制造半导体封装的方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107564894B

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN201710513118.8

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种制造半导体封装的方法,该方法包括:形成至少两个部分封装芯片叠层,每个部分封装芯片叠层包括每个包含多个基板通孔(TSV)的至少两个半导体芯片,并包括围绕所述至少两个半导体芯片的侧表面的第一模制层;以及在垂直于封装基板的顶表面的方向上在封装基板上顺序地安装所述至少两个部分封装芯片叠层,使得所述至少两个部分封装芯片叠层包括第一部分封装芯片叠层和直接连接到第一部分封装芯片叠层的第二部分封装芯片叠层。

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