公开(公告)号：CN103981504B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201410243215.6

申请日：2014-06-03

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 何德安 ,  朱卫东

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/54

摘要： 本发明提供一种物理气相淀积机台及其冷却腔体，该冷却腔体包括腔体盖子、光电感应器、升降环和冷却基座；光电感应器安装于腔体盖子上；升降环通过升降臂向下与气缸相连接，气缸具有升起位置传感器和释放位置传感器，用于判断升降环处于升起位置或释放位置；升降环上承载有硅片，光电感应器向下对准硅片；冷却基座位于硅片的下方。其中，光电感应器向硅片发射红外线光束，遇到硅片时红外线光束被反射回来；当硅片被正确放置在升降环上时，反射回来的红外线光束能被光电感应器接收到，光电感应器导通，升降环允许载着硅片从升起位置降到释放位置；否则光电感应器不导通，机台停止运行。本发明能够自动检测硅片在冷却腔体内升降环上的位置是否正确。

公开(公告)号：CN102646701B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210138212.7

申请日：2012-05-04

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 吕宇强 ,  杨海波

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L29/40 ,  H01L29/808 ,  H01L21/28 ,  H01L21/762 ,  H01L21/337

摘要： 本发明公开了一种JFET器件及其形成方法。本发明通过对漂移区横向浓度进行线性优化，并结合具有一定角度的场氧结构和阶梯场板结构，在获得高的最大漏源电压（V(BR)DS）的同时，降低了寄生的漂移区电阻，实现了饱和漏极电流（IDSS）的提高，另外，本发明JFET器件的沟道区由注入和/或热推进形成，由于注入和热推进的工艺稳定性较高，夹断电压VP也有着较高的稳定性。

公开(公告)号：CN102502479B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201110366045.7

申请日：2011-11-17

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 张挺 ,  薛维佳 ,  倪胜中 ,  谢志峰

IPC分类号： B81C1/00 ,  G01D21/02

摘要： 本发明提供一种复合集成传感器结构及其制造方法，该方法包括：提供基底，在其上形成掺杂区域；在基底表面淀积绝缘层；刻蚀绝缘层和基底形成槽；在基底表面和槽侧壁与底部淀积含掺杂元素的阻挡层；将其中的掺杂元素扩散至基底内，形成重掺杂层；去除槽底部的阻挡层，在槽侧壁上形成侧壁保护层；以侧壁保护层和绝缘层为掩模，继续刻蚀槽，形成深槽；腐蚀深槽，在基底内部形成腔体；在侧壁保护层之间填满隔离和/或填充材料；在基底表面制作导电引线和电极；在加速度传感器的区域淀积质量块，并作图形化；在质量块的周围形成隔离槽，质量块以悬臂形式与基底相连接。本发明采用正面的、与常规半导体工艺相兼容的工艺，具有实用、经济、高性能等优点。

公开(公告)号：CN104241125A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410418398.0

申请日：2014-08-22

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 刘建华 ,  李雪萍

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L2221/1068

摘要： 本发明提供一种压接式IGBT的正面金属工艺，包括步骤：在层间介质层上淀积第一正面金属层；对第一正面金属层作湿法刻蚀，在层间介质层上形成上宽下窄的第一凹槽；在当前结构的所有表面上淀积阻挡层，并将需要形成厚金属的区域处的阻挡层窗口打开；对窗口打开后暴露出的第一正面金属层表面作淀积前的预处理，去除掉氧化层；在当前结构的所有表面上淀积第二正面金属层；对第二正面金属层作湿法刻蚀，在其中形成侧壁倾斜、导向第一凹槽的上宽下窄的第二凹槽；对第二凹槽再作干法刻蚀，刻穿第二正面金属层并清空第一凹槽中的金属；第一凹槽上缘处包覆的阻挡层上方形成有其底部为一定宽度的保护斜坡。本发明实现了不同布线区域的正面金属厚薄两种厚度。

公开(公告)号：CN104157547A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410424459.4

申请日：2014-08-26

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 吴小勇 ,  李进标

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67155

摘要： 本发明提供一种深槽刻蚀设备的静电释放方法，深槽刻蚀设备具有晶圆手指、静电吸附极板、手指安装环、晶圆支撑环和静电吸附极板支撑体；晶圆手指安装于晶圆支撑环上，晶圆手指在静电吸附极板支撑体由升起位置下降到降落位置时逐渐接触晶圆，静电吸附极板支撑体始终与深槽刻蚀设备的外壳相连接，外壳接地；其中，静电释放方法包括：无论静电吸附极板支撑体处于升起位置还是降落位置，将晶圆支撑环与静电吸附极板支撑体之间始终保持电连接。本发明能够消除刻蚀工艺后在静电吸附极板和晶圆上产生的大量静电，避免因静电释放不干净而发生的粘片现象。

