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公开(公告)号:CN102449740B
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201080022772.5
申请日:2010-05-25
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/268 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , B23K26/00 , B23K26/02 , B23K26/08
CPC classification number: B23K26/352 , B23K26/0006 , B23K26/083 , B23K26/354 , B23K2103/56 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L21/67259 , H01L27/1285 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种激光退火方法及激光退火装置。在沿着被设定成矩阵状的TFT形成区域的纵横方向的任一排列方向搬送基板的同时利用拍摄机构对基板表面进行拍摄,并基于该拍摄图像检测在基板表面预先设定的对准基准位置;将与多个TFT形成区域对应地沿着与基板的搬送方向交叉的方向配置有多个透镜的至少一列透镜阵列,沿着与基板的搬送方向交叉的方向移动,以对准基准位置为基准对透镜阵列的透镜和基板的TFT形成区域进行对位;当基板移动而使TFT形成区域到达透镜阵列的对应透镜的正下方时,向透镜阵列照射激光,从而利用多个透镜使激光聚光以对各TFT形成区域的非晶硅膜进行退火处理。由此,可以跟踪被搬送的基板的移动而使微透镜阵列移动,从而可以提高激光的照射位置精度。
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公开(公告)号:CN103797149A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201280044893.9
申请日:2012-09-14
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: B05B12/20 , B23K26/342 , B23K26/359 , B23K26/382 , C23C14/042 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/48 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , Y10T156/10
Abstract: 本发明是用于在基板上蒸镀形成一定形状的薄膜图案的蒸镀掩膜,该蒸镀掩膜构成为具备透射可见光的树脂制的膜,该树脂制的膜对应于预先在所述基板上确定的所述薄膜图案的形成区域,形成了与该薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案。
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公开(公告)号:CN103703408A
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201280017146.6
申请日:2012-04-03
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G02B27/0955 , G02B27/48 , G02F1/0311 , G02F1/0322 , G02F1/19 , G02F2202/20
Abstract: 在激光照明装置中,在从光源射出的脉冲激光的光路上配置有蝇眼透镜和聚光透镜,在光源与蝇眼透镜之间,或在蝇眼透镜与聚光透镜之间,配置有电光晶体元件,该电光晶体元件使脉冲激光相对于入射光使其偏转方向连续地变化而进行透射。该电光晶体元件例如由1对电极和配置在该电极之间的光学晶体材料构成,通过在电极之间施加电压而产生电场,从而电晶体元件的折射率变化。由此,能降低蝇眼透镜的透射光的由干涉条纹造成的照明不均匀。
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公开(公告)号:CN103392150A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201280011228.X
申请日:2012-02-02
Applicant: 株式会社V技术
Inventor: 水村通伸
IPC: G03F7/20 , G02B13/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70275 , G02B3/0056
Abstract: 曝光装置,使来自光源的曝光用光透过在与扫描方向正交的方向隔开规定的间隔设置有应曝光的多个图案的掩模,并且通过微透镜阵列的多个微透镜使图案的正立等倍像在基板上成像。微透镜阵列构成为,微透镜阵列芯片在第二方向连接,在支承微透镜阵列芯片的框状的支架中,在与微透镜阵列芯片之间的位置匹配的位置设置有曝光用光透过用的开口。由此,能遍及成为多枚单个基板的区域将形成有正性抗蚀剂材料的基板进行曝光。
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公开(公告)号:CN103270454A
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201180053409.4
申请日:2011-08-16
Applicant: 株式会社V技术
Inventor: 水村通伸
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/677 , H01L21/68
CPC classification number: G03F9/00 , G03B17/24 , G03B27/53 , G03B27/58 , G03F7/2002 , G03F7/70791
Abstract: 在薄膜基材(20)的宽度方向的两侧的薄膜基材送给用区域的至少一个区域形成侧部曝光材料膜,通过定位标记形成部(14),照射曝光光来形成定位标记(2a),使用该定位标记(2a)检测薄膜弯曲行进,调整掩模(12)的位置。由此,将薄膜进行连续曝光时的定位标记的形成很容易,且高精度地修正薄膜的弯曲行进,能够得到能稳定地曝光的薄膜曝光装置以及薄膜曝光方法。
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公开(公告)号:CN102959470A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201180031708.8
申请日:2011-06-07
