-
公开(公告)号：CN111540824A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010389904.3
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种热电堆及其制作方法，所述制作方法包括如下步骤：在衬底正面形成热电堆结构；在衬底背面形成掩膜层；采用干法刻蚀，在掩膜层上形成定位刻蚀窗口；采用博世刻蚀，对定位刻蚀窗口区域的衬底进行第一步刻蚀释放；采用反应离子刻蚀，进行衬底的第二步刻蚀释放，得到完全释放的背腔和保持完整的热电堆结构，完成热电堆的制备。本发明采用常规衬底，通过干法刻蚀释放工艺，分步对衬底进行刻蚀释放，在保持热电堆结构完整性的同时，制作出热电堆器件。
-
公开(公告)号：CN111463340A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010389902.4
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种热电堆及其制作方法，热电堆的制作方法包括如下步骤：在衬底正面形成热电堆结构；在热电堆结构上形成正面保护膜；在衬底背面形成掩膜层；采用干法刻蚀，在掩膜层上形成定位刻蚀窗口；采用湿法腐蚀，对定位刻蚀窗口区域的衬底进行刻蚀释放，形成完全释放的背腔；采用气态氢氟酸去除所述正面保护膜，得到保持完整的热电堆结构，完成热电堆的制备。本发明通过先生长正面保护膜，制备完成背腔后再去除的方式，在具有高选择性释放刻蚀的基础上，保证了热电堆结构的完整性。
-
公开(公告)号：CN111146089A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911274412.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种鳍状结构的制备方法，包括步骤：提供衬底，在衬底上依次形成第一介质层和第一牺牲层；基于第一牺牲层，形成若干分立的第一牺牲鳍；形成第二牺牲层，第二牺牲层覆盖第一牺牲鳍的顶层、侧壁以及第一介质层的顶层；去除第一牺牲鳍顶层、第一介质层顶层的第二牺牲层，在第一牺牲鳍的侧壁形成第二牺牲鳍；形成第二介质层，并平坦化以露出第一牺牲鳍和第二牺牲鳍的顶部；去除第一牺牲鳍；形成第三介质层，并平坦化以露出第二牺牲鳍的顶层；去除第二牺牲鳍及第二牺牲鳍下方的第一介质层，以形成凹槽；自凹槽底部向上外延生长并平坦化以形成鳍状结构。本发明还提供一种鳍状结构，以及基于该鳍状结构的半导体器件的制备方法及半导体器件。
-
公开(公告)号：CN110174453A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910380542.9
申请日：2019-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 本发明提出了一种微电极结构及其制作方法，包括：衬底；在衬底上方形成的刻蚀终止层；在刻蚀终止层上方形成由电极层和牺牲层交错堆叠而成的堆叠层，牺牲层覆盖电极层的部分表面；在电极层的未被牺牲层覆盖的裸露部分上方形成的金属层；在堆叠层上方形成的介电层；穿过堆叠层上方的介电层形成与电极层接触的引线。本发明的微电极结构的间距和密度可以灵活调整，用于对电极间距极小，密度极高的场合，后续表面沉积生物电极里常用的黄金（Au）或铂金（Pt）后，无需增加光刻和刻蚀等工艺即可自然实现电极间微间距导电隔离的目的，既解决了Au和Pt难等离子刻蚀的问题，又使得工艺跟硅基CMOS完全兼容；且制作方法不依赖光刻技术，且尺寸能灵活调控。
-
公开(公告)号：CN110137308A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910431112.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0236
Abstract: 本申请公开了一种红外吸收薄膜及其制备方法，属于微电子制造技术领域，解决了现有技术中的红外吸收薄膜仅在很窄的短波范围内具有较高吸收能力、制备设备昂贵以及微加工工艺兼容性差的问题。本申请的制备方法包括如下步骤：形成敏感层；在敏感层上依次形成吸收钝化层和图形转移层；利用第一次等离子刻蚀在图形转移层远离吸收钝化层一侧形成纳米结构；利用第二次等离子刻蚀将图形转移层的纳米结构转移至吸收钝化层。本申请的红外吸收薄膜包括层叠布置的敏感层和吸收钝化层，所述吸收钝化层远离敏感层的一侧形成有纳米结构。本申请的红外吸收薄膜及其制备方法可用于红外器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110137073A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910401898.6
