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公开(公告)号：CN104348461A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410378499.X
申请日：2014-08-01
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
IPC: H03K17/78
CPC classification number: H03K17/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H03K17/08104 , H03K17/082 , H03K17/102 , H03K17/687 , H03K17/6871 , H03K2017/0806 , H03K2017/6875 , H01L2924/00014
Abstract: 根据一个实施例，固态开关器件包括：高电压开关晶体管，该高电压开关晶体管包括源极、漏极和栅极并且适用于基于开关信号来切换高电压；以及开关驱动器电路，可操作地连接至高电压开关晶体管的，该开关驱动器电路包括低电压驱动器晶体管，该低电压驱动器晶体管包括源极、漏极和栅极，该号切换串联连接至高电压开关晶体管并且适用于将开关信号传送至高电压开关晶体管，其中高电压开关晶体源极在下地布置在低电压驱动器晶体管的漏极上方。
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公开(公告)号：CN104052430A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410087868.X
申请日：2014-03-11
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H03H9/2452 , B81B3/0078 , B81B2201/0271 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C1/00301 , B81C1/00396 , B81C2203/0145 , H03H3/0072 , H03H3/0073 , H03H9/02259 , H03H9/2463 , H03H2009/02291 , H03H2009/02307 , H03H2009/0233 , H03H2009/02496
Abstract: 本发明提供了一种微机电谐振器。实施例具体涉及能够施加最大可用芯片上电压的MEMS谐振器结构和方法。在实施例中，MEMS谐振器包括在接地电势与谐振器的间隙电极之间的连接。实施例也涉及复杂度较低并且能够生产减小尺寸的MEMS谐振器的制造系统和方法。
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公开(公告)号：CN104752509A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410799027.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/308 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/8236 , H01L27/0883 , H01L27/0886 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/4232 , H01L29/42372 , H01L29/66477 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件包括第一导电类型的源区，其被形成在第一电极鳍中，该第一电极鳍从第一表面延伸进入半导体部分之中。第一导电类型的漏区被形成在第二电极鳍中，该第二电极鳍从第一表面延伸进入半导体部分之中。沟道区/体区被形成在晶体管鳍中，该晶体管鳍在距第一表面一定距离处在第一电极鳍和第二电极鳍之间延伸。该第一电极鳍和第二电极鳍沿着第一横向方向延伸。沿着垂直与第一横向方向的第二横向方向被布置在晶体管鳍的相对侧面上的第一栅极部分的宽度大于第一电极鳍和第二电极鳍之间的距离。
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公开(公告)号：CN109319729B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810845999.8
申请日：2018-07-27
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
Abstract: 本公开提供了在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移。一种用于形成MEMS器件的方法可以包括：执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于单晶硅衬底的顶面第一深度处形成腔体；在单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域，电绝缘区域相对于单晶硅衬底的顶面延伸到小于第一深度的第二深度；以及蚀刻单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙，其中第二电极在第一深度区域内与第一电极分开由电绝缘区域和间隙限定的第一距离，并且其中第二电极在第二深度区域内与第一电极分开由间隙限定的第二距离。
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公开(公告)号：CN104807567B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510038748.5
申请日：2015-01-26
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
CPC classification number: G01L9/00 , B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , G01L9/0044 , G01L9/0072
