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公开(公告)号：CN1184668C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02136132.0
申请日：2002-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/027 , G12B21/08
Abstract: 本发明涉及一种硅尖的制作方法，更确切地说，涉及一种底部三面保护的制作硅尖方法，其特征在于：(1)在(100)硅片正面和背面，挖二条相交的槽，然后用二氧化硅保护槽的表面和硅片的正面和背面，形成二个侧面和一个硅片背面的三面保护；(2)然后，光刻正面在各向异性液中自硅片的上表面向下的各向异性腐蚀，当腐蚀深度到达底部两个槽的顶部以后，腐蚀限制在三个方向上，最后形成由一个慢腐蚀面和每条槽的一个侧面的三个面围成的硅尖。两相交的槽可以呈任意角，最常用的是90度腐蚀方向被限制在x、y、z三个方向。本发明具有制作工艺简单又克服了现有技术中腐蚀过度或不足造成的掩膜脱落现象，且重复性好。
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公开(公告)号：CN1178088C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN01139287.8
申请日：2001-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有阶梯结构底电极的静电扭转微镜。其特征在于驱动电极呈多级阶梯底电极结构；阶梯结构底电极台阶数至少大于或等于2，阶梯底电极与微镜的角度由台阶高度h和台阶宽度l的比值控制。通过X方向和Y方向分别设置扭梁并进行二维嵌套，可方便地扩展为二维转动微镜。其制作方法或用无掩膜各向异性腐蚀，或用DRIE干法刻蚀，或用这二种方法组合制作，然后将阶梯电极和微镜对准、安装。所用的材料为单晶硅或SOI材料，本发明综合了现有技术中倾斜电极和平行于微镜的底电极两种现有转动微镜的优点。
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公开(公告)号：CN1173220C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN02136625.X
申请日：2002-08-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于光调制热成像系统的芯片及制作方法，属于微电子机械系统领域。该芯片由滤光片、半透镜和微镜阵列组成，其特征在于微镜的反射面和半透镜的反射面构成F-P腔的两个反射面，其之间的距离为入射红外辐射波长的四分之一。其制作特征是选择合适厚度的硅膜、二氧化硅膜的SOI硅片，首先光刻微镜阵列图案，腐蚀硅膜、二氧化硅膜，重新热氧化硅、蒸上铝膜，使得这二层膜的总厚度等于原来SOI硅片中二氧化硅的厚度，而后光刻并刻蚀出微镜图案，随后作一次硅-玻璃键合，把F-P腔的两个面键合在一起。本发明不但保证了F-P腔的两个反射面之间的距离满足要求，同时较为方便地制作出了符合要求的双层镜面。
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公开(公告)号：CN1529336A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03151462.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微型扭转式单刀双置射频开关结构及制作方法，其特征在于：(1)MEMS部件和RF传输部分有共同的衬底；(2)射频传输线分别位于驱动电极的两侧；(3)可动部分悬空在射频信号线和驱动电极的正上方，可动部分是由扭转质量块和两个扭转梁构成的；(4)两根扭转梁位于扭转质量块的正中间沿中轴线方向，驱动电极分别在扭转质量块中轴线的两侧。本发明通过淀积，光刻，刻蚀等简单的微机械表面加工技术，制作出低驱动电压的对两条射频信道进行可靠的单选的单刀双置的开关。此结构具有低驱动电压和良好的可靠性的特点，应用于射频通信系统和无线通信系统中以实现性能好、工艺简单、可以批量生产的微机械的射频器件。
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公开(公告)号：CN1529137A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03151461.8
申请日：2003-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J5/12
Abstract: 本发明涉及一种微机械热电堆红外探测器及其制造方法。其特征在于封闭膜结构是在硅基体上由各向异性腐蚀剂腐蚀后，留下侧壁为(111)慢腐蚀面的腔体，在腔的顶部留下一层复合介质膜，在该膜上有热堆的热结区，位于红外吸收区附近，冷结区在硅基体上；悬梁支撑膜腔基本结构与此相同，仅悬梁一端固支，与硅基体相连；另外一端仅有两点与基体相连。制造工艺关键是通过采用键合技术与与硅腐蚀减薄技术相结合制作Si/SiO2/Si3N4/Si结构，形成膜/腔结构。本发明摒弃了以往正反两面对准光刻技术，简化了工艺而且使制造出器件间距可适当减少，提高器件占空比和成品率。