申请日：2019-05-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提出了一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，该方法包括：进行主刻蚀，含有氧气、碳元素和氟元素的第一混合气体在等离子体形态对底层电路上需要去除的聚酰亚胺层的主要厚度层进行刻蚀，其中，第一混合气体中的碳元素和氟元素的原子个数比大于等于2:1，以保证对聚酰亚胺侧壁的有效保护；进行过刻蚀，含有氧气、碳元素且不含氟元素的第二混合气体在等离子体形态对底层电路上聚酰亚胺层的剩余厚度层进行刻蚀直至聚酰亚胺层刻蚀干净并实现图案化。本发明主刻蚀用高碳氟比的气体进行侧壁保护，有效控制PI层横向钻蚀，减少与设计尺寸偏差，过刻蚀含碳且不含氟，保证侧壁形貌，让刻蚀基本不损伤底部SiN和SiO2，有效保护好结构，扩大刻蚀工艺窗口。
-
公开(公告)号：CN109904234A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910156942.1
申请日：2019-03-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供一种纳米线围栅器件及其制造方法，衬底上可以形成有第一方向延伸的鳍，在鳍上形成沿第二方向延伸且覆盖鳍的中部的伪栅，在伪栅的侧壁上依次形成第一侧墙和第二侧墙，以及在伪栅两侧的鳍上形成覆盖层，去除第一侧墙形成第一开口，去除第一开口中的第二外延层，以形成沿第二方向贯穿第二外延层的间隙，鳍中的第二外延层被切断，形成三部分，在间隙中形成介质材料的阻挡层，阻挡层可以将三部分第二外延层分隔开，去除伪栅以形成第二开口，以阻挡层为刻蚀停止层去除第二开口中的第二外延层，这样，不会对阻挡层另一侧的第二外延层形成损伤，从而形成的栅长为假栅沿第一方向上的长度，准确的控制了栅长，从而提高器件性能。
-
公开(公告)号：CN119894053A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202311378090.3
申请日：2023-10-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请实施例公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法，薄膜晶体管包括了衬底层、源极、漏极、栅极、有源层和栅极隔离层，衬底层上形成有第二沟槽，至少部分栅极设置在第二沟槽内，栅极连接于栅极隔离层背离于有源层的一侧，基于此通过本申请实施例提供的薄膜晶体管有效缩短沟道并形成沟槽状的栅极，窄沟槽三维沟道器件，从而在不增加器件水平面积(foot Print)前提下提高器件开态电流密度，提高导通电流与存储密度。
-
公开(公告)号：CN114520138B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202011297698.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种绝缘窗、反应腔及电感耦合等离子体处理装置，涉及半导体技术领域，以解决由于陶瓷窗表面温度不均匀，生成聚合物颗粒，影响刻蚀工艺的良率和性能的问题。所述绝缘窗包括：绝缘窗本体、加热组件和温度控制组件。绝缘窗本体具有腔体结构。加热组件均匀的设置在腔体结构中，用于对绝缘窗本体进行加热。温度控制组件与加热组件相连接，用于调节加热组件的加热温度。所述反应腔包括上述技术方案所提的绝缘窗。所述电感耦合等离子体处理装置包括上述技术方案所提的绝缘窗。本发明提供的电感耦合等离子体处理装置用于处理晶圆。
-
公开(公告)号：CN114551204B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202011341064.X
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中无法有效控制晶片边缘的关键尺寸，导致晶片边缘的关键尺寸不均匀，无法得到期望的晶片轮廓的问题。该用于控制晶片边缘关键尺寸的系统包括顶盘、内电极、外电极、用于放置晶片的静电卡盘、用于保护晶片边缘的边缘环、第一进气系统和第二进气系统；第一进气系统包括贯通顶盘和外电极的第一气孔，第一气孔用于向晶片的边缘供气；第二进气系统包括贯通顶盘和内电极的第二气孔，第二气孔用于向晶片的中心供气。本发明实现了对晶片特定点的末端边缘关键尺寸的精密控制。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
287
records
(took 0.033 seconds)
