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公开(公告)号：CN1549302A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03130642.X
申请日：2003-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了半导体微器件的一种键合方法及其键合强度的检测方法。键合方法包括以下步骤：1)设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；2)必要的界面处理；3)进行键合面间的键合对准；4)实施键合。本发明还提供了两种键合强度的检测方法，分别为压臂法和张开型测试法。本发明的方法具有工艺简便、可操作性强、精度高、键合温度低以及成本低等优势，可广泛应用于半导体微器件中的键合或封装中，具有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN120012605A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510195184.X
申请日：2025-02-21
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06F17/18 , G06N3/0985
Abstract: 本发明提供了一种向量拟合结合神经网络传递函数的MEMS建模方法，涉及微机电系统技术领域。本发明实施例基于向量拟合结合人工神经网络传递函数算法，可以预测出具有不同几何尺寸、材料特性的MEMS器件的性能曲线对应的拟合参数，进而得到具有不同几何尺寸、材料特性的MEMS器件的性能曲线，对MEMS器件的建模过程进行快速、准确的模拟和分析，并且可以指导MEMS设计师进行器件优化。
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公开(公告)号：CN120012521A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510195181.6
申请日：2025-02-21
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F18/24 , G06F18/2135 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供了一种利用机器学习的MEMS器件建模及良率预测方法，涉及微机电系统技术领域。本发明中，可以采用预设采样方法，基于目标偏差确定多个待预测样本，再基于机器学习算法和待预测样本，预测得到对应的性能参数，从而可以预测出具有不同几何尺寸、材料特性的器件的性能，进一步对性能参数进行分析，确定对应的器件良率预测结果，最终得到不同偏差分布的器件参数对应的器件良率结果。从而可以对MEMS器件的制造过程进行快速、准确的模拟和分析，并识别和优化可能导致低良率的因素，实现关键工艺窗口的量化分析，降低规模生产中的良率迭代次数；并且可以帮助设计师预测MEMS器件的制造缺陷和失效模式，并在设计阶段进行相应的改进。
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公开(公告)号：CN116037230B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202211633878.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及人工电磁材料技术领域，尤其涉及一种基于微流控的可重构超表面及其控制方法。该基于微流控的可重构超表面沿预设方向依次设置有驱动层、构型层、弹性薄膜层及容纳薄膜形变层；驱动层内设置有驱动通道和填充通道；构型层内设置有谐振腔，谐振腔与驱动通道和填充通道均连通；容纳薄膜形变层内设置有形变腔，形变腔用于收容形变的所述弹性薄膜层。本发明中当驱动通道内的驱动液进入到谐振腔内，导致导电液在谐振腔中的比例降低，造成超表面单元结构的改变。同时，还因为弹性薄膜层可以产生形变，才能使超表面单元结构发生改变。本发明可以使微流控技术构建较为复杂的超表面构型。
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公开(公告)号：CN119542915A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411493258.X
申请日：2024-10-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/0687 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于微腔稳频的微型窄线宽原子选频法拉第激光器，其特征在于，包括法拉第激光器、电光调制器、回音壁微腔模块、光电探测器、信号发生器和伺服环路反馈系统；所述法拉第激光器输出的激光经分束器分为两束，一束经电光调制器调制后输入到回音壁微腔模块，另一束作为稳频后的激光输出；所述电光调制器用于接收信号发生器的射频驱动信号对输入的激光进行调制；所述回音壁微腔模块将输入的激光频率稳定到回音壁微腔上；所述光电探测器用于将回音壁微腔模块输出的光信号转换为电信号输入到伺服环路反馈系统；所述伺服环路反馈系统根据输入信号对法拉第激光器进行控制。本发明提供了窄线宽、高稳定度、低成本、小型化的激光光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119028907A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411100922.X
申请日：2024-08-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本申请提供一种纳米级硅通孔三维集成结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，提供衬底，在衬底的一侧形成第一键合层，并在其背离衬底的一侧形成第一硅基晶圆，对第一硅基晶圆进行刻蚀处理，形成多个贯穿第一硅基晶圆的第一硅通孔，并填充第一金属；在第一硅基晶圆背离衬底的一侧形成第二键合层，并在其背离第一硅基晶圆的一侧形成第二硅基晶圆，并对其进行刻蚀处理，形成多个贯通第二硅基晶圆的第二硅通孔，并填充第二金属得到纳米级硅通孔三维集成结构。通过上述方法可以实现纳米级硅通孔三维集成结构的制备，还为实现高密度、小型化、多功能集成提供了可能，满足了现代电子产品不断增长的需求。
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公开(公告)号：CN116116221B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202310082612.9
申请日：2023-01-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种多层通孔阵列滤膜、制备方法及应用，涉及先进制造与生物医学工程领域。所述多层微孔滤膜包含一体制备的具有不同孔径的多层聚合物膜，自上而下孔径递减的多层通孔阵列贯穿连通，流体自大孔层流入，小孔层流出。多层通孔阵列滤膜具有三维特点，可以首先利用小孔层实现样本中目标细胞和背景细胞的高效率富集与去除，再利用大孔实现对目标单细胞固定和限位，为后续开展单细胞操控和分析奠定基础。
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公开(公告)号：CN113658927B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202110791595.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 北京大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/34
Abstract: 本发明涉及一种可分区调控流量的散热结构，其通过调整入液管路与入液口的连接关系以及出液管路与出液口的连接关系，以及通过调整散热结构内不同区域的嵌入式微流道及歧管通道的结构特征和并行度来调整流阻，可以极大程度的减少调控流量所需要的压力调控结构数目。本发明的散热结构通过调节压力调控结构的压强数值，可以动态调控散热结构内不同区域的散热性能，相较于传统的单阀门流道结构，可以提升泵功的利用率，提升散热系统的能耗比。本发明针对散热结构内散热性能要求高的区域设计了小尺寸、高并行度、小流阻的歧管通道结构，在强化冷却性能的同时，较小流阻使得压降调控更为有效，增加了调制比例。另外，本发明还涉及所述散热结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN118315270B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410732790.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/52 , H01L23/482 , H01L23/485
Abstract: 本申请提供一种芯片基板及其制备方法、功能芯片，涉及电子制造技术领域，提供晶圆衬底，晶圆衬底包括中心区域以及位于中心区域外围的边缘区域；对晶圆衬底的所述边缘区域进行第一刻蚀，得到第一凹槽；对晶圆衬底的中心区域和边缘区域进行第二刻蚀，得到填埋槽，填埋槽沿第一方向的深度大于第一凹槽沿第一方向的深度，填埋槽在边缘区域内的槽底深度大于或等于填埋槽在中心区域内的槽底深度；将芯片填入填埋槽内，得到芯片基板。本申请提供的制备方法通过两次刻蚀，使填埋槽的边角略低于中心区域，得到边角形貌均匀的填埋槽，该方法对填埋槽的形貌进行了有效的优化，进而提高芯片的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN117747455B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410190422.3
申请日：2024-02-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/027
Abstract: 本申请提供一种基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；在所述晶圆基底的一侧形成掩膜层，基于激光处理工艺对掩膜层进行曝光处理，在掩膜层形成多个贯穿掩膜层的通孔，并在通孔内填充第一金属；去除掩膜层，对晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理，形成阵列排布的多个微凸点，微凸点的直径小于或等于2μm；在微凸点的间隙中形成绝缘层，得到微凸点基板。本申请通过激光处理工艺对掩膜层进行处理，可以在掩膜层上形成直径更小、厚度更大的通孔，基于激光处理工艺形成的通孔可以制备得到具有直径小于2微米的微凸点的基板。
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