在支撑件上并包括交替地堆叠的第一绝缘膜和第一栅电极；沟道孔，在单元区域上穿透第一堆叠结构、支撑件和公共源极板；以及电极隔离沟槽，在单元区域上在第一方向上与沟道孔间隔开，在第二方向上延伸，并穿透第一堆叠结构、支撑件和公共源极板，其中在与电极隔离沟槽相邻的第一区域中的支撑件的第一厚度大于形成在电极隔离沟槽与沟道孔之间的第二区域中的支撑件的第二厚度。
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公开(公告)号：CN111354735B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201910752389.8
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和扩展区域；沟道结构，设置在单元区域中且在基本垂直于基底的上表面的第一方向上延伸；栅电极层，围绕沟道结构，并且堆叠成在第一方向上彼此分隔开且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及字线切口，在第一方向上切割栅电极层且在第二方向上连续延伸。至少一个字线切口是具有扩展部分的扩展字线切口，该扩展部分在沿第二方向延伸的预定区域中具有位于与至少一个字线切口同一水平处的剩余的字线切口的面积不同的面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117135926A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202211679497.5
申请日：2022-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/27 , H10B43/35 , H01L21/768
Abstract: 公开了三维半导体存储器件和电子系统。三维半导体存储器件包括：第一衬底，包括单元阵列区和接触区；在第一衬底上的外围电路结构；在外围电路结构上的单元阵列结构，其中，单元阵列结构包括交替堆叠的层间介电层和栅电极、在堆叠结构上的介电层、以及在堆叠结构上的第二衬底；模制结构，贯穿堆叠结构并包括电介质材料；以及第一贯通结构和第二贯通结构，贯穿模制结构并且彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN116896891A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310324949.6
申请日：2023-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。该半导体器件包括：第一半导体结构，包括下接合结构；以及第二半导体结构，包括设置在第一半导体结构上的第二基板、在垂直于第二基板的下表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开的栅电极、接合到下接合结构的上接合结构、设置在第二基板的上表面上并电连接到沟道层且包括金属材料的板导电层、以及穿透全部栅电极并在垂直于第一方向的第二方向上延伸的隔离结构。隔离结构包括垂直导电层，该垂直导电层从板导电层延伸并与板导电层集成，并且包括与板导电层的金属材料相同的金属材料。
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公开(公告)号：CN116171046A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211496656.8
申请日：2022-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体存储器件具有外围逻辑结构，该外围逻辑结构包括外围逻辑衬底和外围逻辑衬底上的外围逻辑绝缘膜。单元阵列结构包括顺序堆叠在外围逻辑结构上的单元衬底和源极结构。旁路过孔将单元衬底和外围逻辑衬底电连接。旁路过孔在单元衬底上具有在第一方向和第二方向中的至少一个方向上延伸的线形。第一方向和第二方向平行于单元衬底的上表面。
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公开(公告)号：CN115332266A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210433790.7
申请日：2022-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11578
Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和第二基底结构，第一基底结构包括基底、电路元件和第一键合金属层，第二基底结构连接到第一基底结构。第二基底结构包括：板层；栅电极，在第一方向上堆叠在板层下方；分离区域，穿透栅电极并且在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；绝缘区域，从板层的上表面延伸并且穿透板层和在分离区域之间的栅电极中的至少一个；以及第二键合金属层，连接到第一键合金属层。绝缘区域具有倾斜的侧表面，使得绝缘区域的宽度在朝向第一基底结构的方向上减小。
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公开(公告)号：CN115020417A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210194758.8
申请日：2022-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11529 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11573
Abstract: 提供半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。所述半导体器件包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一衬底、位于所述第一衬底上的电路器件、位于所述电路器件上的下互连结构和电连接到所述下互连结构的下接合结构；以及第二半导体结构，所述第二半导体结构设置在所述第一半导体结构上，并且包括第二衬底、在与所述第二衬底的下表面垂直的第一方向上堆叠并彼此间隔开的栅电极、穿过所述栅电极并在所述第一方向上延伸的沟道结构以及电连接到所述栅电极和所述沟道结构并接合到所述下接合结构的上接合结构。所述第二半导体结构还包括连接到所述第二衬底的上部的第一通路、与所述第一通路和所述第二衬底间隔开的第二通路以及接触插塞。
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