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公开(公告)号：CN105556004B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201480051363.6
申请日：2014-08-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C25D1/04 , C23C22/52 , C23C22/63 , C23C22/83 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D5/12 , C25D7/0614 , H05K1/09 , H05K3/384 , H05K3/389 , H05K2201/0355
Abstract: 本发明的目的是提供一种与非粗化铜箔相比，具有与绝缘树脂基材的良好的密合性，且具有与非粗化铜箔同等的良好的蚀刻性能的铜箔。为了实现该目的，本发明提供在铜箔的至少一个表面具有粗化处理层的铜箔，其特征在于，该粗化处理层具有由铜复合化合物构成的500nm以下大小的针状或片状的凸状部所形成的微细凹凸结构，在该粗化处理层的表面设置有硅烷偶联剂处理层。本发明还提供一种带有载体箔的铜箔，其特征在于，在具有载体箔/粘合界面层/铜箔层的层结构的带有载体箔的铜箔的铜箔层的表面具有粗化处理层，该粗化处理层具有由铜复合化合物构成的500nm以下大小的针状或片状的凸状部所形成的微细凹凸结构，在该粗化处理层的表面设置有硅烷偶联剂处理层。
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公开(公告)号：CN107614753B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780001695.7
申请日：2017-01-31
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H05K3/022 , B29C66/45 , B29C66/472 , B29C66/7352 , B29C66/7392 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/085 , B32B15/20 , B32B27/322 , B32B37/144 , B32B38/0012 , B32B2255/24 , B32B2309/105 , B32B2327/18 , B32B2398/20 , B32B2457/08 , C23C22/52 , C23C22/63 , C25D1/04 , C25D3/38 , H05K3/385 , H05K3/389 , H05K2203/0307
Abstract: 本发明提供一种即使使用低介电常数的热塑性树脂也能够以较高的密合力将铜箔和树脂接合的覆铜层叠板的制造方法。该方法的特征在于，包括以下工序：准备在至少一侧具有粗糙化处理表面的粗糙化处理铜箔，该粗糙化处理表面具有由含有氧化铜和氧化亚铜的针状结晶构成的微细凹凸；以及在粗糙化处理铜箔的粗糙化处理表面粘贴片状的热塑性树脂而得到覆铜层叠板。在将要粘贴热塑性树脂时，粗糙化处理表面的根据连续电化学还原分析(SERA)确定的氧化铜厚度为1nm～20nm、且根据连续电化学还原分析(SERA)确定的氧化亚铜厚度为15nm～70nm。
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公开(公告)号：CN107923047A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680044203.8
申请日：2016-07-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供虽然为适于微间距电路形成、高频用途的低粗糙度的微细凹凸，但不仅与树脂的密合性优异、耐摩擦性也优异，因此即使在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中被某些物体摩擦，也能够稳定地发挥与树脂的优异的密合性的粗糙化处理铜箔。本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有具备由针状晶体和/或板状晶体构成的微细凹凸的粗糙化处理面。粗糙化处理面的根据ISO25178测定的最大高度Sz为1.5μm以下，并且根据ISO25178测定的峰顶点的算术平均曲率Spc为1300mm-1以下。
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公开(公告)号：CN106103082A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013402.8
申请日：2015-03-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B32B15/08 , B23K26/18 , B23K26/389 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B15/20 , B32B2307/538 , B32B2307/748 , B32B2457/08 , C25D1/04 , C25D7/0614 , H05K3/0035 , H05K3/025 , H05K3/385 , H05K3/4652 , H05K2203/0315
Abstract: 本发明的目的是提供一种适于制造激光开孔加工时使用的覆铜层压板的带有载体箔的铜箔。为了实现该目的，本发明提供一种具有载体箔/剥离层/基体铜层的层结构的带有载体箔的铜箔，其特征在于，在该带有载体箔的铜箔的两面具备粗化处理层，所述粗化处理层具有由铜复合化合物构成的最大长度为500nm以下的针状或片状的凸状部形成的精细凹凸结构，在该载体箔的表面具备的粗化处理层被用作为激光吸收层，在该基体铜层的表面具备的粗化处理层被用作为与绝缘层构成材料粘合的粘合层。
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公开(公告)号：CN105102678A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480018448.4