公开(公告)号：CN104150435A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410418073.2

申请日：2014-08-22

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 刘建华

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 本发明提供一种与CMOS工艺兼容的大面积微桥电阻阵列谐振腔工艺，包括步骤：提供衬底，其划分成待形成电阻阵列和其控制电路的第一、第二区域，按普通CMOS工艺在第二区域形成控制电路；在第一区域上生长氧化层，并在其上形成电阻阵列；在第一区域上生长阻挡层，并在其中形成第一凹槽；对控制电路作后段互连工艺，在第二区域的金属间介质层上形成钝化层，第一区域的阻挡层上方也淀积有层间介质层和金属间介质层；以钝化层为掩模，干法刻蚀第一区域的金属间介质层和层间介质层，并以阻挡层为掩模，继续刻蚀第一凹槽底部的氧化层至露出衬底，形成第二凹槽；使用湿法刻蚀法将电阻阵列下方的衬底刻蚀掉，形成谐振腔腔体，第二凹槽作为刻蚀溶液的导入通道。

公开(公告)号：CN103969511A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410228103.3

申请日：2014-05-27

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 林百鸣

IPC分类号： G01R27/26 ,  G01R31/26

摘要： 本发明提供一种硅片上各芯片的电容参数的测量方法，包括：选取测试硅片，将电容表的测量探针移至测试硅片上各芯片的上方进行一轮非接触的空测，获得当前测量环境下测试硅片上不同位置的各芯片的零电容数据；提供待测硅片，将测量探针分别接触待测硅片上的各芯片进行正式测量，每测量一个芯片，就将测得值减去与测试硅片上同样位置的芯片的零电容数据，得到待测硅片上各个被测的芯片的实际电容值；将各个被测的芯片经过运算调零后的实际电容值分别与规范值进行比较，判定芯片是否合格，并作为数据记录保存起来。本发明能够克服硅片背面表面电容的分布效应和寄生效应，对硅片上各芯片的小电容参数进行快速而精确的测量，满足大批量生产的需求。

公开(公告)号：CN103943471A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410189309.X

申请日：2014-05-06

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 刘峰松 ,  梁博 ,  史超 ,  王海红

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/02617 ,  C30B25/02 ,  C30B31/22

摘要： 本发明提供了一种外延层形成方法及半导体结构，其中，所述外延层形成方法包括：提供第一类型衬底；对所述第一类型衬底正面执行掺杂工艺，以在所述第一类型衬底正面形成第二类型掺杂区和未掺杂区；在所述第一类型衬底背面形成阻挡层；对所述第一类型衬底正面执行外延生长工艺，以在所述第二类型掺杂区上形成第二类型外延层，在所述未掺杂区上形成第一类型外延层。通过在第一类型衬底正面形成第二类型掺杂区和未掺杂区，由此在执行外延生长工艺时，能够在第二类型掺杂区上形成第二类型外延层，在未掺杂区上形成第一类型外延层，即在同一衬底上形成了两种类型的外延层。

公开(公告)号：CN103922272A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410172285.7

申请日：2014-04-25

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 徐元俊

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B81B1/00

摘要： 本发明提供一种纯二氧化硅侧壁的腔体结构、复合腔体及其形成方法，该腔体结构的形成方法包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成二氧化硅层；对二氧化硅层作图形化，形成凹槽；提供键合片，将其与二氧化硅层键合，在硅衬底与键合片之间形成密闭的侧壁为二氧化硅的腔体结构。该复合腔体的形成方法在先获得该腔体结构的基础上包括步骤：在硅衬底的背面形成掩蔽层并对其作图形化；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至正面的二氧化硅层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和二氧化硅层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片，在键合片及二氧化硅层中形成小腔体。本发明提高了形成复合腔体时从硅衬底的背面刻蚀形成小腔体后小腔体介质厚度的均匀性。

公开(公告)号：CN103832967A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410085898.7

申请日：2014-03-10

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 颜毅林 ,  徐元俊 ,  戴竝盈 ,  孙钧 ,  刘伟

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 本发明提供一种MEMS传感器的加工方法，包括：提供硅衬底，在其正、背面分别依次形成刻蚀阻挡层、第一电极层；对衬底正面的第一电极层作图形化；在其上分别依次形成牺牲层、第二电极层；对衬底正面的第二电极层作图形化；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层形成接触孔，并在接触孔底部和第二电极层上分别形成金属接触；从衬底的背面依次刻蚀第二电极层、牺牲层、第一电极层及刻蚀阻挡层，并继续刻蚀衬底直至正面的刻蚀阻挡层才停止，形成开口向下的深槽；在衬底的正面上方涂覆光刻胶作保护，留出后续需要被刻蚀牺牲层的区域；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层，并去除深槽底部的刻蚀阻挡层。本发明简化了工艺步骤，保证顺利流片并实现良好的成品率。