公开(公告)号：CN111354735A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910752389.8

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英宇 ,  权俊瑛 ,  李呈焕 ,  成政泰 ,  申智敏

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和扩展区域；沟道结构，设置在单元区域中且在基本垂直于基底的上表面的第一方向上延伸；栅电极层，围绕沟道结构，并且堆叠成在第一方向上彼此分隔开且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及字线切口，在第一方向上切割栅电极层且在第二方向上连续延伸。至少一个字线切口是具有扩展部分的扩展字线切口，该扩展部分在沿第二方向延伸的预定区域中具有位于与至少一个字线切口同一水平处的剩余的字线切口的面积不同的面积。

公开(公告)号：CN111354735B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201910752389.8

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英宇 ,  权俊瑛 ,  李呈焕 ,  成政泰 ,  申智敏

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/10

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和扩展区域；沟道结构，设置在单元区域中且在基本垂直于基底的上表面的第一方向上延伸；栅电极层，围绕沟道结构，并且堆叠成在第一方向上彼此分隔开且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及字线切口，在第一方向上切割栅电极层且在第二方向上连续延伸。至少一个字线切口是具有扩展部分的扩展字线切口，该扩展部分在沿第二方向延伸的预定区域中具有位于与至少一个字线切口同一水平处的剩余的字线切口的面积不同的面积。