申请日：2014-02-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B32B15/08 , B32B15/20 , B32B2307/538 , B32B2457/08 , H05K3/022 , H05K3/385 , H05K3/389 , H05K2203/1157
Abstract: 本发明的目的是提供一种与非粗化铜箔相比，具有与绝缘树脂基材的良好的密合性，且具有与非粗化铜箔同等的良好的蚀刻性能的铜箔。为了实现该目的，本发明采用一种表面处理铜箔等，该表面处理铜箔是对铜箔的表面进行了粗化的表面处理铜箔，其特征在于，在该铜箔的表面具有用最大长度为500nm以下的、铜复合化合物构成的针状或板状的微细凹凸进行了粗化的粗化处理表面。进而，该铜复合化合物优选具有氧化亚铜为50％～99％、余量为氧化铜及杂质的组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104041198A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380005294.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B32B15/08 , H05K3/022 , H05K3/38 , H05K2201/0133 , H05K2201/0145
Abstract: 本发明的目的在于提供具有充分的剥离强度的同时，除胶渣液耐性高且吸湿劣化少的带有粘合剂层的铜箔、覆铜层压板及印刷布线板。为了实现该目的，本发明采用了在铜箔的一面具有粘合剂层的带有粘合剂层的铜箔，所述粘合剂层是由含有相对于100质量份的聚苯醚化合物为5质量份以上、65质量份以下的苯乙烯丁二烯嵌段共聚物的树脂组合物构成的层。并且，本发明还提供用该带有粘合剂层的铜箔制得的覆铜层压板、及以用该覆铜层压板制得为特征的印刷布线板。
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公开(公告)号：CN115038819B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202180012213.4
申请日：2021-01-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中能兼顾优异的蚀刻性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的界面扩展面积比Sdr为3.50％以上且12.00％以下。该粗糙化处理铜箔的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的中心部的水平差Sk为0.15μm以上且0.35μm以下。
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公开(公告)号：CN115038818B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202180012212.X
申请日：2021-01-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C25D7/06
Abstract: 提供在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中能兼顾优异的高频特性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的界面扩展面积比Sdr为0.50％以上且7.00％以下。该粗糙化处理铜箔的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为3.0μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的峰顶点密度Spd为2.00×104mm‑2以上且3.30×104mm‑2以下。
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公开(公告)号：CN117321254A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035832.X
申请日：2022-05-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C25D7/06
Abstract: 提供一种在覆铜层叠板的加工至印刷电路板的制造中，能兼顾优异的传输特性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。该粗糙化处理面具有相对于基准面成为凸起的多个峰和相对于基准面成为凹陷的多个谷。在对于针对粗糙化处理面使用FIB‑SEM而得到的图像进行三维图像分析并将峰分割为多个体素的情况下，在2000nm×2000nm的分析区域中构成峰的表面的体素的总体积相对于构成峰的所有体素的总体积之比、即表面体素比为0.25以上且0.60以下，在2000nm×2000nm的分析区域中以峰的平均高度与谷的平均高度之和的形式算出的峰与谷的平均高度为40nm以上且90nm以下。
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公开(公告)号：CN117321253A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035616.5
申请日：2022-05-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C25D7/06
Abstract: 提供一种在覆铜层叠板的加工至印刷电路板的制造中，能兼顾优异的传输特性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。该粗糙化处理面具有相对于基准面成为凸起的多个峰和相对于基准面成为凹陷的多个谷。在对于针对粗糙化处理面使用FIB‑SEM而得到的图像进行三维图像分析的情况下，在2000nm×2000nm的分析区域中以峰的体积与谷的体积之和的形式算出的峰与谷的高度的总和为1.4×108nm3以上且3.5×108nm3以下，并且，以峰的平均高度与谷的平均高度之和的形式算出的峰与谷的平均高度为40nm以上且90nm以下。
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