公开(公告)号：CN102222884B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110142457.2

申请日：2011-05-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  霍昌隆 ,  崔其晖 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02H7/20 ,  H02H3/08

Abstract: 一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，电路包括电流变化探测电路，电流探测电路，软关断保护电路和降栅压保护电路，电流变化探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接受到反馈信号后，采取两步关断的方式保护绝缘栅双极型器件。本发明电流探测电路并不常开，采用电流变化探测电路反馈信号来启动电流探测电路，避免了不必要的功耗；电流探测电路有两路反馈信号，分别反馈至软关断电路与降栅压电路，只需要简单的电阻、电感、场效应管、二极管、齐纳管就能实现，使的短路保护结构非常简单，且不引入工艺复杂的器件，响应及时、可靠，大大降低了成本，便于集成。

公开(公告)号：CN102222884A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110142457.2

申请日：2011-05-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  霍昌隆 ,  崔其晖 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02H7/20 ,  H02H3/08

Abstract: 一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，电路包括电流变化探测电路，电流探测电路，软关断保护电路和降栅压保护电路，电流变化探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接受到反馈信号后，采取两步关断的方式保护绝缘栅双极型器件。本发明电流探测电路并不常开，采用电流变化探测电路反馈信号来启动电流探测电路，避免了不必要的功耗；电流探测电路有两路反馈信号，分别反馈至软关断电路与降栅压电路，只需要简单的电阻、电感、场效应管、二极管、齐纳管就能实现，使的短路保护结构非常简单，且不引入工艺复杂的器件，响应及时、可靠，大大降低了成本，便于集成。

公开(公告)号：CN102201661A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110143100.6

申请日：2011-05-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  霍昌隆 ,  崔其晖 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02H7/20

Abstract: 一种绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，保护电路包括电压探测电路，电流探测电路，软关断保护电路，降栅压保护电路，其中，电压探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接受到反馈信号后，采取两步关断的方式保护绝缘栅双极型器件，电压探测电路反馈信号与一路电流探测电路反馈信号采用一对背靠背二极管隔离后接至降栅压电路，避免了相互干扰，另一路电流探测信号直接反馈至软关断电路，本发明只需要简单的电阻、电容、场效应管、二极管、齐纳管就能实现，使的短路保护结构非常简单，且响应及时、可靠，大大降低了成本，便于集成。

公开(公告)号：CN102201661B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201110143100.6

申请日：2011-05-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  霍昌隆 ,  崔其晖 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02H7/20

Abstract: 一种绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，保护电路包括电压探测电路，电流探测电路，软关断保护电路，降栅压保护电路，其中，电压探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接受到反馈信号后，采取两步关断的方式保护绝缘栅双极型器件，电压探测电路反馈信号与一路电流探测电路反馈信号采用一对背靠背二极管隔离后接至降栅压电路，避免了相互干扰，另一路电流探测信号直接反馈至软关断电路，本发明只需要简单的电阻、电容、场效应管、二极管、齐纳管就能实现，使的短路保护结构非常简单，且响应及时、可靠，大大降低了成本，便于集成。

公开(公告)号：CN101969050B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201010266405.1

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 时龙兴 ,  钱钦松 ,  霍昌隆 ,  孙伟锋 ,  陆生礼

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/743 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7394

Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件，包括：P型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的P型外延层，Ⅰ区包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，Ⅱ区包括：N型三极管漂移区、P型深阱、N型三极管缓冲阱、P型发射区和N型基区、N型源区和P型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于N型基区包在N型缓冲区内部，P型漏区上的漏极金属与N型基区上的基极金属通过金属层连通。本发明在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。

公开(公告)号：CN101969050A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010266405.1

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 时龙兴 ,  钱钦松 ,  霍昌隆 ,  孙伟锋 ,  陆生礼

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/743 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7394

Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件，包括：P型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的P型外延层，Ⅰ区包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，Ⅱ区包括：N型三极管漂移区、P型深阱、N型三极管缓冲阱、P型发射区和N型基区、N型源区和P型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于N型基区包在N型缓冲区内部，P型漏区上的漏极金属与N型基区上的基极金属通过金属层连通。本发明在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。

公开(公告)号：CN202076269U

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201020507559.0

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 时龙兴 ,  钱钦松 ,  霍昌隆 ,  孙伟锋 ,  陆生礼

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06

Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件，包括：P型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域I和II的P型外延层，I区包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，II区包括：N型三极管漂移区、P型深阱、N型三极管缓冲阱、P型发射区和N型基区、N型源区和P型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于N型基区包在N型缓冲区内部，P型漏区上的漏极金属与N型基区上的基极金属通过金属层连通。本实用新型在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。