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公开(公告)号：CN1442511A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03116372.6
申请日：2003-04-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氢氧化钾溶液对(100)硅上 晶向的凸角补偿方法，属于微机械领域。其特征在于本发明提出了“工”字形和“Y”形二种凸角补偿方法，给出相应的计算公式。“工”形补偿可获得方正的反射面，“Y”形补偿的微镜，反射面呈底角为75.96°的图形。经补偿后的微镜，能消除或减轻KOH腐蚀的微镜削角问题，可提高光开关切换光束效率。
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公开(公告)号：CN1405081A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02137780.4
申请日：2002-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种静电驱动垂直方向大位移变形的微结构，属于光电子器件领域。它由A、B两个部分紧密结合而成。它由A、B两个部分紧密结合而成，A、B之间相互绝缘，A部上的组件有外框架、左右两个副悬臂梁、左右两个副质量块、主悬臂梁、主质量块；B部分上的组件有一个上层面、左右两个中层面、一个底层面、左右两个副电极、主电极以及左右两个阻挡块；通过不同高度的电极的共同作用，可以实现以较小的电压驱动质量块以较大的垂直方向上位移，并且只通过外围电极连线的改变，就可以实现质量块的多个位移的稳定状态。且可以按同样原理进行扩展，结构简单、制作工艺要求低，必将在光电子器件和微机械结构方法发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN113345781B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202110571179.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 为了解决现有技术中竖直型纳米空气沟道晶体管的栅极电压高的技术问题，本发明提出了一种纳米空气沟道晶体管，晶体管包括：阳极，阳极设有阳极支点；栅极，栅极的第一侧与阳极支点连接，栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，阴极与栅极支点连接，阴极的靠近栅极的一侧设有第一凸起。当本发明中的器件工作时，可在阴极上施加负偏压，在栅极和阳极上施加正偏压。当电压达到一定程度的大小时，阴极表面上发射出的电子通过栅极中的网孔到达阳极，产生电流。通过调节栅极电压和阳极电压可以改变电流的大小。由于栅极距离阴极距离更近，栅极电压对电流大小的影响要远大于阳极电压对电流大小的影响。阴极表面的第一凸起可以促进电子发射，降低工作电压。
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公开(公告)号：CN113933364B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202111031603.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , G01N33/531 , G01N33/535 , G01N33/543 , G01N33/58
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米线场效应生化传感器的靶标物浓度检测方法，包括制备免疫磁珠‑靶标物‑免疫硅纳米颗粒；修饰硅纳米线场效应生化传感器，用于识别不同的所述三层结构催化所述pH酶的底物发生催化反应所产生的pH变化；使免疫磁珠‑靶标物‑免疫硅纳米颗粒与pH酶的底物发生催化反应，以改变待测溶液的pH；将待测溶液进行磁性分离，取上清液在硅纳米线场效应生化传感器上进行pH检测，根据浓度与pH的标准曲线，得到靶标物的浓度。本发明将靶标物浓度转化为pH变化，利用硅纳米线场效应生化传感器对该pH变化进行检测，根据其电流变化量，能够实现靶标物的定性与定量测定，简单稳定，灵敏度高，检测准确性好，通用性强。
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公开(公告)号：CN110451453B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201910613814.5
申请日：2019-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种红外探测器的制备方法，包括如下步骤：选用半导体晶圆作为衬底；在衬底表面形成复合薄膜；在复合薄膜表面形成热电薄膜；在热电薄膜上形成沿对角线密排图形化的硼和磷重掺杂热电偶，其由硼重掺杂热电条和磷重掺杂热电条组成；使硼和磷重掺杂热电偶金属欧姆互连；以及将复合薄膜从衬底上释放，得到封闭膜式的密排热电偶的红外探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的红外探测器。本发明通过密排图形和硼/磷离子重掺杂，沿红外探测器对角线上依次形成平面或堆叠密排的热电偶，最后形成金属欧姆互连，实现密排热电偶的红外探测器的制备。
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