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公开(公告)号：CN115714134A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211255562.1
申请日：2022-10-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法，在不对p‑GaN进行栅槽刻蚀的情况下即可实现p沟道增强型氮化镓晶体管，避免了栅刻蚀方法导致的沟道迁移率降低以及刻蚀表面形成的高密度陷阱态对p沟道增强型器件产生的负面影响，从而有效提高了增强型p沟道氮化镓晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN115579292A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211427963.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种环栅晶体管的内侧墙的制作方法，包括：形成环栅晶体管结构，环栅晶体管结构包括衬底以及形成于衬底上沿第一方向排列的的若干鳍结构以及若干假栅堆叠件；若干假栅堆叠件横跨每个鳍结构，且沿第二方向排列；鳍结构包括：间隔堆叠的牺牲层与沟道层；刻蚀假栅堆叠件之间的鳍结构，以形成源漏空腔；刻蚀牺牲层的沿第一方向的两端，以形成内侧墙空腔；在内侧墙空腔中沉积氧化硅和氮化硅；刻蚀掉内侧墙空腔外的氧化硅和氮化硅，以在内侧墙空腔中形成内侧墙，其中，内侧墙的组成成分是氮氧硅。解决了环栅晶体管的内侧墙的材料介电常数较大，不利于减少寄生电容的问题，以及内侧墙的刻蚀工艺与其他工艺兼容性差的问题。
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公开(公告)号：CN115224186A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210879939.4
申请日：2022-07-25
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结制备装置、方法及约瑟夫森结。该装置包括输送单元、第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元，通过第一沉积单元和第二沉积单元制备约瑟夫森结，通过光刻单元和刻蚀单元对约瑟夫森结进行图形化。本发明的约瑟夫森结制备装置通过真空通道对第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元进行连通，通过第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元分别设置于真空通道的不同侧面，通过输送单元对约瑟夫森结在四个加工单元内进行输送，能够极大的降低约瑟夫森结在制备和图形化过程中需要移动的距离，降低传递过程会对器件性能的影响，保证约瑟夫森结薄膜质量的一致性。
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公开(公告)号：CN115206804A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210582243.5
申请日：2022-05-26
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种GAA底部介质隔离的制备方法，用于对环栅场效应晶体管的衬底与鳍片之间进行隔离，以此抑制和消除沟道底部的寄生沟道泄漏电流以及寄生电容，该方法包括：S1：提供一衬底，并在衬底上形成鳍片；S2：在所述鳍片上淀积第一掩模层，所述第一掩模层包裹所述鳍片的顶面和侧面；S3：以所述第一掩模层为掩模，对所述衬底进行刻蚀，以在所述鳍片下方的衬底中形成一目标区域；S4：对所述目标区域进行热氧化处理，使得所述目标区域以及目标区域下方的部分衬底形成氧化隔离层。
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公开(公告)号：CN113889413B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111070721.6
申请日：2021-09-13
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，环栅器件的源漏制备方法，包括：形成基底上的鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极，所述鳍片包括交替层叠的鳍片沟道层与鳍片牺牲层；所述鳍片沟道层包括处于所述伪栅极内侧的第一沟道层部分，以及未处于所述伪栅极内侧的第二沟道层部分；释放所述鳍片牺牲层；在所述鳍片沿沟道方向的两侧，基于所述第二沟道层部分，分别外延硅，形成硅材料层，并以所述第一沟道层部分作为环栅器件的沟道层；所述硅材料层连接所有沟道层；基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀；基于剩余的硅材料层，外延锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114235840A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111630568.8
申请日：2021-12-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明属于晶圆检测技术领域，公开了一种基于光切显微镜的晶圆表面缺陷检测方法，包括以下步骤：首先初始化晶圆表面缺陷检测系统参数，然后通过晶圆表面缺陷检测系统装载、测量待测晶圆，并根据采集的测量数据对待测晶圆进行表面重构，输出晶圆检测结果。本发明通过采用所述晶圆表面缺陷检测系统对晶圆表面进行高精度、高效率的缺陷检测，并可得到晶圆被测表面的三维轮廓图及缺陷形貌及其坐标，方便后期对晶圆缺陷的清洁、位置标定或进一步精细测量处理。本发明不仅缩减检测时间，从而间接提高了晶圆制造工艺的流通速度，而且可以快速的得到缺陷的高精度信息，对查找晶圆产生缺陷的原因提供了有力的帮助，有效提高产品良率。
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公开(公告)号：CN111369455B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010124835.3
申请日：2020-02-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于视觉测量技术领域，具体为一种基于偏振图像和机器学习的高光物件测量方法。本发明将线偏振片和神经网络算法引入到视觉测量系统中，通过改变偏振角度得到多幅高光强弱不同的图像，从中提取高光像素，将其V通道值作为神经网络算法的训练样本，以进一步抑制高光，最后将所得高光抑制图像导入至立体匹配算法中；本发明能够对具有高反射特性表面的待测物件进行较为准确的视觉测量，通过抑制由外界光源引发的高光现象，提高视觉测量过程中立体匹配的准确率，最终获得更精确的测量结果。实验证明，本发明有效抑制了物件图像的高光，提高了视觉测量中的立体匹配精度，获得了更可靠的深度信息和更精确测量结果。
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公开(公告)号：CN113964202A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111196555.4
申请日：2021-10-14
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件制备的测试方法与系统，其中，将拉曼测试装置引入到环栅器件制备的工艺环节，进而，能够在生长外延层后、刻蚀鳍片后、源漏外延(且伪栅极被去除)、释放牺牲层后、HKMG包裹沟道后、后等至少之一时间点对沟道对应位置的应力进行测试，在此基础上，测试结果可反应出沟道对应位置应力随制备工艺环节的变化。其中，由于拉曼测试装置的测试光的光斑面积较小，进而，可在测试中表征出较小尺寸的结构应力，同时，该过程中，也不会对样品表面产生损伤。可见，本发明能够在无损的情况下准确对各工艺环节下沟道对应位置的应力进行测试与表征，为制备工艺的进一步分析与改进提供准确、充分的依据。
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公开(公告)号：CN113705369A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110908947.2
申请日：2021-08-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于全景环形透镜的视觉SLAM系统及方法，该系统包括：获取单元，通过搭载所述全景环形透镜的相机以某一帧率采集图像序列后；识别单元，通过分析图像处理后的结果，然后对PAL图像的环形有效区域的场景特征进行识别和提取，并进行帧间匹配；定位单元，选择相应的跟踪模型来估计位姿并进行优化；建图单元，通过获取单元、定位单元绘制出相机所在运动载体的行驶轨迹，并计算环境中特征点的空间坐标从而重建出场景地图。本发明采用了全景环形透镜以获取更多的场景特征，并通过筛选有效区域的特征以及采用自适应阈值剔除误差较大的点，有效提高了定位精度。
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公开(公告)号：CN113394295A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110650073.5
申请日：2021-06-10
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种用于P型环栅器件的堆叠结构及增强P型环栅器件的沟道应力的方法，通过将堆叠件的牺牲层与沟道层材料的晶格常数设置成牺牲层材料的晶格常数小于沟道层的材料的晶格常数，并且沟道层的材料的晶格常数等于底层结构的材料的晶格常数；以使得初始状态下，沟道层无应变，牺牲层具有初始的张应变；当牺牲层发生弛豫时，沟道层受到牺牲层因弛豫而诱导的压应变，从而巧妙地利用牺牲层来增强P型环栅器件的沟道层应力，从而提高P型环栅器件的空穴迁移率。
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