Abstract: 本发明的各实施方式总体上涉及具有改进的集成和优化的封装的传感器结构、系统以及方法。具体地，各实施例涉及传感器，并且更具体地涉及用于形成传感器的结构以及形成上述传感器的方法，上述传感器更容易制造为集成部件并且提供传感器薄膜、薄片或者其它可移动元件的改进的偏转。在实施例中，传感器包括用于薄片、薄膜或者其它可移动元件的支撑结构。支撑结构包括支持或者承载可移动元件的多个支撑元件。支撑元件可以包括单独的具有直侧壁或凹形侧壁的圆柱形点或者类足元件，而不是常规的互连框架，这实现了可移动元件的改进的运动、在制造期间更容易移除可移动元件和基片之间的牺牲层以及更有利的偏转比率，以及其它益处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104445050B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410480277.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00047 , B81C1/00476 , G01N27/414 , G01N27/4473 , G01N33/48721 , H01L21/30604 , H01L29/06
Abstract: 实施例公开了用于创建具有极端纵横比的空腔的方法和结构，具体涉及用于更加高效和有效地刻蚀衬底和其它结构中的牺牲层和其它层的结构、系统和方法。在实施例中，其中牺牲层要被去除以例如形成空腔的衬底包括刻蚀分散系统，刻蚀分散系统包括其中刻蚀气体或另一适合的气体、流体或物质可以流动以渗透衬底并且去除牺牲层的沟槽、通道或其它结构。沟槽、通道或其它结构可以连同形成在衬底中的(诸如接近衬底的一个或多个边缘的)开口或其它孔一起被实现，以甚至更快地在衬底内分散刻蚀气体或一些其它物质。
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公开(公告)号：CN105217560A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510359084.2
申请日：2015-06-25
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/008 , B81B2201/0264 , B81B2203/0315 , B81C2203/0721 , B81C2203/0735 , G01D5/145 , G01L9/0073
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机械系统和用于制造微机械系统的方法，该方法包括：在前道制程(FEOL)工艺中在晶体管区域中形成晶体管；在FEOL工艺之后，形成牺牲层；对牺牲层进行结构化以形成经结构化的牺牲层；形成至少部分地覆盖经结构化的牺牲层的功能层；以及去除牺牲层以创建空腔。
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公开(公告)号：CN104807567A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510038748.5
申请日：2015-01-26
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
CPC classification number: G01L9/00 , B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , G01L9/0044 , G01L9/0072
Abstract: 本发明的各实施方式总体上涉及具有改进的集成和优化的封装的传感器结构、系统以及方法。具体地，各实施例涉及传感器，并且更具体地涉及用于形成传感器的结构以及形成上述传感器的方法，上述传感器更容易制造为集成部件并且提供传感器薄膜、薄片或者其它可移动元件的改进的偏转。在实施例中，传感器包括用于薄片、薄膜或者其它可移动元件的支撑结构。支撑结构包括支持或者承载可移动元件的多个支撑元件。支撑元件可以包括单独的具有直侧壁或凹形侧壁的圆柱形点或者类足元件，而不是常规的互连框架，这实现了可移动元件的改进的运动、在制造期间更容易移除可移动元件和基片之间的牺牲层以及更有利的偏转比率，以及其它益处。
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公开(公告)号：CN104701325A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410737979.0
申请日：2014-12-05
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
Inventor： S·比塞尔特
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/481 , H01L21/02104 , H01L21/76224 , H01L21/76283 , H01L21/764 , H01L23/053 , H01L2924/0002 , H05K1/02 , Y10T428/13 , H01L2924/00
Abstract: 根据各种实施例，一种载体可以包括：与载体的表面间隔开的空心室；以及在空心室内的至少一个支撑结构，该至少一个支撑结构连接设置在空心室之上的载体的第一区域与设置在空心室之下的载体的第二区域，其中至少一个支撑结构的表面的至少一部分与空心室的内表面间隔开，并且其中至少一个支撑结构包括电绝缘材料。
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公开(公告)号：CN107785412B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201710742731.7
申请日：2017-08-25
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
Inventor： D·A·楚玛科夫
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 实施例提供了一种用于制造双极结型晶体管的方法。该方法包括提供层堆叠的步骤，层堆叠包括：具有沟槽隔离的半导体衬底；基极接触层堆叠，其中基极接触层堆叠包括形成发射极窗口的凹部；布置在发射极窗口的侧壁上的横向间隔件，横向间隔件隔离基极接触层堆叠的基极接触层；以及布置在半导体衬底上的发射极窗口中的基极层，其中基极层至少部分地突出到横向间隔件下方。该方法还包括在基极层上提供隔离层的步骤。
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