公开(公告)号：CN108922889B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201810678662.2

申请日：2014-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN106298776B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201610371338.7

申请日：2016-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金炫助 ,  朴性律 ,  朴世玩 ,  尹钟密 ,  李廷骁 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  河智龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。

公开(公告)号：CN106024715B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201610177408.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  尹钟植 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  柳齐民 ,  车圭晚 ,  尹钟密 ,  金炫助

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8244

Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN105206605B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201510292031.3

申请日：2015-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜岱林 ,  金炫助 ,  尹钟密 ,  洪秀宪

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开提供了静电放电保护器件。一种静电放电保护器件包括：基板，具有在第一方向上延伸的有源鳍；多个栅结构，在关于第一方向成给定角度的第二方向上延伸并部分地覆盖有源鳍；外延层，在有源鳍的位于栅结构之间的部分上；杂质区，在外延层下面；以及接触插塞，接触外延层。在第一方向上，杂质区的中央部分比杂质区的边缘部分厚。接触插塞位于杂质区的中央部分之上。

公开(公告)号：CN108922889A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810678662.2

申请日：2014-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN108807280A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810677304.X

申请日：2014-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN1224243A

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN98118861.3

申请日：1998-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成奉 ,  金基俊 ,  尹钟密

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  Y10S257/903

Abstract: 一种能减小全CMOS SRAM单元的纵横比的半导体器件,所述单元包括:由串联连接的第一传送晶体管和第一驱动晶体管的漏区形成的第一公共区;由串联连接的第二传送晶体管和第二驱动晶体管的漏区形成的第二公共区;设置在第一和第二公共区之间而邻近第一公共区的第一负载晶体管的漏区;设置在第一负载晶体管的漏区和第二公共区之间的第二负载晶体管的漏区;第一和第二栅极层,它们通常彼此平行布置;以及第一和第二互连层。