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公开(公告)号：CN1988973A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024434.4
申请日：2005-07-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/025 , B22F2998/10 , C23C18/1635 , C23C18/1841 , C23C18/34 , H01B1/026 , H05K1/092 , Y10T428/12181 , B22F1/0088 , B22F1/0085
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够形成电子电路用的导电性的配线部的导电性膏用耐氧化性的镀镍铜粉及其制造方法。为了达到此目的，本发明采用的镀镍铜粉的特征在于，其含有镀镍铜粒子，该镀镍铜粒子以铜粒子作芯材，通过还原反应在该铜粒子表面固附电镀用催化剂，在最外面实施了非电解镀镍。另外，上述还原反应，用肼作还原剂。
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公开(公告)号：CN1960826A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580017830.4
申请日：2005-06-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , B22F1/025 , B22F9/16 , B22F2998/00 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/302 , B23K35/40 , C22B3/46 , C22B15/0091 , C22B25/04 , C23C18/1635 , C23C18/31 , C23C18/54 , H05K1/095 , H05K3/4069 , Y02P10/234 , Y02P10/236 , B22F1/0055
Abstract: 本发明的目的是提供一种细小配线电路形成及细小微孔的填平孔眼性优良的、可发挥低温熔着性的含铜锡粉微粒。为了达到该目的，其为以铜粉作为起始原料采用湿式置换法制造的含铜锡粉，未置换的残留铜量为30重量％以下。另外，采用以作为起始原料的铜粉的粉体特性作为基准时所得到的含铜锡粉的平均一次粒径等的变化率为－20～+5％的含铜锡粉。而且，在制造该含铜锡粉时，采用使铜粉与锡置换电镀液接触、使构成铜粉的铜成分溶解而使锡置换析出的湿式置换法。
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公开(公告)号：CN103492068B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180070227.8
申请日：2011-10-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B01J23/10 , B01D53/945 , B01D2255/2063 , B01D2255/2065 , B01D2255/407 , B01D2255/908 , B01D2255/9207 , B01J35/1014 , B01J37/0221 , B01J2523/00 , F01N2570/16 , Y02T10/22 , B01J2523/3706 , B01J2523/3712 , B01J2523/48
Abstract: 用于内燃机尾气净化用催化剂的载体，其是在包含CeO2-ZrO2的固溶体的芯材或包含CeO2-ZrO2-La2O3的固溶体的芯材的表面担载CeO2而得的用于内燃机尾气净化用催化剂的载体，该芯材中的CeO2的量为该载体的质量的5～35质量％，该芯材中的La2O3的量为该载体的质量的0～10质量％，该芯材的表面上担载的CeO2的量为该载体的质量的5～17质量％。
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公开(公告)号：CN103680672A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310400620.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C01P2002/60 , C01P2004/32 , C01P2004/62 , C01P2006/10 , C01P2006/40 , C01P2006/62 , C01P2006/63 , C01P2006/64 , C09C1/027 , C09C1/3054 , C09C1/3661 , C09C1/407 , C09D5/24 , H01B1/02
Abstract: 本发明的导电性颗粒是在芯颗粒的表面上形成含有氧化锡的包覆层而成的。该氧化锡的微晶粒径为。对于使用包含导电性颗粒的涂覆液而形成的导电膜，使用了进行1小时分散而得到的涂覆液时的表面电阻R1与使用了进行3小时分散而得到的涂覆液时的表面电阻R3的比率R3/R1优选为1～250。包覆层优选由不含有掺杂元素的导电性的氧化锡形成。
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公开(公告)号：CN101801568B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200880107424.0
申请日：2008-09-22
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0014
