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公开(公告)号:CN100483239C
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN200610141684.2
申请日:2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F2202/022 , G02F2202/10
Abstract: 本发明公开了一种平板显示器,其包括:多条栅极线;多条数据线,与该栅线绝缘,其中各自的数据线与各自的栅极线相交以界定像素;和多个TFT,包含有机半导体层,并且设置在该像素中,其中各个该多个TFT设置在沿该栅极线的方向上相邻于其他的该多个TFTs,其中在沿该栅极线的方向上的相邻TFT之间的距离大于在沿该栅极线的方向上的该像素的宽度。因此,本发明提供具有均匀TFT特性的平板显示器。
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公开(公告)号:CN1983620A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200610138293.5
申请日:2006-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , G02F2001/13685 , H01L27/3244 , H01L51/0003 , H01L51/0541
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板,其包括:基板、形成在基板上的数据线、连接至数据线的源电极、包括与源电极相对的一部分的漏电极、具有露出源电极和漏电极的部分的开口的隔离件、形成在开口内的有机半导体、形成在有机半导体上的栅极绝缘体、以及与数据线交叉且具有栅电极的栅极线。
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公开(公告)号:CN1979298A
公开(公告)日:2007-06-13
申请号:CN200610171214.0
申请日:2003-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/133 , G09G3/36
Abstract: 本发明提供一种液晶显示器及其滤色片阵列板,它包括:具有多个红、绿、蓝和白色像素区的液晶显示板组件,以及位于液晶显示板组件侧边的背光单元。背光单元发射的光有颜色坐标(x,y),x的范围是约0.31-0.34,y的范围是约0.32-0.35。
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公开(公告)号:CN1941398A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200610154248.9
申请日:2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)阵列面板,所述阵列面板包含基板、形成于基板上的数据线、与数据线连接的源电极、包含面向源电极的一部分的漏电极、形成于源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层、置于开口内并至少部分接触源电极和漏电极的有机半导体、形成于有机半导体上的栅绝缘体、形成于栅绝缘体上的终止层、形成于终止层上且交叉在数据线上并包含栅电极的栅线、以及经接触孔与漏电极连接的像素电极。
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公开(公告)号:CN1905203A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200610151332.5
申请日:2006-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/283 , H01L51/102
Abstract: 根据本发明的实施例的有机薄膜晶体管阵列面板包括在绝缘塑料或者玻璃衬底上形成栅线;在栅线上形成栅绝缘层;在栅绝缘层上形成数据线和漏电极,数据线和漏电极包括氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)的第一导电薄膜和第二导电薄膜,该导电薄膜具有与重叠数据线和漏极电极沉淀的有机半导体相似的功函数;在有机半导体上形成钝化层;在钝化层和栅绝缘层上形成连接漏电极的像素电极。
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公开(公告)号:CN1897257A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200610106394.4
申请日:2006-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种制造平板显示器的方法,包括如下步骤:制备绝缘基板;在绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域;在源电极和漏电极上形成第一钝化层;在第一钝化层上形成具有对应于沟道区域的开口的金属层;通过使用金属层作为掩模在第一钝化层中形成沉积开口来通过第一钝化层上的开口暴露沟道区域;在沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层;以及去除金属层、有机半导体层和第二钝化层,允许形成在沉积开口中的这些层保留。
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公开(公告)号:CN1628389A
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN02812690.4
申请日:2002-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列衬底的方法中,在衬底(10)上形成含铬基下层(111,601)和铝合金基上层(112,602)并水平延伸的栅极线组件(11)。栅极线组件具有栅极线(22)、栅极电极(26)和栅极垫(24)。在绝缘衬底(10)上沉积覆盖栅极线组件的栅极绝缘层(30)。在栅极绝缘层(30)上顺序形成半导体层(40)和欧姆接触层(55,56)。在欧姆接触层上形成含铬基下层(601)和铝合金基上层(602)的数据线组件(62)。数据线组件具有交叉在栅极线(22)上方的数据线(62)、源极电极(65)和漏极电极(66)、及数据垫(68)。在衬底上沉积保护层(70)并对其构图,形成暴露漏极电极(66)、栅极垫(24)和数据垫(68)的接触孔(13,74,76,78)。栅极线组件和数据线组件的下层(601)的侧壁经接触孔(13,74,76,78)暴露。在衬底上沉积IZO基层(14)并对其构图,形成像素电极(82)、辅助栅极垫(86)及辅助数据垫(88)。像素电极(82)连接漏极电极(66)的侧壁,辅助栅极及数据垫(86,88)连接栅极及数据垫(24,68)的侧壁。
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公开(公告)号:CN1996610B
公开(公告)日:2010-11-03
申请号:CN200610166914.0
申请日:2006-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L51/05 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L51/40 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法,该面板包括:基板;在基板上彼此相交的多条第一和第二信号线;连接到第一信号线的源电极;连接到第二信号线的漏电极;连接到漏电极的像素电极;形成在源电极和漏电极上并具有第一开口的第一分隔物,其中第一开口的下部宽度比第一开口的上部宽度更宽;形成在第一开口中并且至少与部分源电极和漏电极交迭的有机半导体;以及,连接到第二信号线并且至少与部分有机半导体交迭的栅电极。
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