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公开(公告)号：CN102456642B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201110344682.4
申请日：2011-11-04
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 彼得·贝克达尔 , 哈特姆特·库拉斯 , 弗兰克·埃伯斯贝格尔
CPC classification number: H01L23/473 , H01L2924/0002 , H05K7/20254 , H05K7/20927 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体系统以及一种用于制造功率半导体系统的方法。功率半导体系统带有：用于流动的工作介质的管路系统；带有外侧和内侧的壁元件；以及布置在壁元件的外侧上的功率半导体电路，其中，壁元件的内侧形成管路系统的液密和/或气密的壁。根据本发明的改良的功率半导体系统能实现从功率半导体电路到冷却介质上的有效热传递。
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公开(公告)号：CN102543423B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110344847.8
申请日：2011-11-04
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 弗兰克·埃伯斯贝格尔 , 彼得·贝克达尔 , 哈特姆特·库拉斯 , 彼得·肖特
CPC classification number: H01G2/08 , H01G2/02 , H01G2/10 , H01G2/106 , H01G4/224 , H01L28/40 , H05K7/20927 , Y10T29/43
Abstract: 本申请涉及一种电容器系统和用于制造电容器系统的方法，尤其是功率半导体模块的电容器系统及用于制造功率半导体模块的电容器系统的方法。在一种实施方式中，本申请涉及如下的电容器系统，所述电容器系统具有：具备凹陷部的金属成型体；至少部分布置在该凹陷部中的电容器；至少部分在电容器与金属成型体之间布置在该凹陷部中的由电绝缘材料制成的间距保持件(30)；以及设置在凹陷部中的电绝缘的灌封材料，其中，所述灌封材料将所述电容器以如下方式固定在凹陷部中，即：使电容器不碰触金属成型体。
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公开(公告)号：CN102324917B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110123824.4
申请日：2011-05-10
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 冈特·柯尼希曼 , 亚历山大·米尔赫费尔 , 马库斯·霍夫迈尔 , 丹尼尔·奥伯内德尔
IPC: H03K17/567
CPC classification number: H03K17/691 , H03K17/18
Abstract: 本发明涉及一种用于通过变压器段传送二进制信号的方法。在用于通过功率半导体(4)的驱动器(2)的变压器段分别传送代表信号(8a)的二进制值(10a，b)的方法中：-为第一值(10a)将第一脉冲群(18a)作为正脉冲(20b)和负脉冲(20a)的序列输入给变压器(14)的输入端(12)，或为第二值将第二脉冲群(18b)作为负脉冲(20a)和正脉冲(20b)的序列输入给变压器(14)的输入端(12)，-将各自的所述脉冲群(18a，b)分别输入给变压器(14)，-在变压器(14)的输出端(16)上，从已传送的脉冲群(18a，b)内输出量(UA，IA)的极性序列(22a，b)中检测出第一值(10a)或第二值(10b)。
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公开(公告)号：CN105097716A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510205721.0
申请日：2015-04-27
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
CPC classification number: H01L24/34 , H01L23/043 , H01L23/13 , H01L23/296 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/492 , H01L23/4985 , H01L23/49861 , H01L24/90 , H01L25/072 , H01L2023/4031 , H01L2023/4056 , H01L2023/4087 , H01L2224/73263 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2224/37099 , H01L2224/84 , H01L23/10 , H01L23/36
Abstract: 本发明提出一种功率半导体模块，以及包括功率半导体模块的一种布置。功率半导体模块设计成具有壳体，具有连接到所述壳体的基板的开关装置，布置于所述基板上的功率半导体组件，连接装置，负载连接装置和压力装置，所述压力装置可设计成使其可相对于壳体移动。在这种情况下，该基板具有第一中央通道开口以及还具有彼此电绝缘的导体轨迹，其中所述功率半导体组件布置于导体轨迹上。在这种情况下，所述连接装置具有第一和第二主表面，并设计成具有导电薄膜。
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公开(公告)号：CN104952748A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510145935.3
申请日：2015-03-30
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L21/607
CPC classification number: B23K20/106 , B23K20/002 , B23K20/10 , B23K20/233 , B23K2101/42 , B23K2103/12 , H01L21/4853 , H01L23/3735 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/29147 , H01L2224/32225 , H01L2224/75343 , H01L2224/83205 , H01L2224/838 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L2224/742 , H01L2224/81
Abstract: 本发明涉及一种将联接元件与功率半导体模块基底连接的设备及其方法。本发明说明了一种用于以焊接技术将功率半导体模块的联接元件与导体迹线连接的设备，该设备包括用于布置基底的支座，其中，支座具有第一和第二子支座，其中，第一子支座是具有在50kN/mm2至300kN/mm2之间的弹性模量的金属成形体，第二子支座是具有在10N/mm2至500N/mm2之间的弹性模量的弹性成形体，并且其中，底部元件安设在第二子支座上；该设备还包括被构造成用于将底部元件固定在支座上的保持装置、超声焊极、用于将联接元件相对基底定位的定位装置。本发明还说明了一种在使用该设备的情况下制造功率半导体模块的制造方法。