Abstract: 本发明的目的在于提供一种粒度分布宽度极窄且可抑制杂质含量的铜粉的制造方法，以及通过该方法得到的提高了导电率、均质且高品质的铜粉。为了实现该目的，采用如下的铜粉制造方法，即：在铜盐水溶液中添加碱溶液得到铜盐化合物浆液，在该浆液中添加肼系还原剂制成氧化亚铜浆液，水洗该氧化亚铜浆液，向重浆液化的洗涤过的氧化亚铜浆液中再次添加肼系还原剂的铜粉制造方法中，在最终还原反应结束之前，向反应浆液添加磷化合物，使得磷和铜的摩尔比达到P/Cu＝0.0001～0.003。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101072651B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200580041800.7
申请日：2005-12-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/0022 , B22F9/24 , B22F2998/00 , B82Y30/00 , H05K1/092 , B22F1/0044
Abstract: 本发明的目的是提供一种超细微粒铜粉浆料，其用于配线用导电性油墨或导电性膏时，能够在基板上形成更精细节距化的配线部。为达成该目的，提供了一种把具有DTEM(μm)值为0.01～0.1、D50/DTEM值为1～1.5、以及结晶粒径/DTEM值为0.2～1的粉体特性的超细微粒铜粉悬浮在溶剂中而制成的超细微粒铜粉浆料(DTEM是指从TEM观察图像的照片，直接测定该粉末粒子直径，用观察倍率进行换算得到的平均一次粒径；D50是指多普勒散射式光分析法测定的体积累积分布为50％时的粒径)。
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公开(公告)号：CN1292861C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN03805844.8
申请日：2003-08-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/0055 , B22F1/0007 , B22F1/0011 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/095 , B22F9/04 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的在于提供一种粉粒厚度薄，且具有可用于形成精密电极或电路等的粉体特性的导电性浆料用片状铜粉及其制造方法。为了达到该目的，采用了使铜粉粉粒发生塑性变形而使之片状化的片状铜粉中，采用激光衍射散射式粒度分布测定法得到的重量累积粒径D50为10μm或10μm以下；用通过激光衍射散射式粒度分布测定法得到的重量累积粒径D10、D50、D90、采用激光衍射散射式粒度分布测定法测定的粒度分布的标准偏差SD表示的SD/D50的值为0.55或0.55以下；且用D90/D10表示的值为4.5或4.5以下的铜粉。该片状铜粉具有精细的粒径，采用介质球，通过高能球磨机进行压缩使之塑性变形而制成片状。
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公开(公告)号：CN113614894A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023485.X
申请日：2020-03-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的接合体是半导体元件与包含Cu的接合层接合而成的。前述接合层具有从前述半导体元件的周缘向侧方伸出的伸出部。在厚度方向的截面视图中，前述伸出部从前述半导体元件的底部的周缘或周缘附近竖起并且与该半导体元件的侧面实质上分离的侧壁面。对于前述伸出部而言，不具有前述侧壁面与前述半导体元件的侧面彼此接触的部位也是适宜的。另外，本发明还提供接合体的制造方法。
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公开(公告)号：CN104703732A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380052185.4
申请日：2013-11-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , B05D7/14 , B22F1/0014 , B22F1/0074 , B22F1/025 , B22F2999/00 , H01B1/02 , H01B13/00 , Y10T428/12181 , B22F9/24
Abstract: 本发明提供一种具有由铜构成的芯粒子和位于该芯粒子表面上的银包覆层的银包铜粉。在将银包铜粉的BET比表面积规定为S1(m2/g)、将从通过显微镜观察银包铜粉并进行图像解析而求得的粒径D50算出的BET比表面积规定为S2(m2/g)、将银包覆层的厚度规定为t(nm)时，满足(S1/S2)≤0.005×t+1.45。由激光衍射散射式粒度分布测定法测得的累积体积50容量％下的体积累积粒径D50优选为0.1～20μm。
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公开(公告)号：CN104470657A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035784.5
申请日：2013-06-19
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , B22F1/025 , B22F9/24 , C22C9/02 , H01B1/22 , H01B13/0026 , Y10T428/12181
Abstract: 本发明的复合铜粒子具有由铜构成的芯粒子和配置在该芯粒子的表面的由铜与锡的合金构成的被覆层，所述复合铜粒子的累积体积50容量％下的体积累积粒径D50为0.1～10.0μm。上述合金优选为CuSn。还优选含有3.0～12.0质量％的锡。该复合铜粒子适宜通过将含有由铜构成的芯粒子及锡源的化合物的水性浆料与锡的还原剂混合，在该芯粒子的表面形成由铜与锡的合金构成的被覆层来制造。
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