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公开(公告)号：CN118715599A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380022219.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 一种接合体的制造方法，其中，在被接合体与第2被接合体之间形成包含铜颗粒的糊剂的涂膜之后，对该涂膜进行加热，从而形成使该铜颗粒烧结而成的接合层，作为所述铜颗粒，包含平均一次粒径为0.06μm以上且1.0μm以下、并且250℃下的微晶直径D2(nm)相对于150℃下的微晶直径D1(nm)的增加比例(D2‑D1)/D1×100为5％以上的铜颗粒，将所述涂膜在150℃以上且350℃以下的加热温度下保持45分钟以下而使所述铜颗粒烧结。
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公开(公告)号：CN117696898A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311727224.8
申请日：2019-08-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的接合用组合物包含铜粉、液介质及还原剂，上述还原剂具有至少1个氨基及多个羟基，上述还原剂的沸点比上述液介质的沸点高，上述还原剂的熔点为上述铜粉的烧结温度以下。上述还原剂优选为双(2‑羟基乙基)亚氨基三(羟基甲基)甲烷。接合用组合物优选剪切速度10s‑1及25℃下的粘度为10Pa·s以上且200Pa·s以下。接合用组合物还优选相对于上述铜粉100质量份包含0.1质量份以上且10质量份以下的上述还原剂，并且包含10质量份以上且40质量份以下的上述液介质。
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公开(公告)号：CN115297978B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202180021804.8
申请日：2021-03-12
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明是包含铜颗粒和第2液体介质的接合用组合物的制造方法。本制造方法中，通过湿式还原法在第1液体介质中生成前述铜颗粒，从而制备该铜颗粒的分散体。然后，边维持所述分散体的湿润状态，边将该分散体的第1液体介质最终置换为第2液体介质。将第1液体介质置换为其他液体介质一次以上，最终的置换中使用第2液体介质也是优选的。也优选在低于100℃下进行液体介质的置换。作为第2液体介质，也优选使用水、醇、酮、酯、醚和烃中的一种以上。
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公开(公告)号：CN112437706A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201980048168.0
申请日：2019-08-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的接合用组合物包含铜粉、液介质及还原剂，上述还原剂具有至少1个氨基及多个羟基，上述还原剂的沸点比上述液介质的沸点高，上述还原剂的熔点为上述铜粉的烧结温度以下。上述还原剂优选为双(2‑羟基乙基)亚氨基三(羟基甲基)甲烷。接合用组合物优选剪切速度10s‑1及25℃下的粘度为10Pa·s以上且200Pa·s以下。接合用组合物还优选相对于上述铜粉100质量份包含0.1质量份以上且10质量份以下的上述还原剂，并且包含10质量份以上且40质量份以下的上述液介质。
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公开(公告)号：CN113412171B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202080013702.7
申请日：2020-03-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的加压接合用组合物包含金属粉和固体还原剂，由使用了使前述组合物在大气气氛下于110℃、大气压、进行20分钟干燥而形成的干燥涂膜的厚度A、及使该干燥涂膜在氮气气氛下于280℃、6MPa、进行20分钟处理而形成的烧结体的厚度B的关系式表示的压缩率为10％以上且90％以下。固体还原剂为BIS‑TRIS也是适宜的。另外，还提供将2个导电体和配置于它们之间的前述加压接合组合物的涂膜在加压下进行处理而形成有将各导电体接合的接合部位的导电体的接合结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113614894A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023485.X
申请日：2020-03-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的接合体是半导体元件与包含Cu的接合层接合而成的。前述接合层具有从前述半导体元件的周缘向侧方伸出的伸出部。在厚度方向的截面视图中，前述伸出部从前述半导体元件的底部的周缘或周缘附近竖起并且与该半导体元件的侧面实质上分离的侧壁面。对于前述伸出部而言，不具有前述侧壁面与前述半导体元件的侧面彼此接触的部位也是适宜的。另外，本发明还提供接合体的制造方法。
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公开(公告)号：CN110349691B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910608285.X
申请日：2015-08-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供两个导电体(21、31)通过铜的连接部位(11)电连接而成的导电体的连接结构(10)。连接部位(11)由以铜为主的材料构成。且连接部位(11)具有多个空孔。在空孔内存在有机硅化合物。连接部位优选为多个粒子集合且它们熔融结合而具有粒子彼此的缩颈部的结构的部位。连接结构(10)还优选具有下述结构：粒径相对大的多个大径铜粒子与同该大径铜粒子相比粒径相对小的多个小径铜粒子在大径铜粒子与小径铜粒子之间、及小径铜粒子彼此之间熔融结合，且多个小径铜粒子位于一个大径铜粒子的周围。
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公开(公告)号：CN108028206B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201680054775.4
申请日：2016-09-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明为将发热体和金属的支撑体(20)经由由铜粉(31)的烧结体(32)形成的接合部位(30)来接合而成的粘结接合结构。支撑体(20)至少在其最表面存在有铜或金。以跨越支撑体(20)与烧结体(32)的接合界面(40)的方式形成有支撑体(20)的铜或金与烧结体(32)的铜的相互扩散部位(41)。优选的是在相互扩散部位(41)以跨越接合界面(40)的方式形成有晶体取向为同方向的铜的晶体结构。
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公开(公告)号：CN106663880B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201580034863.3
申请日：2015-08-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供两个导电体(21、31)通过铜的连接部位(11)电连接而成的导电体的连接结构(10)。连接部位(11)由以铜为主的材料构成。且连接部位(11)具有多个空孔。在空孔内存在有机硅化合物。连接部位优选为多个粒子集合且它们熔融结合而具有粒子彼此的缩颈部的结构的部位。连接结构(10)还优选具有下述结构：粒径相对大的多个大径铜粒子与同该大径铜粒子相比粒径相对小的多个小径铜粒子在大径铜粒子与小径铜粒子之间、及小径铜粒子彼此之间熔融结合，且多个小径铜粒子位于一个大径铜粒子的周围。
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公开(公告)号：CN118973743A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380030642.3
申请日：2023-04-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 目的在于提供涂膜的烧成工序中可能产生的空隙被抑制并且能够充分提高被接合体之间的接合率的接合用铜糊剂。一种接合用铜糊剂，其包含粒径不同的两种以上铜粉以及溶剂，所述铜粉中的一种铜粉的250℃下的微晶尺寸D2(nm)相对于150℃下的微晶尺寸D1(nm)的增加比例(D2‑D1)/D1×100为5％以上，所述溶剂的沸点为150℃以上且小于300℃，相对于所述铜糊剂100质量％，所述铜粉的总量的比例为88质量％以上。
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