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公开(公告)号：CN110600423A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910915589.0
申请日：2016-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
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公开(公告)号：CN106057887A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610113173.3
申请日：2016-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 发明构思涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板，包括形成在其上的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间且与基板交叉；以及有源接触件，使第一源极/漏极区和第二源极/漏极区彼此电连接。有源接触件与栅电极分隔开。有源接触件包括：第一子接触件，提供在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上以分别连接到第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二子接触件，提供在第一子接触件上以使第一子接触件彼此电连接；以及阻挡层，提供在第二子接触件和每个第一子接触件之间。
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公开(公告)号：CN106057807A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610130372.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
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公开(公告)号：CN106024870B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201610173543.2
申请日：2016-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了包括栅极接触部分的半导体器件。半导体器件包括衬底。半导体器件包括在衬底上的栅电极。半导体器件包括在栅电极上的栅极接触部分。在一些实施例中，鳍形主体从衬底突出，并且栅电极位于鳍形主体上。而且，在一些实施例中，栅极接触部分部分地位于栅电极中。
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公开(公告)号：CN110600423B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910915589.0
申请日：2016-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024784B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201610149440.2
申请日：2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/762
Abstract: 提供了包括场效应晶体管的半导体装置。所述半导体装置包括：第一器件隔离层，在基底上限定沿着第一方向彼此分隔开的多个有源区；第二器件隔离层，在每个有源区中限定从基底突出的有源图案，第二器件隔离层在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开以连接到第一器件隔离层；以及栅极结构，在有源区之间的第一器件隔离层上沿着第二方向延伸，第二器件隔离层的顶表面低于有源图案的顶表面，第一器件隔离层的顶表面高于有源图案的顶表面，并且栅极结构的底表面的至少一部分高于有源图案的顶表面。
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公开(公告)号：CN106057807B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201610130372.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
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公开(公告)号：CN110310951A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811186750.7
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹彰燮
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括下基底层、位于下基底层上的掩埋绝缘层和位于掩埋绝缘层上的上基底层；第一沟槽，穿过上基底层、掩埋绝缘层和下基底层的一部分；第二沟槽，穿过上基底层、掩埋绝缘层和下基底层的一部分，并与第一沟槽分隔开；场绝缘层，位于第一沟槽的一部分中以及第二沟槽的一部分中；以及第一鳍状图案，由第一沟槽和第二沟槽限定。场绝缘层的上表面比掩埋绝缘层的上表面高。
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公开(公告)号：CN109841587A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910278489.1
申请日：2016-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L27/02 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种具有接触塞的半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍；第二鳍，紧邻第一鳍并且基本平行于第一鳍，第一鳍和第二鳍形成多鳍有源区；第一源/漏，位于第一鳍上；第二源/漏，位于第二鳍上；以及第一接触塞，位于第一源/漏上并且位于第二源/漏上，其中，第一接触塞的中心从多鳍有源区的中心偏移。
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公开(公告)号：CN106024888A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610176766.4
申请日：2016-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/41791 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/78 , H01L21/768 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明提供了包括面积增加的接触件的半导体器件。一种半导体器件包括多个有源图案，其从衬底突出并且在衬底上以第一距离和第二距离间隔开。多个选择性外延生长部分中的每一个生长在多个有源图案中的相应一个的上表面上。源极/漏极接触件延伸横跨多个选择性外延生长部分，以保持在多个有源图案中的第一有源图案的顶表面的上方，第一有源图案以多个有源图案中的第一有源图案之间的第一距离彼此间隔开，并且源极/漏极接触件包括延伸部分，该延伸部分朝着衬底延伸至多个有源图案中的两个有源图案的顶表面的下方，该两个有源图案以多个有源图案中的该两个有源图案之间的第二距离间隔开。
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