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公开(公告)号：CN101719381A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910178279.1
申请日：2009-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明提供了一种具有公共位线结构的非易失性存储器件，其包括具有NAND单元阵列结构的多个单位元件，其布置在多个存储串的每个中且每个单位元件包括控制栅极和电荷存储层。多条公共位线每条公共连接到存储串中一对存储串的每个的端部。设置了具有第一驱动电压的第一选择晶体管和与第一选择晶体管串联并具有小于第一驱动电压的第二驱动电压的多个第二选择晶体管。第一和第二选择晶体管布置在公共位线与存储串的单位元件之间。第一串选择线连接到一对存储串的第一存储串的第一和第二选择晶体管之一。第二串选择线连接到一对存储串的第二存储串的第一和第二选择晶体管之一。多条字线连接到具有NAND单元阵列结构且布置在相同行中的单位元件的控制栅极。
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公开(公告)号：CN101459146A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810184643.0
申请日：2008-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , H01L21/823412 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/7842 , H01L29/7849 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装及制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括半导体芯片，其中，该半导体芯片包括半导体衬底和布置在该半导体衬底上的多个单元晶体管。单元晶体管的沟道区具有在第一方向上延伸的沟道长度，并且该封装进一步包括具有在其上粘附有半导体芯片的上表面的支撑衬底。该支撑衬底被构造成相应于温度增加而以在第一方向上将拉应力施加到半导体芯片的沟道区的方式弯曲。同时公开了相关的方法。
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公开(公告)号：CN101442054A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810178254.7
申请日：2008-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522 , H01L21/8247 , H01L21/768 , G06F13/40 , G06F3/06
CPC classification number: H01L23/485 , H01L21/76804 , H01L21/76816 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供非易失性存储器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括具有第一有源区和第二有源区的衬底。第一有源区包括第一源区和第一漏区，第二有源区包括第二源区和第二漏区。第一层间电介质位于衬底的上方。第一导电结构延伸穿过第一层间电介质。第一位线位于第一层间电介质上。第二层间电介质位于第一层间电介质上。接触孔延伸穿过第二层间电介质和第一层间电介质。该器件包括在接触孔内的第二导电结构，该第二导电结构延伸穿过第一层间电介质和第二层间电介质。第二位线位于第二层间电介质上。在第二层间电介质的底部处的接触孔的宽度小于或基本上等于在第二层间电介质的顶部处的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105679673B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201510736185.7
申请日：2015-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一多沟道有源图案；场绝缘层，设置在第一多沟道有源图案上并且包括第一区域和第二区域，第一区域具有从第二区域的顶表面向第一多沟道有源图案的顶表面突出的顶表面；第一栅电极，穿过第一多沟道有源图案，第一栅电极设置在场绝缘层上；第一源极或漏极，设置在第一栅电极和场绝缘层的第一区域之间，并且包括第一刻面，第一刻面被设置为在比第一多沟道有源图案的顶表面低的点处与场绝缘层的第一区域相邻。
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公开(公告)号：CN107248503B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710212763.6
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。
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公开(公告)号：CN104425493B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201410058492.X
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。
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公开(公告)号：CN103855219B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201310628274.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0692 , B82Y10/00 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41791 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件可以包括场绝缘层，该场绝缘层包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和相对于第一和第二正交方向从主表面突出特定距离的突出部分；第一和第二多沟道有源鳍可以在场绝缘层上延伸并可以通过突出部分彼此分离。导电层可以从突出部分的最上表面延伸以横跨位于第一和第二多沟道有源鳍之间的突出部分。
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公开(公告)号：CN107248503A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710212763.6
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。
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