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公开(公告)号：CN113807043B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111094822.7
申请日：2021-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/396 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了时钟树综合和布局混合优化方法和装置、存储介质和终端，其中方法包括获取所有时钟端口的坐标位置，并获取所有时钟端口的逻辑深度；基于所有时钟端口的逻辑深度对所有时钟端口分组得到多个逻辑深度组，并获取每个逻辑深度组的分割点；基于逻辑深度组的分割点计算主干节点，并连接形成时钟树主轨道；计算逻辑深度组中所有叶节点，并将其连接到时钟树主轨道上；将所有主干节点和所有叶节点转化为虚拟单元，并将所有虚拟单元和待优化电路版图内的所有逻辑门均作为可移动单元得到优化后的电路板图。本发明进一步提升了超导集成电路，尤其是SFQ逻辑中的Bit‑Slice电路结构的时钟树性能和布局效果，为后续电路的布线优化提供了更优化的版图布局。
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公开(公告)号：CN118137993A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410327391.1
申请日：2024-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温串联超导量子干涉器件阵列微波放大器及其制备方法，该微波放大器包括：输入阻抗匹配网络、超导量子干涉器件阵列、输入终端匹配电阻及输出阻抗匹配网络，其中输入阻抗匹配网络的输入端与信号输入外电路电连接；超导量子干涉器件阵列包括多个串联的直流超导量子干涉器件，直流超导量子干涉器件包括超导环路、与超导环路耦合的输入耦合线圈及磁通偏置线圈，输入端电连接输入阻抗匹配网络输出端；输入终端匹配电阻两端分别与输入耦合线圈终端及接地平面电连接；输出阻抗匹配网络输入端与超导量子干涉器件阵列输出端电连接，输出端与信号输出外电路电连接。本发明的微波放大器器件增益提升，系统复杂度降低，便于大规模集成应用。
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公开(公告)号：CN117007195A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210457541.1
申请日：2022-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种降低超导单光子探测器暗计数的方法及超导单光子探测器装置，包括：1)根据需求采用模型计算并设计滤光片，加工形成所述滤光片；2)提供超导纳米线单光子探测器芯片，将所述滤光片固定在所述超导纳米线单光子探测器芯片的上表面；3)将所述滤光片、所述超导纳米线单光子探测器芯片与光纤封装在一起，所述光纤与所述滤光片相对设置，并调节所述光纤与所述滤光片之间的距离以实现聚焦，得到超导纳米线单光子探测器装置。本发明构建了一种紧凑、普适、便捷的低损耗、低温滤波方法；实现了对器件背景暗计数的强烈抑制效果，从而带来了器件同等噪声功率超过20倍的显著提升。
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公开(公告)号：CN116192079A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310202777.5
申请日：2023-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/10 , H03H9/25 , H03H9/145 , H10N30/067 , H10N30/87
Abstract: 本发明提供一种高频声表面波谐振器及制备方法，采用直写光刻及干法刻蚀相结合的工艺制备所述金属电极，与传统剥离方案相比具有工艺流程稳定易控制、步骤少、重复性高和良品率高等优点，且所述金属电极低温下超导，从而可与超导集成电路工艺兼容，使得其在声表面波器件与超导量子器件集成耦合、高性能高频率声表面波谐振器及滤波器等研究或工业制造方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109508303B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201811156556.4
申请日：2018-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/0895
Abstract: 本发明提供一种用于并行数据存储的超导高速缓冲存储器，包括M个并行的N位存储单元，用于存储N位数据，并在清除操作期间，基于清除控制信号清除指定清除位的数据；在写入操作期间，基于写入控制信号将输入数据写入指定写入位；清除写入地址译码器，连接N位存储单元，用于在清除操作期间产生清除控制信号，在写入操作期间产生输入、写入控制信号；数据输入缓冲门，连接清除写入地址译码器和N位存储单元，基于输入控制信号，将暂存的输入数据输出至N位存储单元；数据输出地址译码器，用于在读出操作期间产生读出控制信号；数据输出控制门，连接数据输出地址译码器和N位存储单元，用于在读出操作期间，基于读出控制信号读出指定读出位的数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112229510B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011101934.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单光子探测器及制备方法，包括：衬底及形成于所述衬底上的超导线，所述超导线包括多个直线部及连接直线部的拐角部；其中，所述超导线的拐角部的厚度大于直线部的厚度。本发明的单光子探测器及制备方法将超导线拐角部的厚度加厚(大于直线部厚度)，从而提升拐角区域的临界电流。尽管超导线拐角部仍然存在“电流拥挤效应”，但因为拐角区域整体的临界电流提升至高于直线部的临界电流水平，拐角区域不再是限制整体超导线临界电流的瓶颈，从而达到抑制拐角区域“电流拥挤效应”所带来的不良影响的目的。
