公开(公告)号：CN103531547A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310282434.0

申请日：2013-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张爱妮 ,  金泳龙 ,  张在权

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/488 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了半导体封装件及形成所述半导体封装件的方法。在所述半导体封装件和所述方法中，封装基板包括不与半导体芯片堆叠的孔。因此，可以在无空隙的情况下形成模制层。

公开(公告)号：CN110911427B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201910806045.0

申请日：2019-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在权 ,  李锡贤 ,  石敬林

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括：第一再分布层；位于第一再分布层上的第一半导体芯片；覆盖第一半导体芯片的模制层；围绕第一半导体芯片并连接到第一再分布层的多个金属柱；位于模制层上并连接到所述多个金属柱的第二再分布层；以及位于第二再分布层上的第二半导体芯片。金属柱延伸穿过模制层。当在俯视图中观察时，第二半导体芯片与第一半导体芯片和金属柱交叠。制造半导体封装件的方法从包括多个第一半导体芯片的第一衬底获得晶片图，以及使用晶片图在第一半导体芯片上选择性地堆叠第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN112670265A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010565305.2

申请日：2020-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锡贤 ,  金锺润 ,  张延镐 ,  张在权

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：半导体芯片；重新分布结构，位于半导体芯片下方；第一绝缘层，位于重新分布结构下方；垫，位于第一绝缘层下方，垫与重新分布结构接触；以及凸块，位于垫下方，其中，垫的上部的水平最大长度比垫的下部的水平最大长度大。

公开(公告)号：CN112447529A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010844089.5

申请日：2020-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镐 ,  朴镇右 ,  张在权 ,  全光宰

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/683

Abstract: 制造半导体封装件的方法可包括：在第一载体上形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成包括暴露第一阻挡层的至少一部分的开口的牺牲层；在第一阻挡层上和牺牲层上形成第二阻挡层。第二阻挡层可包括形成在牺牲层上的部分。所述方法还可包括在开口中形成第一绝缘层，第一绝缘层突出超过第二阻挡层的所述部分的顶表面，第一绝缘层的顶表面比第二阻挡层的所述部分的顶表面更远离第一阻挡层；在第一绝缘层上和第二阻挡层上形成包括再分布层和第二绝缘层的再分布结构；在再分布结构上安装半导体芯片；将第二载体附着到半导体芯片上并去除第一载体；去除第一阻挡层、牺牲层和第二阻挡层以暴露再分布结构的部分；和分别在再分布结构的所述部分上形成焊料球。

公开(公告)号：CN110911427A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910806045.0

申请日：2019-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在权 ,  李锡贤 ,  石敬林

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括：第一再分布层；位于第一再分布层上的第一半导体芯片；覆盖第一半导体芯片的模制层；围绕第一半导体芯片并连接到第一再分布层的多个金属柱；位于模制层上并连接到所述多个金属柱的第二再分布层；以及位于第二再分布层上的第二半导体芯片。金属柱延伸穿过模制层。当在俯视图中观察时，第二半导体芯片与第一半导体芯片和金属柱交叠。制造半导体封装件的方法从包括多个第一半导体芯片的第一衬底获得晶片图，以及使用晶片图在第一半导体芯片上选择性地堆叠第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN115206926A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210349940.6

申请日：2022-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄贤瀞 ,  石敬林 ,  李锡贤 ,  张在权

IPC: H01L23/498

Abstract: 公开了半导体封装件。半导体封装件包括：第一再分布基底，包括顺序地堆叠的第一互连层；半导体芯片，安装在第一再分布基底上；模制层，设置在第一再分布基底上并围绕半导体芯片；第二再分布基底，设置在模制层上并且包括顺序地堆叠的第二互连层；连接端子，设置在半导体芯片旁边以将第一再分布基底和第二再分布基底彼此连接；以及外部端子，设置在第一再分布基底的底表面上。第一互连层和第二互连层中的每个可以包括绝缘层和绝缘层中的布线图案。第一再分布基底可以具有与第二再分布基底的厚度基本相同的厚度，并且第一互连层可以比第二互连层薄。

公开(公告)号：CN112151461A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010272728.5

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟润 ,  朴正镐 ,  李锡贤 ,  张延镐 ,  张在权

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了一种半导体封装包括：重新分布结构，包括重新分布绝缘层和重新分布图案；第一半导体芯片，设置在重新分布绝缘层的第一表面上并电连接到重新分布图案；以及下电极焊盘，设置在重新分布绝缘层的与第一表面相对的第二表面上，下电极焊盘包括嵌入在重新分布绝缘层中的第一部分和从重新分布绝缘层的第二表面突出的第二部分，其中，下电极焊盘的第一部分的厚度大于下电极焊盘的第二部分的厚度。

公开(公告)号：CN120015729A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411501611.4

申请日：2024-10-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  星科金朋私人有限公司

Inventor： 金钟局 ,  权兴奎 ,  张政焕 ,  金永澈 ,  李春兴 ,  安旻基 ,  张在权 ,  崔幸喆 ,  崔熙正

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/16

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一再分布结构、设置在第一再分布结构上的第二再分布结构、设置在第二再分布结构的上表面上的半导体芯片、设置在第二再分布结构的下表面上的桥接芯片、设置在第一再分布结构与第二再分布结构之间的模制层、以及设置在第二再分布结构的上表面上的加强件，其中模制层围绕桥接芯片。加强件包括开口。半导体芯片设置在加强件的开口中。

公开(公告)号：CN112151464B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202010597544.6

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东奎 ,  朴正镐 ,  金钟润 ,  张延镐 ,  张在权

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：布置在衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；阻挡层，其布置在第一半导体芯片和第二半导体芯片上，并且包括开口，第一半导体芯片的至少一部分通过所述开口暴露出来；以及热传递部分，其布置在阻挡层上，沿着阻挡层的上表面延伸并且填充所述开口。

公开(公告)号：CN114267659A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202110824636.8

申请日：2021-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东奎 ,  李锡贤 ,  张延镐 ,  张在权

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装装置包括第一半导体封装件、第二半导体封装件和位于第一半导体封装件与第二半导体封装件之间的第一连接端子。第一半导体封装件包括：下再分布基板；半导体芯片，位于下再分布基板上；和上再分布基板，横跨半导体芯片与下再分布基板垂直间隔开。上再分布基板包括：电介质层；再分布图案，垂直堆叠在电介质层中，每个再分布图案包括线部分和通路部分；和焊盘，位于最上面的再分布图案上。接合焊盘从电介质层暴露，并且与第一连接端子接触。接合焊盘的直径沿着从上再分布基板的顶表面的中央部分到其顶表面的外围部分的第一方向减小。接合焊盘的厚度沿着第一方向增加。