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公开(公告)号：CN102427072B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110226611.4
申请日：2011-08-04
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 一种用于将功率组件与端子平面元件电连接的装置，该装置用于将功率组件的彼此相距的平行设置的连接平面元件对与紧邻且彼此借助绝缘平面元件隔离的端子平面元件对电连接。两个连接平面元件分别具有导入平面元件，导入平面元件重叠并且构造有沿轴向对准的孔。在重叠的两个导入平面元件之间设置有绝缘成型件，绝缘成型件构造有孔和从孔的边缘在一侧沿轴向伸出的管套筒，管套筒通过一个导入平面元件的孔延伸到承载件的孔中，承载件具有用于接触螺栓元件的内螺纹区段。端子平面元件分别具有带有用于接触螺栓元件的留空部的接触区段。借助接触螺栓元件一个接触区段被挤压向一个导入平面元件并且第二接触区段被挤压向第二导入平面元件。
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公开(公告)号：CN104851879A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510080384.7
申请日：2015-02-13
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/49 , H01L23/538
CPC classification number: H05K1/111 , H01L23/3735 , H01L23/49 , H01L23/5386 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H02M7/003 , H05K2201/09236 , H05K2201/10053 , H05K2201/10166 , H05K2201/10174 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供一种功率半导体模块，包括实施为线式接合连接的内部负载连接装置和辅助连接装置。基片具有多个负载电势区域和辅助电势区域，其中功率开关安排在第一负载电势区域上，所述功率开关实施为串联安排的多个可控功率子开关。功率子开关具有负载接合连接，该负载接合连接由到第二负载电势区域的多个负载接合线构成，其中第一接合基部安排在该第二负载电势区域上并且对应的负载接合线的相邻的第二接合基部安排在该功率子开关的接触区域上。特别地，控制接合线使两个分配的辅助电势区域彼此电连接并且平行接合线是平行于所述控制接合线安排的，所述平行接合线仅电连接到负载电势区域中的一个负载电势区域。
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公开(公告)号：CN104639127A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410602630.6
申请日：2014-10-31
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H03K17/14
CPC classification number: H02M1/08 , H02M2001/0054 , H03K3/011 , H03K17/082 , H03K17/14 , H03K17/16 , H03K17/56
Abstract: 本发明涉及一种大功率半导体电路，该大功率半导体电路包括具有控制端子和第一、第二负载电流端子的大功率半导体开关以及触发电路；其中，在触发电路和控制端子之间电联接与温度相关的控制端子电阻元件；和/或其中，在触发电路和第二负载电流端子之间电联接与温度相关的负载电流端子电阻元件；和/或其中，控制端子通过第一电流支路与第二负载电流端子电连接，其中，与温度相关的控制负载电流端子电阻元件电联接到第一电流支路中。本发明在大功率半导体开关变热时降低大功率半导体开关的开关损耗。
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公开(公告)号：CN102157457B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201010576622.0
申请日：2010-12-01
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 马可·莱德雷尔
CPC classification number: H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有部分带状负载接头元件的压力接触的功率半导体模块，功率半导体模块具有至少一个基底、布置在基底上面的功率半导体器件、壳体和导向外部的负载接头元件和压力装置，基底在其面向功率半导体模块内部的第一主面上具有带负载电位的导电带。第一负载接头元件和至少一个另外的负载接头元件各自构成为具有带状区段和从带状区段伸出的触脚的金属成型体，相应的带状区段平行于基底表面并与基底表面相距开地布置，并且触脚从带状区段延伸至基底并与基底符合线路要求地接触连通。从至少一个第一带状区段到另一个相邻的带状区段的压力传递借助于压力传递装置在部分面积上进行，压力传递装置要么构成为压力中间件和/或者构成为带状区段自身的变形部。
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公开(公告)号：CN104253600A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410295545.X
申请日：2014-06-26
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 哈拉尔德·科波拉 , 冈特·柯尼希曼 , 京特·卡岑贝格尔 , 雅伊尔·多·纳西门托-辛格
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H02M1/088 , H03K17/127
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体电路，其具有：多个电并联的功率半导体开关，其中，功率半导体电路构造成：在其中单个功率半导体开关中对涉及的功率半导体开关的出现在第一和第二负载电流接头之间的功率半导体开关电压进行监控，和驱控单元，其构造用以产生用于驱控功率半导体开关的驱控信号，驱控单元与功率半导体开关的控制接头和第二负载电流接头电连接，其中，共模扼流圈分别电联接在功率半导体开关电压不被监控的功率半导体开关与驱控单元之间，并且没有共模扼流圈电联接在功率半导体开关电压被监控的功率半导体开关与驱控单元之间。本发明的功率半导体电路实现了功率半导体开关间尽可能均匀的电流分布及对其中一个开关上的开关电压的可靠监控。
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