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公开(公告)号：CN111755587B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201910232708.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种场效应超导纳米桥结及其结构和制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；在衬底上形成衬底介电层；在衬底介电层上形成图形化的超导薄膜层；在衬底介电层上未被超导薄膜层覆盖的区域以及超导薄膜层的侧壁形成由栅极介电层和导电薄膜层构成的叠层结构，导电薄膜层与超导薄膜层之间通过栅极介电层隔离。本发明通过引入超导薄膜层以及隔离超导薄膜层与导电薄膜层的栅极介电层，获得了结构简单易于制备的场效应超导纳米桥结结构。所述场效应超导纳米桥结结构工作在液氦环境下且工作门电压小。基于所述场效应超导纳米桥结结构的场效应超导纳米桥结具有微型化、超导临界电流足够大、易于调控的优点。
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公开(公告)号：CN114496915A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210107776.8
申请日：2022-01-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L27/18 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供一种应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构及其制备方法，通过对光刻胶层进行图形化形成光刻窗口，并基于该光刻窗口形成超导连接层，然后在该超导连接层上形成上层超导金属层，实现上下两层超导金属层通过超导连接层的电性连通。由于光刻胶层是通过曝光显影形成光刻窗口，光刻窗口的形状非常规则，所以形成的超导连接层形状非常规则，同时上层超导金属层形成于该规则的超导连接层上，如此实现预设层数超导金属层的互连，得到的电连接结构具有方块电感特点，电感值小且易控制；另外，电连接通路图形规整完好，大幅提升孔洞的导通承载电流，且电流路径没有弯折，电流分布均匀；最后，光刻窗口工艺密度大，可以有效降低电连接结构体积。
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公开(公告)号：CN114171670A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111492417.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫森结、超导电路及其制备方法，该方法通过对约瑟夫森结的下电极采用分步溅射沉积的方法，在制备超导材料层之前，先对不同条件下单次溅射薄膜的应力和粗糙度进行表征，得到不同溅射条件下薄膜应力和粗糙度的关系图；然后再选用合适的压/张应力的条件分步溅射薄膜，再对分步溅射的薄膜的应力和粗糙度进行表征，得到此条件下薄膜粗糙度和应力，从而同时对薄膜应力和粗糙度进行了调控，获得应力和粗糙度极好的条件，使多次溅射的超导薄膜上粗糙度降低，可在保证约瑟夫森结质量的前提下使后续形成的势垒材料层厚度得到有效降低，从而可在高临界电流密度下依然获得高质量的约瑟夫森结，突破现有临界电流密度越高质量越差的情况。
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公开(公告)号：CN113839644A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111172715.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于压电薄膜的声表面波与超导量子比特耦合器件，包括：制备于AlN压电薄膜上的透射型声表面波谐振腔，及制备于蓝宝石衬底上的超导Transmon量子比特、微波读出谐振腔、磁通偏置线及微波馈线电路，通过将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特分别制备在AlN压电薄膜及蓝宝石衬底上，采用低损耗的蓝宝石衬底消除了压电材料对超导Transmon量子比特的弛豫，并通过第一耦合电容将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特连接，实现两者之间的强耦合和高相干的效果，突破了体压电材料的高损耗限制，从而达到在实现声子与超导量子比特的强耦合的同时提高超导Transmon量子比特退相干时间，为最终实现微波与光量子转换的超导量子网络连接提供了可行性。
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