粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板

    公开(公告)号:CN117321254A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202280035832.X

    申请日:2022-05-18

    Abstract: 提供一种在覆铜层叠板的加工至印刷电路板的制造中,能兼顾优异的传输特性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。该粗糙化处理面具有相对于基准面成为凸起的多个峰和相对于基准面成为凹陷的多个谷。在对于针对粗糙化处理面使用FIB‑SEM而得到的图像进行三维图像分析并将峰分割为多个体素的情况下,在2000nm×2000nm的分析区域中构成峰的表面的体素的总体积相对于构成峰的所有体素的总体积之比、即表面体素比为0.25以上且0.60以下,在2000nm×2000nm的分析区域中以峰的平均高度与谷的平均高度之和的形式算出的峰与谷的平均高度为40nm以上且90nm以下。

    粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板

    公开(公告)号:CN117321253A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202280035616.5

    申请日:2022-05-18

    Abstract: 提供一种在覆铜层叠板的加工至印刷电路板的制造中,能兼顾优异的传输特性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。该粗糙化处理面具有相对于基准面成为凸起的多个峰和相对于基准面成为凹陷的多个谷。在对于针对粗糙化处理面使用FIB‑SEM而得到的图像进行三维图像分析的情况下,在2000nm×2000nm的分析区域中以峰的体积与谷的体积之和的形式算出的峰与谷的高度的总和为1.4×108nm3以上且3.5×108nm3以下,并且,以峰的平均高度与谷的平均高度之和的形式算出的峰与谷的平均高度为40nm以上且90nm以下。

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