液晶显示器
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100432803C

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200410063157.5

    申请日:2004-05-13

    CPC classification number: G02F1/133707 G02F1/134336 G02F1/1393

    Abstract: 本发明涉及一种液晶显示器,包括:第一衬底;形成在第一衬底上的第一信号线;形成在第一衬底上并与第一信号线交叉的第二信号线;包括多个分区的像素电极;连接到栅极线、数据线和像素电极的薄膜晶体管;面向第一衬底的第二衬底;形成在第二衬底上并具有面向第一或第二信号线的开口的公共电极;第一和第二畴定义部件,它们在液晶显示器中限定出多个畴,并且分别布置在第一和第二衬底上,第二畴定义部件布置在第二衬底上并与开口隔开。

    薄膜晶体管阵列面板
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1606161A

    公开(公告)日:2005-04-13

    申请号:CN200410080736.0

    申请日:2004-10-08

    CPC classification number: G02F1/134336 G02F1/133707 G02F1/1393

    Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板,其包括:绝缘基片;栅极线,形成于绝缘基片上,并具有栅极;第一及第二存储电极线,位于相邻的栅极线之间,沿栅极线平行方向延伸;多个存储电极,电连接第一及第二存储电极线;栅极绝缘层,覆盖栅极线、存储电极线、及存储电极;半导体层,形成于栅极绝缘层上;数据线,具有与半导体层至少一部分重叠的源极和与栅极线交叉的交叉部分及具有与交叉部分连接并以规定角度弯曲部分;漏极,以栅极为中心与源极面对、与半导体层至少一部分重叠;钝化层,覆盖半导体层;像素电极,形成于钝化层上并与漏极电连接;存储电极连接桥,形成于钝化层上,与栅极线交叉,电连接相邻像素的存储电极线。

    TFT阵列电路板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1503042A

    公开(公告)日:2004-06-09

    申请号:CN200310115221.5

    申请日:2003-11-20

    CPC classification number: H01L27/1288 H01L27/124 H01L29/78696

    Abstract: 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线,其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层,形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线,并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层,使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间,然后进行分割曝光。

    在衬底上形成图案的方法以及利用该方法制作液晶显示器的方法

    公开(公告)号:CN1500227A

    公开(公告)日:2004-05-26

    申请号:CN02807476.9

    申请日:2002-03-05

    Abstract: 本发明涉及一种在衬底上形成图案的方法以及利用该方法制作液晶显示板的方法。为了减少压合缺陷,各个图案层的拍摄区边界线彼此不重叠以分散。具体地说,根据本发明形成图案的方法,在首先形成第一材料层之后,通过在第一材料层上执行第一光蚀刻形成第一图案,其中第一光蚀刻包括对在至少一个拍摄区边界线两侧的至少两个区域进行分区曝光。随后,在第一图案上形成第二材料层之后,通过在第二材料层上执行第二光蚀刻形成一个第二图案,其中第二光蚀刻包括对在至少一个拍摄区边界线两侧的至少两个拍摄区进行分区曝光,在第二光蚀刻中的至少一个拍摄区边界线与第一光蚀刻中的至少一个拍摄区边界线隔开。通过利用此形成方法制作一种液晶显示板。

    曝光装置及方法
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100465791C

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200510051291.8

    申请日:2005-03-03

    Inventor: 卓英美

    CPC classification number: G03F7/70191 G03B27/50 G03B27/58

    Abstract: 本发明提供了一种曝光装置及方法。该曝光装置包括:光学系统,用于提供光;掩模,具有置于光途径上的掩模体、置于掩模体的第一区域上的第一光透射图案、及置于与第一区域相邻的掩模体的第二区域上的第二光透射图案,并向第一方向移送;光吸收部件,介入于光学系统及掩模之间,具有分别形成于分别在第一及第二区域边界整列的第一侧面及第二侧面的漫反射防止部;以及基板,安装具有与经过第一及第二光透射图案的光进行反应的感光层的基片,与掩模一起移送到第一方向。从而在基片上形成良好的感光耐蚀膜图案。

    TFT阵列电路板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101369588A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200810161853.8

    申请日:2003-11-20

    CPC classification number: H01L27/1288 H01L27/124 H01L29/78696

    Abstract: 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线,其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层,形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线,并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层,使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间,然后进行分割曝光。

    多区域液晶显示器
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100414409C

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200410070418.6

    申请日:2004-08-02

    Inventor: 卓英美

    CPC classification number: G02F1/133707 G02F1/1393 G02F2001/134318

    Abstract: 本发明提供一种液晶显示器,其包括具有栅极的栅极线、在覆盖栅极线的栅极绝缘层上形成的半导体层、具有在半导体上形成的源极并具有弯曲部分和与栅极线直交部分的数据线、在栅极上分别与源极面对的漏极、覆盖露出的半导体层的钝化层、在钝化层上形成并与漏极电连接,包含与数据线相邻的边沿着数据线弯曲的像素电极的薄膜晶体管阵列面板和与像素电极面对并包含在对应于数据线的部分具有开口部的共同电极的面对显示面板的液晶显示器。这时,像素分为两个部分,像素电极包括在两个副像素形成的第一像素电极和第二像素电极。而且,薄膜晶体管阵列面板具有包括在数据线两侧设置并与第一及第二像素电极部分重叠的存储电极的存储电极布线。

    曝光装置及方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1667513A

    公开(公告)日:2005-09-14

    申请号:CN200510051291.8

    申请日:2005-03-03

    Inventor: 卓英美

    CPC classification number: G03F7/70191 G03B27/50 G03B27/58

    Abstract: 本发明提供了一种曝光装置及方法。该曝光装置包括:光学系统,用于提供光;掩模,具有置于光途径上的掩模体、置于掩模体的第一区域上的第一光透射图案、及置于与第一区域相邻的掩模体的第二区域上的第二光透射图案,并向第一方向移送;光吸收部件,介入于光学系统及掩模之间,具有分别形成于分别在第一及第二区域边界整列的第一侧面及第二侧面的漫反射防止部;以及基板,安装具有与经过第一及第二光透射图案的光进行反应的感光层的基片,与掩模一起移送到第一方向。从而在基片上形成良好的感光耐蚀膜图案。

    制造液晶显示器面板的方法

    公开(公告)号:CN1623118A

    公开(公告)日:2005-06-01

    申请号:CN02807592.7

    申请日:2002-09-18

    CPC classification number: G02F1/1362 G02F2001/13625

    Abstract: 在一种利用对一个衬底分区曝光制造液晶显示器的方法中,在相邻拍摄区之间的边界处设置一个重叠区,并且分别以拍摄区的面积逐渐减小和增大的方式对边界左侧和右侧拍摄区曝光,从而减小两个拍摄区之间由于压合误差所致的亮度差。例如,当沿压合区的横向向右行进时分配给左侧的单元压合区的数量逐渐减少,而分配给右侧的单元压合区的数量逐渐增多。一个单元压合区包括一个通过将一个像素划分成至少两部分所获得的一个区域。

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