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公开(公告)号：CN101488524B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910024952.6
申请日：2009-02-27
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/316 , H01L21/762
摘要： 一种高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、N型掺杂半导体区和P阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在N型掺杂半导体区内设有P型反型层且P型反型层位于N型漏区和N型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使N型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的空穴集聚在N型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。
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公开(公告)号：CN101872785A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010198486.6
申请日：2010-06-11
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括N型碳化硅衬底，在N型碳化硅衬底上设N型外延层，在N型外延层内设源和P型漂移区，在P型漂移区内设有漏和N型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与P型漂移区之间的N型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在N型保护环的表面、漏的表面以及N型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在N型碳化硅衬底与N型外延层之间设P型浮置埋层，且所述P型浮置埋层位于N型碳化硅衬底与N型外延层交界面上。其制备方法是选择N型碳化硅衬底后，采用注入硼离子的方法制备P型浮置埋层，再进行其它常规操作。
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公开(公告)号：CN101169916A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710191034.3
申请日：2007-12-04
申请人： 东南大学
IPC分类号： G09G3/28 , G09G3/20 , H01J17/49 , H03K17/687
摘要： 一种降低驱动芯片高压驱动电路功耗的方法，该方法基于电荷共享的原理，即屏电容通过从其他输出端电容由高转低所释放的电荷的转移充电至高电位，当屏电容转换为低电位时，它的电荷将转移到其他转换为高电位的输出端电容，使外电源加到电极上的电荷明显减少，而使总功率得以显著降低。根据上述方法设计的一种低功耗高压驱动电路，包括设有电平转换级、输出缓冲级、输出驱动级构成的现有高压驱动电路，其特征是设置一能量恢复电路模块，该模块包括电平转换级、两级缓冲单元构成的输出缓冲级，电平转换级、两级缓冲单元中的第一级输出缓冲单元及第二级输出缓冲单元分别与前述现有技术电平转换级、输出缓冲级、输出驱动级的电路及连接关系相同，输出缓冲级后级连一高压开关管级，高压开关管级的输出接高压驱动电路的输出端。
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公开(公告)号：CN101872785B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010198486.6
申请日：2010-06-11
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括N型碳化硅衬底，在N型碳化硅衬底上设N型外延层，在N型外延层内设源和P型漂移区，在P型漂移区内设有漏和N型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与P型漂移区之间的N型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在N型保护环的表面、漏的表面以及N型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在N型碳化硅衬底与N型外延层之间设P型浮置埋层，且所述P型浮置埋层位于N型碳化硅衬底与N型外延层交界面上。其制备方法是选择N型碳化硅衬底后，采用注入硼离子的方法制备P型浮置埋层，再进行其它常规操作。
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公开(公告)号：CN100565636C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710191034.3
申请日：2007-12-04
申请人： 东南大学
IPC分类号： G09G3/28 , G09G3/20 , H01J17/49 , H03K17/687
摘要： 一种降低驱动芯片高压驱动电路功耗的方法，该方法基于电荷共享的原理，即屏电容通过从其他输出端电容由高转低所释放的电荷的转移充电至高电位，当屏电容转换为低电位时，它的电荷将转移到其他转换为高电位的输出端电容，使外电源加到电极上的电荷明显减少，而使总功率得以显著降低。根据上述方法设计的一种低功耗高压驱动电路，包括设有电平转换级、输出缓冲级、输出驱动级构成的现有高压驱动电路，其特征是设置一能量恢复电路模块，该模块包括电平转换级、两级缓冲单元构成的输出缓冲级，电平转换级、两级缓冲单元中的第一级输出缓冲单元及第二级输出缓冲单元分别与前述现有技术电平转换级、输出缓冲级、输出驱动级的电路及连接关系相同，输出缓冲级后级连一高压开关管级，高压开关管级的输出接高压驱动电路的输出端。
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公开(公告)号：CN101964344B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010101671.9
申请日：2010-01-27
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/762
摘要： 提供一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的平板显示器驱动芯片，由高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、低压器件组成，各高压器件之间均以始自埋氧层穿过N型埋层和N型外延层终止于器件表面场氧并填充有二氧化硅的双槽结构隔离，在外延层与埋氧层相接区域有N型埋层。制备方法：在P型衬底上制作埋氧层，N型埋层，淀积外延层，再制作高压N型横向金属氧化物半导体管和高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的高压P阱及高压P型横向金属氧化物半导体管的P型漂移区，高压管的缓冲层、低压管的低压阱，源漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝，形成电极和金属场板，钝化处理。
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公开(公告)号：CN101834202A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010146509.9
申请日：2010-04-13
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
摘要： 一种降低热载流子效应的N型横向绝缘栅双极型器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有P型外延层，在P型外延层上设有N型阱和P阱区，在N型阱上设有N型缓冲阱，在N型缓冲阱上设有P型阳区，在P阱区上设有N型阴区和P型体接触区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在P阱区的下部、埋氧之上设有P型埋层，且插入P型外延层一部分，与P阱区整体构成反向的“L”型P区，这种结构可以将器件的空穴电流引向底部，降低了器件沟道区的离子产生率和纵向电场，同时降低了热电子的温度，从而有效抑制了器件的热载流子效应。
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公开(公告)号：CN101834202B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010146509.9
申请日：2010-04-13
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
摘要： 一种降低热载流子效应的N型横向绝缘栅双极型器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有P型外延层，在P型外延层上设有N型阱和P阱区，在N型阱上设有N型缓冲阱，在N型缓冲阱上设有P型阳区，在P阱区上设有N型阴区和P型体接触区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在P阱区的下部、埋氧之上设有P型埋层，且插入P型外延层一部分，与P阱区整体构成反向的“L”型P区，这种结构可以将器件的空穴电流引向底部，降低了器件沟道区的离子产生率和纵向电场，同时降低了热电子的温度，从而有效抑制了器件的热载流子效应。
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公开(公告)号：CN101964344A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010101671.9
申请日：2010-01-27
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/762
摘要： 提供一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的平板显示器驱动芯片，由高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、低压器件组成，各高压器件之间均以始自埋氧层穿过N型埋层和N型外延层终止于器件表面场氧并填充有二氧化硅的双槽结构隔离，在外延层与埋氧层相接区域有N型埋层。制备方法：在P型衬底上制作埋氧层，N型埋层，淀积外延层，再制作高压N型横向金属氧化物半导体管和高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的高压P阱及高压P型横向金属氧化物半导体管的P型漂移区，高压管的缓冲层、低压管的低压阱，源漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝，形成电极和金属场板，钝化处理。
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公开(公告)号：CN101488524A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910024952.6
申请日：2009-02-27
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/316 , H01L21/762
摘要： 一种高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、N型掺杂半导体区和P阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在N型掺杂半导体区内设有P型反型层且P型反型层位于N型漏区和N型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使N型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的空穴集聚在N型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。
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