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公开(公告)号：CN110534623B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910827366.9
申请日：2019-09-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的外延结构中具有贯穿P型氮化镓层和有源层的凹槽，该凹槽曝露N型氮化镓层部分表面，将外延结构分成位于凹槽两侧的第一外延结构和第二外延结构，第一P型电极位于透明导电层背离第一外延结构一侧表面，第一N型电极位于第二外延结构背离衬底一侧表面，从而使得本申请实施例提供的LED芯片中，与外界结构相连的第一P型电极所在的第一外延结构和用于与外界结构相连的第一N型电极所在的第二外延结构等高，进而在焊接第一P型电极和第一N型电极时，可以避免第一P型电极和第一N型电极的高度差过大导致的LED芯片在封装打线过程中存在虚焊或焊接压力过大的问题。
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公开(公告)号：CN112133803A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010992690.9
申请日：2020-09-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，通过在所述发光结构的表面构建纳米体系，且所述纳米体系的自由振动频率与所述发光结构的入射光光子频率相匹配，使所述发光结构的局域表面形成等离激元共振(LSPR)效应，进而提高发光二极管的亮度。并通过纳米压印工艺的应用可精准控制等间距且均匀的纳米粒子的形成，且失效粒子较少，从而获得最佳的纳米体系；同时其工艺制作简单便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN111640830A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010530012.0
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过在外延叠层表面设置电流阻挡层、电流传导复合层、ITO层及扩展电极；基于该技术方案，分别通过扩展电极作为与第一电极接触的反射电极、电流传导复合层作为通过ITO层与第二电极接触的反射电极层，使ITO层引入的电流经电流传导复合层后并通过电流阻挡层的阻挡使其在所述台面进一步横向传导，从而降低LED芯片的驱动电压；同时，通过电流传导复合层中的Al反射层再次配合DBR反射层，可进一步地提高电流传导复合层下方的反射率，提升芯片亮度。
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公开(公告)号：CN108878615B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810842674.4
申请日：2018-07-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括衬底、LED外延结构和位于LED外延结构表面的透明导电层，透明导电层包括双层结构，分别为第一透明导电层和位于第一透明导电层背离第二型半导体层的第二透明导电层；其中，第一透明导电层和第二透明导电层中的一层为整层结构，另一层为图案化结构。也即本发明中LED芯片上电流扩展层包括一个整层的电流扩展层和一个图案化的电流扩展层。图案化的透明导电层由于是透明结构，对LED芯片没有遮挡作用，而通过图案化透明导电层的引导，相当于为现有的LED芯片增加了多个透明的叉指电极，从而使得电流扩展能力大大提升。
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公开(公告)号：CN111048414A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911366357.0
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 邬新根
IPC: H01L21/3065 , H01L33/00 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供了一种沟槽刻蚀及侧壁粗化方法和发光二极管，包括采用ICP刻蚀机及相应刻蚀气体，且通过开口对待刻蚀外延片进行刻蚀形成沟槽；采用ICP刻蚀机及相应物理溅射气体，对掩膜层背离待刻蚀外延片一侧的表面进行轰击，使部分掩膜层溅射粘附于沟槽的侧壁，而形成散落点状的遮蔽层；采用ICP刻蚀机及相应化学气体，对遮蔽层裸露沟槽的侧壁处进行化学腐蚀。可见，对ICP刻蚀机通入相应刻蚀气体完成待刻蚀外延片的沟槽刻蚀过程；对ICP刻蚀机通入相应化学气体对遮蔽层裸露沟槽的侧壁进行化学腐蚀，完成沟槽侧壁的粗化过程；采用同一ICP刻蚀机完成沟槽刻蚀和沟槽的内壁粗化，提高发光二极管的制作效率，降低发光二极管的制作成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110957405A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911369513.9
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；位于衬底的第一表面的外延结构，外延结构包括N型半导体层、有源层、P型半导体层，其中P型半导体层表面包括第一区域和第二区域；电流阻挡层；电流扩展层，其中，电流扩展层在P型半导体层上的正投影完全覆盖P型半导体层，电流扩展层对应P型半导体层第一区域的厚度大于电流扩展层对应P型半导体层第二区域的厚度，从而可以利用电流扩展层第二区域的较小厚度，来增加电流扩展层的透光率，减少电流扩展层对出射光的吸收，提高LED芯片的发光功率，同时利用电流扩展层第一区域的较大厚度，减小LED芯片的电压，进而降低所述LED芯片驱动功率，提高所述LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN110429166A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910784793.3
申请日：2019-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片，将第一类型半导体层的台面划分有第一键合区和第一扩展区，且将电流扩展层的表面划分有第二键合区和第二扩展区，在提高第一反射电极和第二反射电极分别在第一扩展区和第二扩展区处的光反射率而减小光吸收率的基础上，同时通过第一粘结层和第二粘结层提高第一反射电极和第二反射电极处的结合强度，进而达到提高发光二极管芯片的出光亮度和内部结合强度的目的，提高了发光二极管芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN110416380A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810382603.0
申请日：2018-04-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和发光方法，其中所述倒装芯片包括至少一反射层、至少一N型电极、至少一P型电极至少一分布式布拉格反射单元以及一外延单元，其中所述外延单元包括一衬底、一N型层、一有源层以及一P型层，所述衬底、所述N型层、所述有源层和所述P型层被依次重叠地设置，并且所述外延单元具有至少一N型层裸露部，所述N型层裸露部自所述P型层的外侧面经由所述有源层延伸至所述N型层，其中所述反射层形成于所述P型层，所述分布式布拉格反射单元一体地结合于所述N型层、所述有源层、所述P型层以及所述反射层，其中所述N型电极被电连接于所述N型层，所述P型电极被电连接于所述P型层。
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公开(公告)号：CN110379899A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910791673.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片通过在所述P型氮化镓层背离所述发光层一侧的表面形成多个盲孔，所述盲孔沿第一方向的深度小于所述P型氮化镓层的厚度，从而在不影响所述P型氮化镓层有效的电流传导面积的情况下，来减少所述P型氮化镓层对所述发光层发射的光线的吸收，提高所述P型氮化镓层的出光量，同时将所述盲孔的侧壁设置为粗糙表面，以增加所述盲孔侧壁出光量，从而进一步增加所述P型氮化镓层背离所述发光层一侧的出光量，提高所述LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN110299436A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910588755.0
申请日：2019-07-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，其中，在透明衬底的生长表面制备倒装发光结构阵列完毕后，自背表面一侧对透明衬底进行减薄裸露出变质层，使得倒装发光二极管芯片的出光面为粗化表面，改善了透明衬底和空气的折射率影响，进而提高倒装发光二极管芯片的出光效率；同时，本发明提供的变质层在制作倒装发光结构阵列前形成，在透明衬底较厚的情况下进行倒装发光结构阵列的制作，进而减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，并且在对透明衬底进行减薄裸露变质层后，无其他结构制作，而是直接进行裂片工艺，进一步减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，最终提高了制作过程中的生产效率。
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