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公开(公告)号：CN109903801B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910208832.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的数据读出电路及方法，包括：参考读电压产生电路、读电压预充电电路、目标相变存储单元、未选中相变存储单元、电压比较器电路；其中，所述参考读电压产生电路与所述电压比较器电路连接，所述读电压预充电电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述未选中相变存储单元所在位线连接，所述目标相变存储单元与所述电压比较器电路连接，所述未选中相变存储单元与所述电压比较器电路连接，所述电压比较器电路与所述读电压预充电电路连接。本发明的相变存储器的数据读出电路及方法读出速度快、功耗低且误读率低。
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公开(公告)号：CN112582371A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011465265.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维智能微系统芯片，主要包括第一芯片、第二芯片和第三芯片；其中，第一芯片包括传感层。针对传统传感器(如MEMS)难以与CMOS集成的痛点，本发明将传感器、处理器、存储器通过晶圆级的集成封装可实现更高的集成密度，更好的鲁棒性，降低电气连接中的寄生电容，降低测试成本，是大阵列传感器实现的前提，数据在内部传输也降低了数据被窃取的风险；同时保持了多芯片方案更好的材料兼容性和更快的产品开发周期的优点。
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公开(公告)号：CN106898371B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201710102254.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法，包括：在对三维存储单元阵列进行读操作时，通过配置模块将所述三维存储单元阵列中的所有位线置为读不选择位线电压，将所述三维存储单元阵列中的所有字线置为读不选择字线电压；待脉冲信号到来后，将要读取的存储单元所在的位线置为读取电压Vread，将要读取的存储单元所在的字线置为0V；其中，所述读不选择位线电压介于Vread/2与Vread之间；所述读不选择字线电压介于Vread/2与Vread之间。本发明降低了位线上半选通单元两端的电压，三维存储器芯片在读操作时功耗变低、速度变快、无全阵列漏电、选中字线上未被选中的存储单元保持半选通。
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公开(公告)号：CN105931665B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201610242426.7
申请日：2016-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器读出电路及方法，包括存储数据的目标相变存储单元阵列；非晶态参考相变存储单元列；晶态参考相变存储单元列；以及灵敏放大器。初始阶段，将非晶态参考相变存储单元置为非晶态，将晶态参考相变存储单元列置为晶态；选中一个目标相变存储单元、一个非晶态相变存储单元以及一个晶态相变存储单元，其信号输出至灵敏放大器；灵敏放大器以非晶态相变存储单元和晶态相变存储单元的读电流为基准产生参考电流，将目标相变存储单元的读电流和参考电流进行比较，以产生目标相变存储单元的读出电压信号。本发明的相变存储器读出电路及方法具有读取时间短，对工艺变化适应性强和误读取少等优点，有效改善了相变存储器读出电路的性能。
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公开(公告)号：CN110794673A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910986671.2
申请日：2019-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05B13/04
Abstract: 本申请实施例所公开的一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统，其中，电路包括神经元输入模块、时钟选择模块、计数模块、置零延时模块和神经元输出模块，计数模块具有脉冲信号输入端、时钟信号输入端、清零端和计数信号输出端，神经元输入模块与脉冲信号输入端连接，时钟选择模块与时钟信号输入端连接，置零延时模块与清零端连接，神经元输出模块与计数信号输出端连接。基于本申请实施例，能够在神经网络中动态地进行神经元信号的向上或者向下计数，并且通过置零延时模块能够对置零信号和计数信号进行展宽，模拟神经元的不应期，使得计数模块中的数据清零。该仿生电路采用全数字设计，不仅能够简化电路的复杂程度，而且能够减少电路的功耗，便于实现大规模电路集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106875963B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710092925.7
申请日：2017-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维存储器读出电路及读出方法，包括：读参考电路，产生一个可以快速区分读低阻态单元电流和读高阻态单元电流的读参考电流；以及灵敏放大器。读参考电路包括参考单元、位线匹配模块、字线匹配模块和传输门寄生参数匹配模块。本发明针对三维存储器在平面和垂直方向的寄生效应和漏电，在读参考电流中引入对位线寄生参数、漏电和传输门寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，消除了伪读取现象，减小了读出时间；且适用范围广、读出正确率高。
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公开(公告)号：CN109347464A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811455080.4
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/22
Abstract: 本发明提供一具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路及其实现方法，所述电路包括：上电复位模块，用于在上电时检测电源电压，并在电源电压大于第一阈值电压时产生上电阶跃信号；掉电检测模块，连接于上电复位模块，用于在掉电时检测电源电压，并在电源电压小于第二阈值电压时产生掉电阶跃信号；波形整合模块，连接于上电复位模块和掉电检测模块，用于将上电阶跃信号和掉电阶跃信号进行波形整合，产生上电复位阶跃信号和掉电检测阶跃信号；脉冲产生模块，连接于波形整合模块，用于对上电复位阶跃信号和掉电检测阶跃信号进行处理，产生上电复位脉冲信号和掉电检测脉冲信号。通过本发明解决了现有上电复位电路存在的诸多问题。
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公开(公告)号：CN106356090B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610744117.X
申请日：2016-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器读出电路及其数据读取方法，所述相变存储器读出电路至少包括：预充电电压产生模块，用于预设并产生一预充电电压；控制模块，用于在接收到外部读使能信号后，产生预充电信号；预充电模块，分别与m条所述本地位线、所述预充电电压产生模块和所述控制模块连接，用于根据所述预充电信号进行预充电，将m条所述本地位线同时充电到所述预充电电压，并在所述预充电信号结束后，停止预充电；灵敏放大器模块，与所述读位线连接，用于在停止预充电后，读取所述被选中的相变存储单元中存储的数据。本发明可以达到相对较小的随机读取时间，同时也兼顾了读取的正确性和读裕度。
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公开(公告)号：CN105763051B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201610231262.8
申请日：2016-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明提供一种轻载降频模式控制系统，包括：过零检测电路，用于基于开关节点的谐振现象来判定电感电流的死区时间；输出负载电流计算电路，用于根据电感电流在一个开关周期内充磁时间和退磁时间的相对变化来衡量负载的变化，提供与负载电流相关联的负载检测电压信号；以及变频控制电路，根据与负载电流相关联的负载检测电压信号来自适应调节时钟单元中控制频率。本发明涉及的轻载降频模式控制系统能够根据输出端负载电流的实时变化来合理有效地调节PWM控制频率，改善轻载下电源转换效率的同时又很好的解决了变频过程中带来的频率振荡问题。
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公开(公告)号：CN106601290B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610935023.0
申请日：2016-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种具有温度跟随特性的相变存储器读电路，包括：参考相变存储阵列、相变存储阵列、参考相变存储单元地址寄存模块、参考电流产生模块、钳位电压产生模块及电流比较模块。本发明的相变存储器读电路通过对大规模相变存储阵列的不同位置的环境温度采样，利用高低阻态下相变单元的温度漂移系数，使所述参考电流随环境温度变化具有恰当的自调性，此种特性兼顾了相变存储阵列不同物理位置的温度差异，避免了所述参考电流值与相变单元位线电流值的混叠，提高了所述读出电路在外界环境温度改变时的正确读取。
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