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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204144278U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420537161.X
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池，减薄的外延衬底一侧设置背电极，背电极键合在柔性薄膜衬底上；减薄的外延衬底另一侧设置外延结构，外延结构上设置欧姆接触层，欧姆接触层上设置正面栅线电极，且选择性腐蚀欧姆接触层，腐蚀区域设置减反射膜。本实用新型转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
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公开(公告)号：CN204102929U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420493641.0
申请日：2014-08-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本实用新型公开一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，在发光结构一侧设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置粗化层；在粗化层上形成沟槽，在沟槽中形成扩展电极，扩展电极与欧姆接触层接触形成欧姆接触；采用掩膜、光刻、蒸镀工艺在粗化层表面制作焊盘电极，焊盘电极与扩展电极连接导通。本实用新型可以提高扩展电极的可靠性，且获得更好电流扩展效果，提高红外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN204011467U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420021293.7
申请日：2014-01-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自下而上依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本实用新型使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN202651187U
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201220224646.4
申请日：2012-05-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本实用新型公开一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，包括一衬底，在衬底的下面连接有第一电极，在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极，沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层，其中1≤X≤50；优选所述的Delta掺杂层的厚度≤1nm；本实用新型可以提高电流扩展层的横向电导率，有效降低发光二极管的正向工作电压，提高发光二极管的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN201340856Y
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200820145815.9
申请日：2008-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本实用新型公开一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管，N－GaAs衬底上外延的材料自下而上依次包括n－GaAs缓冲层、AlAs/AlxGa1－xAs或AlInP/(AlxGa1－x)yIn1－yP布拉格反射层、n－(AlxGa1－x)yIn1－yP下限制层、Undoped－(AlxGa1－x)yIn1－yP有源区、p－(AlxGa1－x)yIn1－yP上限制层、p++AlxGa1－xAs和p－GaP组合电流扩展层，p++AlxGa1－xAs在下面为第一电流扩展层，p－GaP在上面为第二电流扩展层。此结构集GaP和AlxGa1－xAs材料的优点于一体，避免材料的氧化，保证电流扩展和器件的可靠性、稳定性。
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