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02F1/13 , G02F1/1368
CPC classification number: G03F7/70275
Abstract: 本发明提供一种曝光装置,其中,形成为能够在与被曝光体的面及光掩模的面平行的面内向箭头(B)方向移动的透镜组装体(11)中,具有将多个单位透镜组装体(11A~11C)以各透镜列(16)的透镜组(15)在与箭头(B)方向交叉的方向上以固定的排列间距排列的方式排列成一列的结构,其中,该多个单位透镜组装体(11A~11C)中,在与箭头(B)方向交叉的方向上以固定的排列间距排列构成为能够将光掩模的掩模图案的等倍正立像成像到被曝光体表面上的多个透镜组(15)而形成多个透镜列(16),且多个单位透镜组装体(11A~11C)以使各透镜列(16)的各透镜组(15)与相对于箭头(B)方向倾斜交叉的轴线(O-O)平行地排列的方式将各透镜列(16)在与箭头(B)方向交叉的方向上相互错开固定量而形成,且具有与轴线(O-O)平行地切除相互相邻的端部(11Aa、11Ba、11Bb、11Ca)的结构。由此,以高析像力进行大面积的被曝光体上的非周期性的图案的曝光。
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公开(公告)号:CN102668025A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080058060.9
申请日:2010-12-09
Applicant: 株式会社V技术
Inventor: 水村通伸
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/704
Abstract: 本发明的曝光装置,具备:光束点生成单元(9),其接受光源光(L1)并以规定间隔相互错开地至少排列成2列而生成多个光束点;光扫描单元(10),其使上述多个光束点沿它们的排列方向在各组的规定范围内进行往返扫描;图案产生器(11),其被配置成使上述多个光束点的往返扫描的中心各自与中心轴一致,且通过对在与上述中心轴平行的对置面设置了一对电极的方柱状的由电光晶体材料构成的多个开关元件进行接通/断开驱动,从而对上述光源光(L1)进行光调制来生成规定的明暗图案;和投影透镜(12),其将上述明暗图案投影在滤色器基板(5)上,使上述各开关元件在上述光束点的扫描方向的宽度比上述光束点在相同方向的宽度大。
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公开(公告)号:CN102667622A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080057974.3
申请日:2010-12-13
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F1/42 , G03F7/20 , G03F7/22 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70283 , G03F1/38 , G03F1/50
Abstract: 本发明提供一种光掩模,具有:在透明基板(4)的下表面(4a)形成有规定形状的多个掩模图案(5)的掩模基板(2);在另一透明基板(9)的下表面(9a)形成有将多个掩模图案(5)的像缩小投影在被对置配置的被曝光体上的多个投影透镜(10),且在上表面(9b)以使光轴与投影透镜(10)的光轴一致的方式形成有将入射光聚光于投影透镜(10)的多个向场透镜(11)的微型透镜阵列(3),以使掩模图案(5)与向场透镜(11)具有规定间隙且处于接近对置的状态的方式来接合掩模基板(2)与微型透镜阵列(3)。由此,能够提高照射于被曝光体的光的利用效率。
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公开(公告)号:CN102334070A
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN201080009430.X
申请日:2010-02-25
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70291 , G03F9/7088
Abstract: 本发明涉及一种曝光装置,其具备:输送机构(1),其上表面载置被曝光体(7)并将其沿一定方向输送;空间光调制机构(3),其将由电光学结晶材料构成的多个光调制元件(9)沿与被曝光体(7)的输送方向交差的方向按规定的排列间距至少排列成一列;光束整形机构(4),其将从各光调制元件(9)射出的光的所述输送方向的宽度限制在规定宽度;控制机构(6),其个别地驱动各光调制元件(9),对空间光调制机构(3)的透射光进行接通/断开控制,生成规定的图案,各光调制元件(9),与其光轴正交的横截面形状形成为在被曝光体(7)的输送方向长的大致长方形状,并且,相对于与所述输送方向平行的轴倾斜规定角度而形成,控制机构(6)使光束整形机构(4)沿所述输送方向移动。由此,提高利用由电光学结晶材料构成的多个光调制元件生成的图案和被曝光体的曝光位置的对位精度。
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公开(公告)号:CN102197340A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN200980142622.5
申请日:2009-10-22
Applicant: 株式会社V技术
Inventor: 水村通伸
IPC: G03F7/20 , G02F1/13 , G02F1/1368 , G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70791 , G03F1/00 , G03F1/14 , G03F1/38 , G03F1/50 , G03F7/70283
Abstract: 本发明提供一种曝光装置,其为在一个方向上搬送TFT用基板(8),隔着光掩膜(3)对TFT用基板(8)间歇地照射光源光(24),对应于形成于所述光掩膜(3)的多个掩膜图案在所述TFT用基板(8)上形成曝光图案的曝光装置,所述光掩膜(3)的一表面形成要求分辨率不同的电极布线图案(14)和信号布线图案(17),在TFT用基板(8)的搬送方向的前后形成有多个电极布线图案(14)构成的电极布线图案群(16)和多个信号布线图案(17)构成的信号布线图案群(18)。在另一表面对应于要求分辨率高的电极布线图案(14)形成将该图案缩小投影于所述TFT用基板(8)的微透镜(19),配置该光掩膜(3)使得该微透镜侧(19)侧作为TFT用基板(8)侧。这样,要求分辨率不同的两种曝光图案在同一曝光步骤中同时形成,提高曝光处理效率。
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