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公开(公告)号：CN102646711A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210101013.9
申请日：2012-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有轻掺杂的P型埋层，且P型埋层在N型柱内。
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公开(公告)号：CN102611425A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210059630.7
申请日：2012-03-08
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 一种抗电源噪声干扰的高压侧栅极驱动电路，包括浮动电源VB-VS，双脉冲产生电路，高压电平位移电路，含有随机失调噪声滤波电路的噪声滤波电路，RS触发器，输出驱动电路，在随机失调噪声滤波电路上连接有共模噪声滤波电路，并且共模噪声滤波电路的第一、第二输出端与随机失调噪声滤波电路的第一、第二输入端连接，所述共模噪声滤波电路由六个与非门和四个反相器组成，它能有效的滤除高压侧电源VB浮动过程中产生的电源共模噪声，避免了高压侧电路由于共模噪声干扰而造成的误触发现象，所述共模噪声滤波电路，采用纯数字电路、没有无源器件、电路结构简单，适合高压侧栅极驱动电路、半桥驱动电路和智能功率模块等芯片的应用。
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公开(公告)号：CN101964344B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010101671.9
申请日：2010-01-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/762
Abstract: 提供一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的平板显示器驱动芯片，由高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、低压器件组成，各高压器件之间均以始自埋氧层穿过N型埋层和N型外延层终止于器件表面场氧并填充有二氧化硅的双槽结构隔离，在外延层与埋氧层相接区域有N型埋层。制备方法：在P型衬底上制作埋氧层，N型埋层，淀积外延层，再制作高压N型横向金属氧化物半导体管和高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的高压P阱及高压P型横向金属氧化物半导体管的P型漂移区，高压管的缓冲层、低压管的低压阱，源漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝，形成电极和金属场板，钝化处理。
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公开(公告)号：CN101587901B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910032750.6
申请日：2009-06-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 显示器驱动芯片，由高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压二极管和低压器件构成，各高压器件之间和高压与低压器件之间以始自埋氧层经过N型外延层终止于器件表面场氧并填充有二氧化硅的双槽隔离，在高压N型横向金属氧化物半导体管和高压二极管电极下方的埋氧层上方设有部分N型或P型重掺杂埋层。制备方法：在P型衬底上制作埋氧层，在埋氧层上方制作部分N型或P型重掺杂埋层，淀积N型外延层，制作高压N型横向金属氧化物半导体管和高压二极管的高压P阱及高压P型横向金属氧化物半导体管的P型漂移区，高压管的缓冲层、低压器件的低压阱，源漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝，形成电极和金属场板，钝化处理。
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公开(公告)号：CN102280471A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110224197.3
申请日：2011-08-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高维持电压P型静电防护半导体器件，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋置氧化层，埋置氧化层上面是P型的掺杂半导体漂移区，N阱区设置在P型的掺杂半导体漂移区上方，而场氧化层，金属层，栅氧化层,多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，P型源区和N型接触区设置在N阱中，其特征是：在于在N阱内还设有N型掺杂半导体区，且N型掺杂半导体区位于P型源区和栅氧化层的下方。该器件可以有效地提高静电防护过程中的维持电压，因此该器件具有更好的抗闩锁能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102208450A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110139625.2
申请日：2011-05-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种用于高压驱动电路的隔离结构，包括：P形衬底，在P形衬底上设有P型外延层，在P型外延层上设有高压区、低压区、高低压结终端区、第一P型结隔离区和半环形P型结隔离区且半环形P型结隔离区的两端与第一P型结隔离区连接，其特征在于，所述的半环形P型结隔离区由半环形P型埋层及半环形P型阱区组成，半环形P型阱区位于半环形P型埋层上方，在半环形P型埋层的两端与第一P型结隔离区之间分别设有第一间隙和第二间隙，所述P形衬底和P型外延层向第一间隙和第二间隙延伸并填实。本发明解决了P型埋层引入造成的高低压结终端区中发局部击穿问题，使得LDMOS与周围部分有效隔离。
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公开(公告)号：CN102201661A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110143100.6
申请日：2011-05-30
Applicant: 东南大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 一种绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，保护电路包括电压探测电路，电流探测电路，软关断保护电路，降栅压保护电路，其中，电压探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接受到反馈信号后，采取两步关断的方式保护绝缘栅双极型器件，电压探测电路反馈信号与一路电流探测电路反馈信号采用一对背靠背二极管隔离后接至降栅压电路，避免了相互干扰，另一路电流探测信号直接反馈至软关断电路，本发明只需要简单的电阻、电容、场效应管、二极管、齐纳管就能实现，使的短路保护结构非常简单，且响应及时、可靠，大大降低了成本，便于集成。
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公开(公告)号：CN101976682A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010265783.8
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/265
Abstract: 一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件，包括型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P外延层，在P外延层上面设有N型漂移区与P阱区，在P阱区表面设有N型源区和P型接触区，在N型漂移区上设有N型缓冲区，P型漏区，在P外延的表面还设有栅氧化层，在P阱的表面有N型源区、P型接触区，N型漂移区表面的P型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述N型绝缘体上硅横向器件的N型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成N型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长P型外延；制备N型漂移区与P阱；制备环形N型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶硅栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。
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公开(公告)号：CN101976670A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010266465.3
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流P型半导体组合器件，包括：N型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的N型外延层，Ⅰ区包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，Ⅱ区包括：P型三极管漂移区、N型深阱、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区、P型源区和N型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于P型基区包在P型缓冲区内部，N型漏区上的漏极金属与P型基区上的基极金属通过金属层连通。本发明在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。
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公开(公告)号：CN101969072A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010265890.0
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置有N型埋层，P型阱区，N型阱区，N型漂移区，在P型阱区表面靠左侧上设置有P型接触区、N型源区和N型沟道注入区，P型阱区内设有P型注入区，且P型注入区的左端边界位于N型源区的下方，P型注入区的右端边界与漏端N型漂移区相邻。P型接触区和多晶硅电极通过互连金属连线相连接作为栅极。该结构大幅度的降低了N型耗尽型横向双扩散金属氧化物半导体管的阈值电压。在电路应用中漏极金属连线直接连接至高压电源，栅极金属连线接地，源极金属连线直接连接低压电路，为低压电路提供低压电源。
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